一种发光装置及模组制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种发光装置及模组，发光装置包括基底、LED芯片、保护墙和保护层；所述保护墙与所述基底连接并形成凹部，所述凹部的凹面为发光面；所述LED芯片设于所述基底并位于所述凹部内；所述保护层填充在所述凹部并覆盖所述发光面、所述LED芯片，所述保护层在所述凹部外形成凸状的出光面；所述保护墙上并沿所述出光面设有凸起的挡墙；所述发光面的俯视方向的外形为多边形或由多边形相邻两条边圆角过渡结构的形状。本实用新型专利技术提出的发光装置及模组，通过保护层的形状来折射光线，实现增加LED芯片的发光角度的效果。加LED芯片的发光角度的效果。加LED芯片的发光角度的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种发光装置及模组


[0001]本技术属于LED
，具体涉及一种发光装置及模组。

技术介绍

[0002]因LED背光源动态调光技术具有高对比度、优异的显示效果，逐渐成为LCD相关产品的市场新宠。动态调光需要多个分区控制多颗光源实现，由此带来方案中成本的急剧上升，使得终端的价格极其昂贵。通过增加单个背光源的角度，可减少灯的颗数从而使得系统成本能够大幅减少。如何实现单颗光源的发光角度增加，是目前需要解决的问题。

技术实现思路

[0003]为了克服现有技术的上述缺点，本技术的目的在于提供一种发光装置，可以增加单颗光源的发光角度。
[0004]本技术为达到其目的，所采用的技术方案如下：
[0005]一种发光装置，包括基底、LED芯片、保护墙和保护层；
[0006]所述保护墙与所述基底连接并形成凹部，所述凹部的凹面为发光面；
[0007]所述LED芯片设于所述基底并位于所述凹部内；
[0008]所述保护层填充在所述凹部并覆盖所述发光面、所述LED芯片，所述保护层在所述凹部外形成凸状的出光面；
[0009]所述保护墙上并沿所述出光面设有凸起的挡墙；
[0010]所述发光面的俯视方向的外形为多边形或由多边形相邻两条边圆角过渡结构的形状。
[0011]优选的，所述基底包括正极金属基底层和负极金属基底层，所述保护墙填充于所述LED 芯片的四周、所述正极金属基底层与所述负极金属基底层之间。
[0012]优选的，所述保护墙垂直设于所述基底，所述保护层的最外围部分呈椭圆形状。
[0013]优选的，所述椭圆形状满足X2/a2+Y2/b2＝1(a＞b＞0)，a为所述保护层的宽度的1/2，b 为所述保护层的高度。
[0014]优选的，所述出光面朝向所述保护墙外沿方向呈现不少于一种的椭圆形状，所述两个以上的椭圆形状中，a值不同，b值相同。
[0015]优选的，所述b/a的比值区间为0.4
‑
0.8。比值太高会有聚光效应，太低起不到分散光线的目的。
[0016]优选的，保护层边缘与保护墙之间接触位置的高度大于或等于保护墙的其他位置。
[0017]优选的，所述保护层的材料由硅树脂、硅橡胶、环氧树脂中的一种或多种组成，优选的其折射率大于1.3。
[0018]优选的，所述保护层还包括填充粒子，所述填充粒子由SiO2、TiO2、ZrO2中的一种或多种组成，其与保护层加扩散粒子的重量比例为0％
‑
10％。
[0019]优选的，所述保护墙由热固型材料或热塑型材料组成。具体的如，PCT(聚酰胺树脂)、 PPA(聚邻苯二甲酰胺)、EMC(Epoxy Molding Compound，环氧塑封料)、SMC(Silicone MoldingCompound，硅胶塑封料)。
[0020]本技术还包括一种发光装置的模组，包括发光装置、PCB、IC驱动、扩散片、白光转换层和增光片。
[0021]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0022]本技术提出的发光装置及模组，通过保护层的形状来折射光线，实现增加LED芯片的发光角度的效果。发光面的俯视方向的外形为多边形或由多边形相邻两条边圆角过渡结构的形状，可使光线沿多边形的边、圆角方向折射出光，增加LED芯片侧面的出光。凸起的挡墙用于阻挡保护层的分散，利于凸状的出光面的成型。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本技术实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1是本技术实施例1中发光装置的截面图；
[0025]图2是本技术实施例1中发光装置的俯视图；
[0026]图3是本技术实施例1中发光装置的侧视图；
[0027]图4是本技术发光装置的模组的俯视图；
[0028]图5是本技术发光装置的模组的截面图；
[0029]图6是本技术发光装置光线折射的侧视方向的示意图；
[0030]图7是本技术发光装置光线折射的俯视方向的示意图；
[0031]图8是本技术的发光装置不同形状的俯视方向的示意图。
[0032]附图标记说明：
[0033]1‑
发光装置，101
‑
LED芯片，102
‑
保护墙，103
‑
保护层，104
‑
正极金属基底层，105
‑
负极金属基底层，2
‑
PCB，3
‑
IC驱动，4
‑
扩散片，5
‑
白光转换层，6
‑
增光片。
具体实施方式
[0034]为了能够更清楚地理解本技术的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本技术进行详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，所描述的实施方式仅仅是本技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。
[0035]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本技术。
[0036]实施例1：
[0037]参照图1至图3，本技术公开了一种发光装置1，包括基底、LED芯片101、保护墙 102和保护层103；
[0038]所述LED芯片101的数量至少为一个，且设于所述基底，所述基底包括两个互不连接的正极金属基底层104和负极金属基底层105；
[0039]所述保护墙102由SMC材料组成，所述保护墙102填充于所述LED芯片101的四周、所述正极金属基底层104与所述负极金属基底层105之间，且与所述基底连接并形成凹部，所述凹部的凹面为发光面；
[0040]所述发光面的俯视方向的外形为八边形；
[0041]所述保护层103覆盖于所述发光面、所述LED芯片101并形成凸状的出光面，所述保护层103由硅树脂组成，折射率为1.5，本实施例中保护层103不包含填充粒子，所述保护层 103的最外围部分呈椭圆形状，所述椭圆形状满足X2/a2+Y2/b2＝1(a＞b＞0)，a为所述保护层103的宽度的1/2，b为所述保护层103的高度，在本实施例中，从侧面看有四个椭圆，其中平行的两个椭圆接近相同，如图1和图3，所述发光装置1从侧面看有4个截本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，包括基底、LED芯片、保护墙和保护层；所述保护墙与所述基底连接并形成凹部，所述凹部的凹面为发光面；所述LED芯片设于所述基底并位于所述凹部内；所述保护层填充在所述凹部并覆盖所述发光面、所述LED芯片，所述保护层在所述凹部外形成凸状的出光面；所述保护墙上并沿所述出光面设有凸起的挡墙；所述发光面的俯视方向的外形为多边形或由多边形相邻两条边圆角过渡结构的形状。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述基底包括正极金属基底层和负极金属基底层，所述保护墙填充于所述LED芯片的四周、所述正极金属基底层与所述负极金属基底层之间。3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述保护墙垂直设于所述基底，所述保护层的最外围部分呈椭圆形状。...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚述光，万垂铭，曾照明，龙小凤，肖国伟，
申请(专利权)人：广东晶科电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：