【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及led芯片，特别涉及一种适用于集成封装式的高均匀性发光器件及制作方法。
技术介绍
1、随着汽车行业的发展，越来越多的车灯使用led作为车灯光源。传统的车灯led光源为点光源，在多颗直射式或侧发光led模组上，导致在侧发光led模组有限的空间下亮点明显的问题。为了实现表面均匀发光的效果，减少led颗粒感，通常需要搭配光学透镜或者光扩散板。
2、现有的方案搭配光学透镜或扩散板，主要有以下缺点：
3、一、为了达到理想的扩散效果，目前多数提高均匀性的制作方法为增加光学透镜或扩散膜，由于光学透镜或扩散板较厚，此工艺虽提升了均匀性，但产品整体厚度会增大，与现有的轻薄化车灯发展相违背；
4、二、光学透镜需要对led发射出的光线进行光学模拟仿真，以达到更好的均匀性效果，光学设计结构复杂；
5、三、光学透镜及扩散板的开发设计、制造成本较高，所用周期较长，不利于产品的成本控制和推广。
6、因此，针对现有技术的不足提供一种适用于集成封装式的高均匀性发光器件。
技术实现思路
1、为了克服现有技术的不足，本专利技术提供一种适用于集成封装式的高均匀性发光器件，该装置具有解决发光模组在有限的空间内发光表面光线不均匀的问题。
2、为了达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、一种适用于集成封装式的高均匀性发光器件，包括：基板，所述基板上固设有至少一个led芯片，所述led芯片四周围设有白墙，所述白墙位于所述基板
4、所述光转换层内包括均匀分布的荧光粒子，若干所述led芯片激发所述光转换层内的荧光粒子形成区域性发光的白光面光源；
5、所述扩散层内设有扩散粒子，所述扩散粒子用于将光线进一步散射。
6、作为本专利技术技术方案的进一步改进，若干所述led芯片串联或并联排列构成光电半导体层。
7、作为本专利技术技术方案的进一步改进，所述光电半导体层的led芯片之间的间距为led芯片尺寸的1倍-4倍。
8、作为本专利技术技术方案的进一步改进，所述扩散粒子的材料包括tio2粒子或sio2粒子。
9、作为本专利技术技术方案的进一步改进，所述光转换层的厚度为20um-200um。
10、作为本专利技术技术方案的进一步改进，单层所述透明胶层的最大厚度或多层所述透明胶层的总体厚度不超过所述白墙的高度；
11、单层所述透明胶层的厚度大于等于500um。
12、作为本专利技术技术方案的进一步改进，所述扩散层呈透镜状。
13、作为本专利技术技术方案的进一步改进，所述白墙与所述基板构成一发光腔体，所述发光腔体内壁为具有高反射率的反射层，所述反射层的反射率大于80％。
14、一种适用于集成封装式的高均匀性发光器件的制作方法，适用于上述的适用于集成封装式的高均匀性发光器件，包括以下步骤：
15、s1：将至少一个led芯片正装或倒装固设在基板上，形成光电半导体层；
16、s2：在光电半导体层四周点胶的方式，固化形成白墙；
17、s3：在白墙区域内通过点胶的方式进行填充，待水平静置固化形成光转换层和/或透明胶层；
18、s4：在透明胶层上方点胶的方式，固化形成扩散层。
19、作为本专利技术技术方案的进一步改进，步骤s3-s4中，点胶的材料包括单硅胶、硅胶与荧光粒子的混合材料以及硅胶与扩散粒子的混合材料；
20、单硅胶材料固化形成透明胶层；
21、硅胶与荧光粒子的混合材料固化形成光转换层和透明胶层，光转换层位于所述透明胶层的下方；
22、硅胶与扩散粒子的混合材料固化形成扩散层。
23、与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
24、本专利技术的适用于集成封装式的高均匀性发光器件中，通过在基板上固设led芯片，led芯片四周围设高反射率的白墙，往白墙内部通过点胶的方式灌注硅胶材料，形成光转换层、透明胶层和扩散层；在光转换层内设置荧光粒子通过led芯片激发荧光粒子形成区域性发光的白光面光源，在扩散层内设置扩散粒子，将光线进一步散射，两者共同作用以达到高均匀性的发光效果。本适用于集成封装式的高均匀性发光器件，具有发光模组在有限的空间内发光表面光线均匀的特点。
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1.一种适用于集成封装式的高均匀性发光器件，其特征在于，包括：基板，所述基板上固设有至少一个LED芯片，所述LED芯片四周围设有白墙，所述白墙位于所述基板的上方，所述基板、所述LED芯片上方覆盖有光转换层、至少一层透明胶层和扩散层，所述透明胶层上方铺设有扩散层；
2.根据权利要求1所述的一种适用于集成封装式的高均匀性发光器件，其特征在于，若干所述LED芯片串联或并联排列构成光电半导体层。
3.根据权利要求2所述的一种适用于集成封装式的高均匀性发光器件，其特征在于，所述光电半导体层的LED芯片之间的间距为LED芯片尺寸的1倍-4倍。
4.根据权利要求1所述的一种适用于集成封装式的高均匀性发光器件，其特征在于，所述扩散粒子的材料包括TiO2粒子或SiO2粒子。
5.根据权利要求1所述的一种适用于集成封装式的高均匀性发光器件，其特征在于，所述光转换层的厚度为20um-200um。
6.根据权利要求5所述的一种适用于集成封装式的高均匀性发光器件，其特征在于，单层所述透明胶层的最大厚度或多层所述透明胶层的总体厚度不超过所述白墙的高
7.根据权利要求1所述的一种适用于集成封装式的高均匀性发光器件，其特征在于，所述扩散层呈透镜状。
8.根据权利要求1所述的一种适用于集成封装式的高均匀性发光器件，其特征在于，所述白墙与所述基板构成一发光腔体，所述发光腔体内壁为具有高反射率的反射层，所述反射层的反射率大于80％。
9.一种适用于集成封装式的高均匀性发光器件的制作方法，适用于权利要求1-8中任一项所述的适用于集成封装式的高均匀性发光器件，其特征在于，包括以下步骤：
10.根据权利要求9所述的一种适用于集成封装式的高均匀性发光器件的制作方法，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种适用于集成封装式的高均匀性发光器件，其特征在于，包括：基板，所述基板上固设有至少一个led芯片，所述led芯片四周围设有白墙，所述白墙位于所述基板的上方，所述基板、所述led芯片上方覆盖有光转换层、至少一层透明胶层和扩散层，所述透明胶层上方铺设有扩散层；
2.根据权利要求1所述的一种适用于集成封装式的高均匀性发光器件，其特征在于，若干所述led芯片串联或并联排列构成光电半导体层。
3.根据权利要求2所述的一种适用于集成封装式的高均匀性发光器件，其特征在于，所述光电半导体层的led芯片之间的间距为led芯片尺寸的1倍-4倍。
4.根据权利要求1所述的一种适用于集成封装式的高均匀性发光器件，其特征在于，所述扩散粒子的材料包括tio2粒子或sio2粒子。
5.根据权利要求1所述的一种适用于集成封装式的高均匀性发光器件，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗昕穗，万垂铭，李晨骋，万珊珊，朱文敏，徐波，
申请(专利权)人：广东晶科电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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