【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于led封装，具体涉及一种荧光膜结构、制备方法及led器件。
技术介绍
1、传统的led封装工艺主要为：将荧光粉和硅胶混合，通过点胶机将粉胶填充至led支架碗杯内，并通过离心的方式将荧光粉沉降与芯片表面。这种方法使得部分荧光粉沉降在支架底部，不能很好地被芯片蓝光激发，从而导致led亮度偏低。荧光膜能够很好地解决这一问题，荧光膜为硅胶和荧光粉混合制成的一种具有一定厚度薄膜状结构，通过将荧光膜直接固定于芯片表面，可以避免荧光粉沉降到碗底从而影响led亮度的问题，提高芯片蓝光激发荧光粉的效率，提高led亮度。
2、现有荧光膜主要制备工艺为：混合荧光粉和硅胶，利用刮膜机刮涂粉胶混合物，刮涂出相对固定膜厚的薄片，通过切割机将薄片切割为合适长宽的方形小薄片。荧光粉在荧光膜内呈悬浮均匀分布，但若荧光膜过厚，底部蓝光无法穿过荧光膜的底层和中层去激发上层的荧光粉。在一定厚度范围内，荧光膜越厚，荧光膜的激发效率越低，led亮度越低。考虑到荧光粉的混合比例，现有荧光膜制备工艺难以将荧光膜厚度压缩，制备更薄的荧光粉层，难以进一步提高带荧光膜的led的亮度。
3、此外，现有荧光膜在切割尺寸固定的情况下，荧光膜粉层底面积等于荧光膜膜切割面积，通常通过增加荧光膜切割尺寸以增大荧光粉被芯片蓝光激发的面积，从而使得led实现提亮效果。但受限于芯片尺寸和封装led尺寸，平面荧光粉层提升有限，需要在保证荧光膜厚度的同时，在有限的荧光膜尺寸中做出表面积更大的荧光粉层，以进一步提高带荧光膜led的亮度。
技
1、为了克服上述技术缺陷，本专利技术提供了一种荧光膜结构、制备方法及led器件，以提高led器件的发光效率。
2、为了解决上述问题，第一方面，本专利技术提供了：
3、一种荧光膜结构，包括第一封装胶层、荧光粉层和第二封装胶层，荧光粉层设置在第一封装胶层上方，第二封装胶层设置在荧光粉层上方，
4、第一封装胶层包括阵列排布的若干第一凸部，第二封装胶层包括倒设的阵列排布的若干第二凸部，第一凸部与第二凸部错位分布，
5、荧光粉层与第一封装胶层连接的底面设有若干第一凹部，与第一凸部相吻合；荧光粉层与第二封装胶层连接的顶部设有若干第二凹部，与第二凸部相吻合，第一凹部与第二凹部错位分布。
6、作为本专利技术的进一步改进，封装胶形成的凸部为类半球形状，凸部的底部直径为50-500μm，高度为20-100μm。
7、作为本专利技术的进一步改进，各凸部的阵列间距为25-500μm。
8、作为本专利技术的进一步改进，荧光粉层上的凹部为类半球形状，凹部的底部直径为50-500μm，深度为20-100μm，各凹部的阵列间距为25-500μm。
9、作为本专利技术的进一步改进，荧光粉层厚度为10-150μm。
10、第二方面，本专利技术提供了一种荧光膜结构的制备方法，用于制备上述的荧光膜结构，包括如下步骤：
11、将封装胶以阵列排布的方式点胶在平面上，分别形成第一封装胶层和第二封装胶层；
12、将荧光粉胶分别涂覆在第一封装胶层和第二封装胶层上表面，并进行烘烤半固化，形成第一荧光层和第二荧光层；
13、将第二荧光层倒设在第一荧光层上，第二荧光层的封装胶点与第一荧光层的封装胶点错位分布；
14、使用切割刀进行切割，获得荧光膜。
15、第三方面，本专利技术提供了一种led器件，包括陶瓷基板、发光二极管芯片、荧光膜、光反射层和封装透镜，
16、发光二极管芯片设置在陶瓷基板的上表面；
17、荧光膜采用上述的荧光膜结构，铺设在发光二极管芯片的上表面；
18、光反射层铺设在荧光膜四周，且包覆荧光膜的侧面和发光二极管芯片的侧面；
19、封装透镜覆盖在荧光膜的上表面及光反射层的斜面。
20、作为本专利技术的进一步改进，光反射层为斜坡结构。
21、作为本专利技术的进一步改进，封装透镜为类半球型。
22、作为本专利技术的进一步改进，封装透镜的折射率大于荧光膜的折射率。
23、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
24、本专利技术公开了一种荧光膜结构、制备方法及led器件，荧光膜结构包括第一封装胶层、荧光粉层和第二封装胶层，荧光粉层设置在第一封装胶层上方，第二封装胶层设置在荧光粉层上方，第一封装胶层包括阵列排布的若干第一凸部，第二封装胶层包括倒设的阵列排布的若干第二凸部，第一凸部与第二凸部错位分布，荧光粉层与第一封装胶层连接的底面设有若干第一凹部，与第一凸部相吻合；荧光粉层与第二封装胶层连接的顶部设有若干第二凹部，与第二凸部相吻合，第一凹部与第二凹部错位分布。错位设置在荧光粉层底面和顶面的凹部使荧光粉层形成曲面结构，使得在相同的荧光膜厚度下，相较于传统荧光膜，本专利技术提供的荧光膜内荧光粉层厚度更薄，更有利于上层(或表层)的荧光粉被芯片蓝光激发，从而提高led器件的发光效率；错位设置在荧光粉层底面和顶面的凹部使荧光粉层形成曲面结构，使得在相同的荧光膜底面积下，相较于传统荧光膜，本专利技术提供的荧光膜内荧光粉层的实际底面积更大，增加了荧光粉层被激发的面积，更有利于荧光粉层被芯片蓝光激发，提高led器件的发光效率。
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1.一种荧光膜结构，其特征在于，包括第一封装胶层、荧光粉层和第二封装胶层，所述荧光粉层设置在所述第一封装胶层上方，所述第二封装胶层设置在所述荧光粉层上方，
2.根据权利要求1所述的荧光膜结构，其特征在于，封装胶形成的第一凸部、第二凸部均为类半球形状，底部直径为50-500μm，高度为20-100μm。
3.根据权利要求2所述的荧光膜结构，其特征在于，所述第一凸部、第二凸部的阵列间距均为25-500μm。
4.根据权利要求3所述的荧光膜结构，其特征在于，所述荧光粉层上的第一凹部、第二凹部均为类半球形状，底部直径为50-500μm，深度为20-100μm，所述第一凹部、第二凹部的阵列间距均为25-500μm。
5.根据权利要求1所述的荧光膜结构，其特征在于，所述荧光粉层厚度为10-150μm。
6.一种荧光膜结构的制备方法，用于制备权利要求1-5任一项所述的荧光膜结构，其特征在于，包括如下步骤：
7.一种LED器件，其特征在于，包括陶瓷基板、发光二极管芯片、荧光膜、光反射层和封装透镜，
8.根据权利要
9.根据权利要求7所述的LED器件，其特征在于，所述封装透镜为类半球型。
10.根据权利要求7所述的LED器件，其特征在于，所述封装透镜的折射率大于所述荧光膜的折射率。
...【技术特征摘要】
1.一种荧光膜结构，其特征在于，包括第一封装胶层、荧光粉层和第二封装胶层，所述荧光粉层设置在所述第一封装胶层上方，所述第二封装胶层设置在所述荧光粉层上方，
2.根据权利要求1所述的荧光膜结构，其特征在于，封装胶形成的第一凸部、第二凸部均为类半球形状，底部直径为50-500μm，高度为20-100μm。
3.根据权利要求2所述的荧光膜结构，其特征在于，所述第一凸部、第二凸部的阵列间距均为25-500μm。
4.根据权利要求3所述的荧光膜结构，其特征在于，所述荧光粉层上的第一凹部、第二凹部均为类半球形状，底部直径为50-500μm，深度为20-100μm，所述第一凹部、第二凹部的阵列间...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗嘉明，赖东渊，姚述光，姜志荣，曾照明，肖国伟，陈晓莹，陈嘉，
申请(专利权)人：广东晶科电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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