液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半透射式液晶显示装置，即使采用在反射区域（１７）配置铝（２８）并在其上层配置ＩＴＯ等透明导电膜这种结构的情况下，也能减少余像的发生。为此，该液晶显示装置，在一个像素内具有透射区域（１８）和反射区域（１７），用第一透明导电膜（２９１）构成透射区域（１７）的像素电极，反射区域（１７）的像素电极是在高熔点金属（２７）上层叠铝（２８），并在该铝（２８）上配置第二透明导电膜（２９２）而构成的，反射区域（１７）中的第二透明导电膜（２９２）和高熔点金属（２７）在高熔点金属（２７）的端部（３２）相接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半透射式液晶显示装置，尤其涉及一种在像素部具有透射区域和反射区域的半透射式液晶显示装置。
技术介绍
众所周知，现在主流的有源矩阵式液晶显示装置有反射式液晶显示装置、透射式液晶显示装置以及组合了该反射式液晶显示装置和透射式液晶显示装置的半透射半反射式的液晶显示装置(以下，称为半透射式液晶显示装置)。该半透射式液晶显示装置，由于在像素部具有能透射来自背光源的光的透射区域和反射外来光的反射区域，因而能用一个液晶显示装置来实现透射式液晶显示装置和反射式液晶显示装置的优点。在日本特开2003-315766(专利文献1)中，公开了如下结构，即图5表示被称为半透射式液晶显示装置的像素部的剖面图，作为反射区域的像素电极而配置有金属反射膜41(在Mo膜上形成Al膜的结构)，另外作为透射区域的像素电极而配置有ITO层42。而且，在专利文献1中，记载有在对半透射式液晶显示装置进行低频驱动的情况下，作为特别容易识别的闪变的对策，有以下结构，如图6所示，在配置于反射区域的反射电极51(Al)的表面涂敷由InZnOx(以氧化铟(In2O3)和氧化锌(ZnO)为主要成分的氧化物、功函数约4.8eV)构成的非晶体透明导电膜52。另外，图6的53是构成透射区域的ITO。而且，一般情况下，铝的功函数为4.06eV，ITO的功函数为4.41eV，因反射区域和透射区域的公共电位偏离了0.4V而产生闪变，为了抑制该闪变的发生，在反射区域也配置ITO以使两者功函数相同，从而消除公共电位的差。作为用于反射电极的金属，经常使用如专利文献1中记载的铝，但是采用铝时，存在与配置在上层的ITO等透明导电膜是否匹配的问题。已知在铝的上层配置有ITO的结构中，导通的同时在铝与ITO的界面形成氧化铝，而且由于在该界面蓄积有电荷而导致产生余像。进而，知道了在这种结构中，不仅存在着产生余像的问题，还由于当铝和ITO的界面不能导通，使ITO不能作为电极发挥作用时，可能会与配置在透射区域的ITO之间产生功函数差的问题。虽然作为其对策可以考虑配置膜厚薄的ITO膜(例如为30μm以下)，但在薄ITO膜中，由于连接晶体管和像素电极的通孔处存在着台阶，有可能切断ITO，因此很难说是有效的对策。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术的目的在于提供一种半透射式液晶显示装置，即使是在半透射式液晶显示装置中采用了在反射区域配置铝并在其上层配置ITO等透明导电膜这种结构的情况下，也能减少余像的发生。根据本专利技术的一个实施方式，一种液晶显示装置，在一个像素内具有透射区域和反射区域，用第一透明导电膜构成透射区域的像素电极，反射区域的像素电极是在高熔点金属上层叠铝，并在该铝上配置第二透明导电膜，反射区域中的第二透明导电膜和高熔点金属在高熔点金属的端部相接触。根据该构成，就能提供减少了余像发生的半透射式液晶显示装置。而且，例如可以考虑钼作为高熔点金属，还可以考虑ITO、IZO或IGO中的任意一种作为第一透明导电膜和第二透明导电膜。在此，虽然将名称区分为第一透明导电膜和第二透明导电膜，但其含义是指配置在透射区域的透明导电膜和配置在反射区域的透明导电膜，可以通过相同工序来形成配置在该透射区域的透明导电膜和配置在反射区域的透明导电膜。详细地表示本实施方式的结构，液晶显示装置具有一基板、另一基板以及在该一基板和另一基板之间被夹持的液晶，一个像素对应于由配置在一基板上的多条扫描信号线和与该多条扫描信号线交叉配置的多条图像信号线所包围的区域，在一个像素中具有连接在扫描信号线上的开关元件(例如薄膜晶体管)、配置在该开关元件上的无机绝缘膜和配置在该无机绝缘膜上的有机保护膜，高熔点金属通过形成在有机保护膜和无机绝缘膜上的接触孔与开关元件连接。该高熔点金属在反射区域和透射区域接触的端部也与透射区域的第一透明导电膜相连接。根据本专利技术的另一实施方式，一种液晶显示装置，在一个像素内具有透射区域和反射区域，用第一透明导电膜构成透射区域的像素电极，反射区域的像素电极是在高熔点金属上层叠铝，并在该铝上配置氮化铝，且在该氮化铝上配置第二透明导电膜，反射区域中的第二透明导电膜和高熔点金属在高熔点金属的端部相接触。而且，例如可以考虑钼作为高熔点金属，还可以考虑ITO、IZO或IGO中的任意一种作为第一透明导电膜和第二透明导电膜。在此，虽然将名称区分为第一透明导电膜和第二透明导电膜，但其含义是指配置在透射区域的透明导电膜和配置在反射区域的透明导电膜，可以通过相同工序来形成配置在该透射区域的透明导电膜和配置在反射区域的透明导电膜。详细地表示本实施例的结构，液晶显示装置具有一基板、另一基板以及在该一基板和另一基板之间被夹持的液晶，一个像素对应于由配置在一基板上的多条扫描信号线和与该多条扫描信号线交叉配置的多条图像信号线所包围的区域，在一个像素中具有连接在扫描信号线上的开关元件(例如薄膜晶体管)、配置在该开关元件上的无机绝缘膜和配置在该无机绝缘膜上的有机保护膜，高熔点金属通过形成在有机保护膜和无机绝缘膜上的接触孔与开关元件连接。该高熔点金属在反射区域和透射区域接触的端部也与透射区域的第一透明导电膜相连接。根据本专利技术，通过该结构就能提供减少了余像发生的半透射式液晶显示装置。附图说明图1是表示本专利技术的半透射式液晶显示装置结构的图。图2是图1中的A-A′剖面图。图3是表示本专利技术的另一实施例的图。图4是表示本专利技术的又一实施例的图。图5是表示现有技术中的半透射式液晶显示装置结构的图。图6是表示现有技术中的半透射式液晶显示装置结构的图。具体实施例方式下面，参照实施例的附图来详细说明本专利技术的实施例。(实施例1)图1是表示本专利技术的半透射式液晶显示装置结构的图。在基板11上配置有多条扫描布线12和与该多条扫描布线12交叉地配置的多条信号布线13。而且，对应于由该扫描布线12和信号布线13所围成的区域而构成像素。另外，在由多个像素形成的显示区域的外侧配置有控制该扫描布线12的驱动的扫描驱动电路14，在显示区域的外侧配置有控制该信号布线13的驱动的信号驱动电路15。而且，该扫描驱动电路14既可以由一个半导体元件构成，也可以由多个半导体元件构成。对于信号驱动电路15也是同样。而且，还可以用一个半导体元件构成扫描驱动电路14和信号驱动电路15。在各像素中，对应于扫描布线12和信号布线13的交叉部而配置有薄膜晶体管(以后称为TFT)等开关元件16，在该开关元件16上连接有反射区域17的像素电极，而且在该反射区域17的像素电极上连接有透射区域18的像素电极。另外，由于基板11是像这样配置地作为开关元件的TFT的基板，所以有时也称作TFT基板。图2是图1中的A-A′剖面图。虽然未图示，但其结构是在图2的液晶显示板的下侧配置有背光源装置，使背光源的光从透射区域18的下侧透射进来的结构。在图2的基板11上配置有构成透射区域18的ITO等第一透明导电膜291。而且，该第一透明导电膜291在透射区域18与反射区域17的边界部31被配置得宛如行进到反射区域17一侧配置的高熔点金属27之上。在基板11上的反射区域17配置有薄膜晶体管16，该薄膜晶体管16由连接着扫描布线12的栅极电极20、配置在栅极电极20上的栅极绝缘膜21、配置在栅极绝缘膜21上的半导体层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示装置，其中：在一个像素内具有透射区域和反射区域，用第一透明导电膜构成上述透射区域的像素电极，上述反射区域的像素电极是在高熔点金属上层叠铝或铝合金，并在该铝或铝合金上配置第二透明导电膜，上述反射区域中的上述第二透明导电膜和上述高熔点金属在该高熔点金属的端部相接触。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金子寿辉，松浦利幸，
申请(专利权)人：株式会社日立显示器，
类型：发明
国别省市：JP[日本]