本发明专利技术的电致发光显示装置的缺陷检查方法，使用于控制向ＥＬ元件供给的驱动电流的元件驱动晶体管在其线性区域动作，基于使ＥＬ元件为发光程度时的发光亮度或阴极电流，检测由ＥＬ元件的短路引起的灭点缺陷。在该灭点缺陷之前，通过向ＥＬ元件的阳极与阴极之间施加反向偏压，从而使灭点缺陷明显化。由此，防止在后面阶段灭点缺陷消失而不能进行激光修复等，从而提高检查和修正效率。另外，使元件驱动晶体管在其饱和区域动作，基于使ＥＬ元件为发光程度时的阴极电流或发光亮度，检测由元件驱动晶体管的特性偏差引起的暗点缺陷。由此，能高精度地检测并修正ＥＬ显示装置的显示缺陷。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及各像素中具有电致发光元件的显示装置的电致发光元件 所引起的缺陷、或驱动电致发光元件的晶体管所引起的缺陷的检査。
技术介绍
在各像素的显示元件中采用了作为自发光元件的电致发光元件(以下称为EL元件)的EL显示装置，作为下一代平面显示装置而被期待，正 在进行研究开发。这种EL显示装置，在作成了于玻璃或塑料等的基板上形成EL元件 以及按每个像素驱动该EL元件用的薄膜晶体管(TFT)等的EL面板之后， 经过几次检査，作为产品出厂。在目前的EL显示装置中，成品率的提高 非常重要，在要求EL元件和TFT等的制造工序的改良和材料的改良等的 同时，还要求实现检査工序中的效率化。专利文献1:特开2005-149768号专利文献2:特开2005-149769号在对目前的EL显示装置进行的检查中，例如，使其显示分别针对RGB 的光栅图像或单像管图形(monoscopepattern,乇乂7〕八°夕一>0，来检 查显示缺陷等的不良项目。作为不良项目，包括显示不均、灭点、亮点等。对于亮点而言，大多因相应像素电路的短路等引起，在该情况下，采 用通过激光照射等使像素电路绝缘化而灭点化等方法。另一方面，对于显示不均(DIM)和灭点而言，逐渐发现存在各种原 因。在表面上是同样的显示缺陷但其产生原因不同的情况下，需要确定其 原因后进行与原因相应的修正。但是，尚未确立与产生原因相应的有效的 检查方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，正确且高效地进行EL显示装置的缺陷检查。 本专利技术是一种电致发光显示装置的缺陷检查方法，所述显示装置在各 像素中包括电致发光元件；和元件驱动晶体管，其与该电致发光元件连 接，用于控制该电致发光元件中流动的电流，向各像素供给使所述电致发 光元件为发光程度的检査用导通显示信号，并且，使所述元件驱动晶体管 在该晶体管的线性区域动作，检测所述电致发光元件的特性，基于该特性 检测灭点缺陷，在执行所述灭点缺陷的检测之前，向各像素的所述电致发 光元件施加反向偏压，使所述灭点缺陷明显化。本专利技术的另一方式是电致发光显示装置的缺陷修正方法，对根据上述 缺陷检査方法检测到所述灭点缺陷的像素，向该像素的所述电致发光元件 的阳极与阴极的短路区域选择性照射激光，执行切断该短路区域的电流路 径的激光修正。。本专利技术的另一方式是电致发光显示装置的制造方法，所述显示装置在 各像素中包括电致发光元件；和元件驱动晶体管，其与该电致发光元件 连接，用于控制该电致发光元件中流动的电流，作为一次检查，将各像素 的所述电致发光元件控制为发光状态，并将所述电致发光元件的发光亮度 相当于小于基准值的像素检测为灭点缺陷，对通过所述一次检测而检测到 所述灭点缺陷的所述电致发光显示装置，向各像素的所述电致发光元件施 加反向偏压，使所述灭点缺陷明显化，在执行所述灭点缺陷的明显化之后， 作为二次检査，向所述显示装置的各像素供给使所述电致发光元件为发光 程度的检査用导通显示信号，并且，使所述元件驱动晶体管在该晶体管的 线性区域动作，检测所述电致发光元件的特性，基于该特性检测灭点缺陷， 对在所述二次检查中检测到所述灭点缺陷的像素，向该像素的所述电致发 光元件的阳极与阴极的短路区域选择性照射激光，执行切断该短路区域的 电流路径的激光修正。本专利技术的另一方式在上述制造方法中，用于使所述灭点缺陷明显化的 处理，在所述一次检査中检测到的灭点缺陷像素数为规定数以上时执行。本专利技术的另一方式在上述制造方法中，用于使所述灭点缺陷明显化的 处理和所述二次检查，在针对所述显示装置的老化处理之后执行。本专利技术的另一方式在上述缺陷检查方法、缺陷修正方法或制造方法 中，在检测所述灭点缺陷时，检测的所述电致发光元件的特性是该电致发 光元件的发光亮度，将检测到的所述发光亮度在基准值以下的像素检测为 灭点缺陷。或者，在检测所述灭点缺陷时，所述检测的所述电致发光元件的特性 是所述电致发光元件的阴极电流，当所述阴极电流比基准值大时，将该像 素判定为灭点缺陷像素。在本专利技术的另一方式中，上述检测的电致发光元件的阴极电流是供 给使所述电致发光元件为不发光程度的检査用截止显示信号和使所述电 致发光元件为发光程度的检查用导通显示信号时的、所述检查用截止显示 信号所对应的所述电致发光元件的阴极电流与所述检査用导通显示信号 所对应的所述电致发光元件的阴极电流的导通截止电流差，将检测出的所 述导通截止电流差与基准值比较，当该导通截止电流差比所述基准值大 时，将该像素判定为所述灭点缺陷。本专利技术的另 一方式在上述显示装置的制造方法中，向各像素供给使所 述电致发光元件为发光程度的检查用导通显示信号，并且，使所述元件驱 动晶体管在该晶体管的饱和区域动作，检测所述电致发光元件的特性，基 于该检测出的特性检测暗点缺陷。本专利技术的另一方式在上述显示装置的制造方法中，对检测到所述暗点 缺陷的像素，在向该像素的所述元件驱动晶体管施加了规定偏压的状态下 照射紫外线光，对所述元件驱动型晶体管的电流供给特性的偏差进行修 正。(专利技术效果)根据本专利技术者的研究可明确，当使设置在各像素中的、对EL元件进 行驱动的元件驱动晶体管在线性区域动作，并使EL元件发光时，若EL 元件中发生短路，则可观察到不发光像素即灭点，并且与未发生短路时的 正常情况相比，该EL元件中流动的电流值大。另外，当使元件驱动晶体 管在饱和区域动作，并使EL元件发光时，在发生了上述EL元件的短路 以及TFT的特性变动的情况下，该像素变为异常显示(发光亮度比正常时 低或不发光)。可明确此时的EL元件中流动的电流值比正常时小。因此，如本专利技术所述，使元件驱动晶体管在线性区域动作，通过观察EL元件或对EL元件的阴极电流值进行测定，可高精度地检测由EL元件 的短路引起的沃点缺陷。另外，EL元件的短路引起的上述灭点缺陷，在向该EL元件施加了正 向偏压时(使EL元件为发光状态)，发生或不发生短路状态的不稳定性通 过本专利技术者的研究可以明确。因此，即使在一次检查等中检测到灭点缺陷， 在对该缺陷进行修正时也可能无法确认灭点缺陷而不能进行修正。另外， 在一次检查等中未检测到缺陷，也可能在后面阶段产生灭点缺陷。对此， 如本专利技术所述，通过在检查灭点缺陷之前，预先向EL元件施加反向偏压， 从而能稳定地使灭点缺陷明显化。在本专利技术中，在该明显化处理之后，通 过进行灭点缺陷的检测处理，能可靠地检测灭点缺陷。进而，除灭点缺陷的检查之外，使元件驱动晶体管在饱和区域动作， 检测EL元件的发光亮度或阴极电流，由此可检测由元件驱动晶体管的特 性偏差引起的暗点缺陷。另外，由于根据检査结果能立即确定缺陷的产生原因，因此将显示装 置送到与原因对应的适当的修正工序中，可提高修正效率。进而，在使元件驱动晶体管在线性区域或饱和区域动作的情况下，对 EL元件供给检査用的截止显示信号和导通显示信号，通过测定施加各信 号时的阴极电流值，可将与截止显示信号对应的阴极电流值作为基准，检 测与导通显示信号对应的阴极电流值，从而易于高速地执行利用了缺陷检 测装置的缺陷自动判定。附图说明图1是说明本专利技术实施方式的EL显示装置的概略电路构成的等效电 路图2是说明本专利技术实施方式的灭点显示缺陷像素的特性的图； 图3是说明本专利技术实施方式的暗点(DI本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电致发光显示装置的缺陷检查方法， 所述显示装置在各像素中包括：电致发光元件；和元件驱动晶体管，其与该电致发光元件连接，用于控制该电致发光元件中流动的电流， 向各像素供给使所述电致发光元件为发光程度的检查用导通显示信号，并且，使所述元件驱动晶体管在该晶体管的线性区域动作，检测所述电致发光元件的特性，基于该特性检测灭点缺陷， 在执行所述灭点缺陷的检测之前，向各像素的所述电致发光元件施加反向偏压，使所述灭点缺陷明显化。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：小川隆司，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，三洋半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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