一种直拉单晶装料方法技术

本发明专利技术公开了一种直拉单晶装料方法，首先在石英坩埚底部先装填小料，形成80

【技术实现步骤摘要】
引入片状硅料封堵坩埚顶部减少热量损失避免低温氩气进入硅料间隙带走热量实现加 快化料速度的目的。
附图说明
[0018]下面结合附图和具体实施方式对本专利技术做更进一步的具体说明，本专利技术的上述和/ 或其他方面的优点将会变得更加清楚。
[0019]图1是本专利技术采用直拉单晶装料工艺的原理图。
[0020]图2是本专利技术采用直拉单晶装料后的化料状态图。
[0021]图3是采用传统装料工艺的化料状态图。
[0022]其中，各附图标记分别代表：1小料底层；2大小料复合层；3大料围合层；4小 料填充层；5片状料覆盖层；6石英坩埚；7埚帮；8加热器；9石墨埚底；10导流筒； 11氩气。
具体实施方式
[0023]根据下述实施例，可以更好地理解本专利技术。
[0024]如图1所示，本专利技术直拉单晶装料工艺将不同形状的硅料进行区域化配置，具体 步骤如下：
[0025]首先，在石英坩埚底部装填小料，形成80
‑
120mm厚度的小料底层1。
[0026]随后，在小料底层1上部，依次堆叠大料，并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直拉单晶装料方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：在石英坩埚底部先装填小料，形成80
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120mm厚度的小料底层(1)；S2：在小料底层(1)上部，依次堆叠大料，并每堆叠一层大料时，再用小料填充大料的间隙，直至填充至坩埚高度的2/3，形成大小料复合层(2)；S3：在大小料复合层(2)的上方外围，紧贴坩埚内壁铺设大料，形成大料围合层(3)，同时在大料围合层(3)中间填充小料，形成小料填充层(4)，直至距离石英坩埚顶部50
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60mm；S4：在大料围合层(3)和小料填充层(4)上部平铺两层以上的片状原料，形成片状料覆盖层(5)。2.根据权利要求1所述的直拉单晶装料方法，其特征在于，所述的小料为不规则形状，线性直径≤40mm。3.根据权利要求1所述的直拉单晶装料方法，其特征在于，所述的大料为不规则形状，线性直径在40
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑伟扬，
申请(专利权)人：宁夏协鑫晶体科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：