石英玻璃坩埚、及使用该石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法、石英玻璃坩埚的红外线透射率测定方法及制造方法技术

本发明专利技术提供一种能够提高氧浓度低的单晶硅的制造成品率的石英玻璃坩埚。本发明专利技术的石英玻璃坩埚(1)具有圆筒状的侧壁部(10a)、底部(10b)、以及连接侧壁部(10a)与底部(10b)的角部(10c)，所述石英玻璃坩埚(1)具备：透明层(11)，由不含气泡的石英玻璃构成；气泡层(12)，形成在透明层(11)的外侧，由包含多个气泡的石英玻璃构成；以及半熔融层(13)，形成在气泡层12的外侧，原料二氧化硅粉在半熔融的状态下凝固而成。去除半熔融层(13)的状态下的角部(10c)的红外线透射率为25～51％，去除半熔融层(13)的状态下的角部(10c)的红外线透射率比侧壁部(10a)的红外线透射率低，去除半熔融层(13)的状态下的侧壁部(10a)的红外线透射率比底部(10b)的红外线透射率低。底部(10b)的红外线透射率低。底部(10b)的红外线透射率低。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】石英玻璃坩埚、及使用该石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法、石英玻璃坩埚的红外线透射率测定方法及制造方法


[0001]本专利技术涉及一种利用提拉法(CZ法)的单晶硅制造中所使用的石英玻璃坩埚、及使用该石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法。并且，本专利技术涉及一种这样的石英玻璃坩埚的红外线透射率评价方法及使用该评价方法的石英玻璃坩埚的制造方法。

技术介绍

[0002]利用CZ法的单晶硅制造中使用石英玻璃坩埚。CZ法中，在石英玻璃坩埚内加热熔融硅原料，在该硅熔液中浸泡籽晶，一边旋转坩埚，一边慢慢提拉籽晶，培育单晶。为了以低成本制造半导体器件用的高品质单晶硅，需要在一次提拉工序中提高单晶化率，因此需要能够稳定地保持硅熔液，且能够承受长时间使用的形状稳定的坩埚。
[0003]关于石英玻璃坩埚，专利文献1中记载有，为了提拉单晶化率高且氧溶入量多的单晶硅，包含坩埚的侧壁部、弯曲部及底部中的任意部位的红外线透射率为30～80％，弯曲部的平均红外线透射率比侧壁部及底部的平均红外线透射率大的石英玻璃坩埚。并且，专利文献1中记载有，坩埚的红外线透射率根据表面粗糙度也不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种石英玻璃坩埚，其具有圆筒状的侧壁部、底部以及连接所述侧壁部与所述底部的角部，所述石英玻璃坩埚特征在于，具备：透明层，由不含气泡的石英玻璃构成；气泡层，形成在所述透明层的外侧，由包含多个气泡的石英玻璃构成；以及半熔融层，形成在所述气泡层的外侧，原料二氧化硅粉在半熔融的状态下凝固而成，去除所述半熔融层的状态下的所述角部的红外线透射率为25～51％，去除所述半熔融层的状态下的所述角部的红外线透射率比去除所述半熔融层的状态下的所述侧壁部的红外线透射率低，去除所述半熔融层的状态下的所述角部的红外线透射率比去除所述半熔融层的状态下的所述底部的红外线透射率低。2.根据权利要求1所述的石英玻璃坩埚，其中，去除所述半熔融层的状态下的所述侧壁部的红外线透射率比去除所述半熔融层的状态下的所述底部的红外线透射率高。3.根据权利要求1或2所述的石英玻璃坩埚，其中，去除所述半熔融层的状态下的所述侧壁部的红外线透射率为46～84％，去除所述半熔融层的状态下的所述底部的红外线透射率为36～70％。4.根据权利要求1至3中任一项所述的石英玻璃坩埚，其中，去除所述半熔融层的状态下的所述角部的导热系数为1.5
×
103～5.8
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103cal/cm
·
s
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℃，去除所述半熔融层的状态下的所述角部的导热系数比去除所述半熔融层的状态下的所述侧壁部的导热系数低；去除所述半熔融层的状态下的所述角部的导热系数比去除所述半熔融层的状态下的所述底部的导热系数低。5.根据权利要求4所述的石英玻璃坩埚，其中，去除所述半熔融层的状态下的所述侧壁部的导热系数为3.5
×
10
‑3～15.0
×
10
‑3cal/cm
·
s
·
℃，去除所述半熔融层的状态下的所述底部的导热系数为2.7
×
10
‑3～13.2
×
10
‑3cal/cm
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s
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℃。6.根据权利要求1至5中任一项所述的石英玻璃坩埚，其中，所述角部的所述气泡层厚度为10～35mm，所述侧壁部的所述气泡层厚度为1～21mm，所述底部的所述气泡层厚度为4～21mm。7.一种单晶硅的制造方法，其为利用提拉法的单晶硅制造方法，所述单晶硅的制造方法的特征在于，使用权利要求1至6中任一项所述的石英玻璃坩埚，提拉具有12
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10
17
atoms/c...

【专利技术属性】
技术研发人员：北原贤，福井正德，岸弘史，片野智一，北原江梨子，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：