排气装置及半导体设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种排气装置，用于连接半导体设备中的工艺腔室和排气管路，排气装置包括排气腔体、加热组件和阻挡部件，排气腔体两端分别设有进气口和排气口，进气口能够与工艺腔室连通，排气口能够与排气管路连通，阻挡部件设置在排气腔体内，且阻挡部件位于进气口和排气口之间，用于对流经排气腔体的部分气体进行阻挡；加热组件与阻挡部件连接，用于对阻挡部件进行加热，以对流经排气腔体的气体进行加热。本发明专利技术提供的排气装置及半导体设备，能够降低半导体工艺中晶圆受污染的概率，改善半导体工艺结果，提高产品良率。提高产品良率。提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
排气装置及半导体设备


[0001]本专利技术涉及半导体设备
，具体地，涉及一种排气装置及半导体设备。

技术介绍

[0002]硅外延工艺是指通过化学气相沉积的方法，在硅片的表面沉积一层单晶硅。在硅外延工艺中，沉积在硅片表面上的硅原子通常来自于例如硅烷(SiH4)、二氯氢硅(SiH2Cl2)、三氯氢硅(SiHCl3)和四氯硅烷(SiCl4)等硅源气体在高温下的分解或还原。
[0003]但沉积在工艺腔室内的硅原子不到硅源气体总量的1％，大量未沉积的硅原子会随未分解的硅源气体及携带气体从排气管路排出，而随着排气管路的温度的降低，排出的气体中的含硅组分会在排气管路中冷凝结垢形成颗粒，沉积在排气管路中。当工艺腔室内的压力发生波动时，排气管路中的沉积物有可能会随压力波动产生的气流回流至工艺腔室内，对工艺腔室内的硅片造成污染。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种排气装置及半导体设备，其能够降低半导体工艺中晶圆受污染的概率，改善半导体工艺结果，提高产品良率。
[0005]为实现本专利技术的目的而提供一种排气装置，用于连接半导体设备中的工艺腔室和排气管路，所述排气装置包括排气腔体、加热组件和阻挡部件，所述排气腔体两端分别设有进气口和排气口，所述进气口能够与所述工艺腔室连通，所述排气口能够与所述排气管路连通；所述阻挡部件设置在所述排气腔体内，且所述阻挡部件位于所述进气口和所述排气口之间，用于对流经所述排气腔体的部分气体进行阻挡；
[0006]所述加热组件与所述阻挡部件连接，用于对所述阻挡部件进行加热，以对流经所述排气腔体的气体进行加热。
[0007]可选的，所述进气口设置在所述排气腔体的侧壁上，所述排气口设置在所述排气腔体的底壁上；
[0008]所述阻挡部件包括挡板，所述挡板设置在所述排气腔体的顶壁上，并位于所述进气口与所述排气口之间，且所述挡板与所述排气腔体的内壁之间具有间隙。
[0009]可选的，所述排气腔体的顶壁上设置有安装口；
[0010]所述排气装置还包括密封连接部件，所述密封连接部件与所述挡板连接，所述密封连接部件密封覆盖在所述安装口外，所述挡板通过所述安装口伸入所述排气腔体内。
[0011]可选的，所述密封连接部件包括连接板，所述连接板密封覆盖在所述安装口外，并与所述排气腔体可拆卸的连接；所述挡板与所述连接板连接；
[0012]所述连接板上设置第一通孔，所述加热组件通过所述第一通孔与所述挡板连接，且所述加热组件与所述第一通孔之间密封设置。
[0013]可选的，所述加热组件包括两个电极部件，所述第一通孔和所述电极部件一一对
应设置，且绝缘密封连接；所述挡板为导电材质，两个所述电极部件的一端分别穿过所述第一通孔并与所述挡板连接，两个所述电极部件的另一端用于和电源连接，形成电连接通路，通过用于向所述挡板加载电流，以对所述挡板进行加热。
[0014]可选的，所述密封连接部件还包括环状密封垫，所述排气腔体和所述连接板的外壁相对的一侧面上分别设置有第一环状凸块和第二环状凸块，所述环状密封垫夹设于所述第一环状凸块与第二环状凸块之间，且所述环状密封垫环绕于所述安装口外侧。
[0015]可选的，所述第一环状凸块的与所述第二环状凸块相对的一端具有第一尖端，第二环状凸块的与所述第一环状凸块相对的一端具有第二尖端，所述环状密封垫为无氧铜材质。
[0016]可选的，所述加热组件还包括测温部件，所述连接板还设置有供所述测温部件穿过的第二通孔，所述测温部件穿过所述第二通孔与所述挡板接触，用于对所述挡板的温度进行检测；且所述测温部件和所述第二通孔绝缘密封连接。
[0017]可选的，所述电极部件通过第一环状绝缘件与所述第一通孔绝缘密封连接；所述第一环状绝缘件为氧化铝或氧化锆材质。
[0018]可选的，所述测温部件通过第二环状绝缘件与所述第二通孔绝缘密封连接；所述第二环状绝缘件为氧化铝或氧化锆材质。
[0019]可选的，所述密封连接部件还包括螺栓和与所述螺栓螺纹配合的螺母，所述螺栓固定设置在所述排气腔体上，所述连接板上设置有供所述螺栓穿过的第三通孔，所述螺栓穿过所述第三通孔并与所述螺母螺纹配合，将所述连接板与所述排气腔体连接。
[0020]本专利技术还提供一种半导体设备，包括工艺腔室和排气管路，所述半导体设备还包括如本专利技术提供的所述排气装置，所述排气装置分别与所述工艺腔室和所述排气管路连通，用于将自所述工艺腔室排出的气体引流至所述排气管路内。
[0021]本专利技术具有以下有益效果：
[0022]本专利技术提供的排气装置，借助设置在排气腔体内，且位于能够与工艺腔室连通的进气口和能够与排气管路连通的排气口之间的阻挡部件，对流经排气腔体的部分气体进行阻挡，一方面可以使自工艺腔室排出的气体能够顺利的流向排气管路，另一方面可以在排气管路中的沉积物自排气管路向工艺腔室回流的过程中，对回流的沉积物进行阻挡，并且，借助加热组件对阻挡部件进行加热，以对流经排气腔体的气体进行加热，从而能够对自工艺腔室排出流向排气管路的气体进行加热，这样一方面可以增加该气体冷凝沉积在排气管路中的位置与工艺腔室之间的距离，另一方面可以避免该气体冷凝沉积在阻挡部件上，从而借助阻挡部件和加热组件能够降低沉积物回流至工艺腔室中的概率，进而能够降低半导体工艺中晶圆受污染的概率，改善半导体工艺结果，提高产品良率。
[0023]本专利技术提供的半导体设备，借助本专利技术提供的排气装置将自工艺腔室排出的气体引流至排气管路内，以能够降低半导体工艺中晶圆受污染的概率，改善半导体工艺结果，提高产品良率。
附图说明
[0024]图1为本专利技术实施例提供的半导体设备的结构示意图；
[0025]图2为本专利技术实施例提供的排气装置的密封连接部件与排气腔体连接的结构示意
图；
[0026]图3为本专利技术实施例提供的排气装置的结构示意图；
[0027]图4为本专利技术实施例提供的排气装置的阻挡部件及加热组件的结构示意图；
[0028]图5为本专利技术实施例提供的排气装置的连接板及加热组件的结
[0029]构示意图
[0030]附图标记说明：
[0031]1‑
排气装置；11
‑
排气腔体；111
‑
进气口；112
‑
排气口；113
‑
安装口；12
‑
挡板；131
‑
电极部件；132
‑
第一环状绝缘件；14
‑
连接板；141
‑
第三通孔；151
‑
第一环状凸块；152
‑
第二环状凸块；153
‑
环状密封垫；161
‑
测温部件；162
‑
第二环状绝缘件；17
‑
螺栓；21
‑
工艺腔室；22
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种排气装置，用于连接半导体设备中的工艺腔室和排气管路，其特征在于，所述排气装置包括排气腔体、加热组件和阻挡部件，所述排气腔体两端分别设有进气口和排气口，所述进气口能够与所述工艺腔室连通，所述排气口能够与所述排气管路连通；所述阻挡部件设置在所述排气腔体内，且所述阻挡部件位于所述进气口和所述排气口之间，用于对流经所述排气腔体的部分气体进行阻挡；所述加热组件与所述阻挡部件连接，用于对所述阻挡部件进行加热，以对流经所述排气腔体的气体进行加热。2.根据权利要求1所述的排气装置，其特征在于，所述进气口设置在所述排气腔体的侧壁上，所述排气口设置在所述排气腔体的底壁上；所述阻挡部件包括挡板，所述挡板设置在所述排气腔体的顶壁上，并位于所述进气口与所述排气口之间，且所述挡板与所述排气腔体的内壁之间具有间隙。3.根据权利要求2所述的排气装置，其特征在于，所述排气腔体的顶壁上设置有安装口；所述排气装置还包括密封连接部件，所述密封连接部件与所述挡板连接，所述密封连接部件密封覆盖在所述安装口外，所述挡板通过所述安装口伸入所述排气腔体内。4.根据权利要求3所述的排气装置，其特征在于，所述密封连接部件包括连接板，所述连接板密封覆盖在所述安装口外，并与所述排气腔体可拆卸的连接；所述挡板与所述连接板连接；所述连接板上设置第一通孔，所述加热组件通过所述第一通孔与所述挡板连接，且所述加热组件与所述第一通孔之间密封设置。5.根据权利要求4所述的排气装置，其特征在于，所述加热组件包括两个电极部件，所述第一通孔和所述电极部件一一对应设置，且绝缘密封连接；所述挡板为导电材质，两个所述电极部件的一端分别穿过所述第一通孔并与所述挡板连接，两个所述电极部件的另一端用于和电源连接，形成电连接通路，通过用于向所述挡板加载电流，以对所述挡板进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏振军，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：