半导体存储装置制造方法及图纸

实施方式提供能够简化芯片选择的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含从存储器控制器接受第1信号的第1垫、从所述存储器控制器接受芯片使能信号的第2垫、以及第1控制电路。所述第1控制电路构成为：当在所述芯片使能信号被生效后接收读取指令顺序时，在所述芯片使能信号被生效的同时或之后且开始接收所述读取指令顺序之前，根据输入到所述第1垫的所述第1信号是否与芯片地址一致来将所述半导体存储装置设为使能状态或非使能状态。体存储装置设为使能状态或非使能状态。体存储装置设为使能状态或非使能状态。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置


[0001]实施方式涉及一种半导体存储装置。

技术介绍

[0002]作为能够非易失地存储数据的半导体存储装置，已知有NAND(与非)型闪速存储器。

技术实现思路

[0003]实施方式提供能够简化芯片选择的半导体存储装置。
[0004]实施方式的半导体存储装置包含从存储器控制器接受第1信号的第1垫(pad)、从所述存储器控制器接受芯片使能信号的第2垫、以及第1控制电路。所述第1控制电路构成为：当在所述芯片使能信号被生效(assert)后接收读取指令顺序时，在所述芯片使能信号被生效的同时或之后且开始接收所述读取指令顺序之前，根据输入到所述第1垫的所述第1信号是否与芯片地址一致来将所述半导体存储装置设为使能(enable)状态或非使能(disable)状态。
附图说明
[0005]图1是用于说明第1实施方式的存储器系统的构成的框图。
[0006]图2是用于说明第1实施方式的NAND控制器及NAND闪速存储器的构成的框图。
[0007]图3是用于说明第1实施方式的NAND闪速存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：第1垫，从存储器控制器接受第1信号；第2垫，从所述存储器控制器接受芯片使能信号；以及第1控制电路；且所述第1控制电路构成为：在所述芯片使能信号被生效后接收读取指令顺序的情形时，在所述芯片使能信号被生效的同时或之后且开始接收所述读取指令顺序之前，根据输入到所述第1垫的所述第1信号是否与芯片地址一致来将所述半导体存储装置设为使能状态或非使能状态。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第1控制电路构成为：在所述芯片使能信号被生效时，进行输入到所述第1垫的第1信号是否与所述第1芯片地址一致的判定。3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第1控制电路构成为：在所述芯片使能信号被生效后，被输入到所述第1垫的第1信号是否与所述第1芯片地址一致的判定。4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于还具有第1输入驱动器，该第1输入驱动器构成为：从所述第1垫接受所述第1信号并输出第1内部信号，所述第1控制电路回應所述芯片使能信号被生效，开始向所述第1输入驱动器的电源供给，所述第1输入驱动器是在向所述第1输入驱动器的电源供给开始后，开始所述第1内部信号的输出。5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于：当所述半导体存储装置处于所述非使能状态时，停止向所述第1输入驱动器的电源供给。6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第1信号包含DQ信号。7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第1信号包含由地址锁存使能信号、指令锁存使能信号、写入使能信号、及写入保护信号所构成的群中的至少一个。8.一种半导体存储装置，其特征在于包括：第1存储器芯片，包含：第1垫，从存储器控制器接受第1信号：第2垫，从所述存储器控制器接受芯片使能信号；及第1控制电路；以及第2存储器芯片，包含：第3垫，从所述存储器控制器接受所述第1信号；第4垫，从所述存储器控制器接受所述芯片使能信号的；及第2控制电路；且构成为：在通過所述存储器控制器使所述芯片使能信号生效后接收读取指令顺序的情形时，所述第1控制电路是在所述芯片使能信号被生效之后且开始接收所述读取指令顺序之前，根据输入到所述第1垫的所述第1信号是否与第1芯片地址一致，而将所述第1存储器芯片设为使能状态或非使能状态，所述第2控制电路是在所述芯片使能信号被生效之后且开始接收所述读取指令顺序之
前，根据输入到所述第3垫的所述第1信号是否与第2芯片地址一致，而将所述第2存储器...

【专利技术属性】
技术研发人员：内海哲章，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：