【技术实现步骤摘要】
具有宽传感裕度的差动传感装置
[0001]本专利技术关于差动传感装置,特别是一种具有宽传感裕度(margin)的差动传感装置。
技术介绍
[0002]电阻式随机存取内存(ReRAM)由于低功耗及高速的特性而被广泛采用。通常,ReRAM单元可包含储存组件,当施加适当的高压时,储存组件的电阻会改变。例如,储存组件可包含过渡金属氧化物(transition metal oxide,TMO),当施加适当的高压时,过渡金属氧化物的电阻会减小。因此,可通过施加高电压来对储存组件进行编程,且可依据储存组件的电阻来读取储存在ReRAM单元中的数据。
[0003]在现有技术中,通常需要使用精确的参考电流来读取储存在ReRAM单元中的数据。然而不同存储单元的物理特性不同,因此很难使用同一个准确的参考电流来读取所有不同的存储单元。此外,若使用不合适的参考电流,则读取裕度会很小,较小的读取裕度会减慢读取过程,影响ReRAM的效率。
技术实现思路
[0004]本专利技术是有关于一种差动传感装置,包含第一参考单元、第二参考单元、第一路径选择器、第二路径选择器、第三路径选择器、第四路径选择器、第一取样电路、第二取样电路、第三取样电路及第四取样电路。第一参考单元用以提供第一参考电流。第二参考单元用以提供第二参考电流。第一路径选择器耦接于第一传感节点、第二参考单元及第一存储单元。第二路径选择器耦接于第二传感节点、第一参考单元及第一存储单元。第三路径选择器耦接于第三传感节点、第一参考单元及第二存储单元。第四路径选择器耦接于第四传 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种差动传感装置,其特征在于,包含:一第一取样电路,耦接于该第一传感节点,用以在一取样操作期间取样由该第一存储单元产生的一第一单元电流;一第二取样电路,耦接于该第二传感节点,用以在该取样操作期间取样该第一参考电流;一第三取样电路,耦接于该第三传感节点,用以在该取样操作期间取样由该第二存储单元产生的一第二单元电流;及一第四取样电路,耦接于该第四传感节点,用以在该取样操作期间取样该第二参考电流;其中:该第一参考电流小于该第二参考电流;及在一竞争(race)操作中:该第一传感节点的一电压依据该第一单元电流及该第二参考电流之间的一竞争而稳定;该第二传感节点的一电压依据该第一参考电流及该第一单元电流之间的一竞争而稳定;该第三传感节点的一电压依据该第二单元电流及该第一参考电流之间的一竞争而稳定;及该第四传感节点的一电压依据该第二参考电流及该第二单元电流之间的一竞争而稳定。2.根据权利要求1所述的差动传感装置,其特征在于,其中,在该取样操作期间:该第一路径选择器用以在该第一传感节点及该第一存储单元之间形成一电连接;该第二路径选择器用以在该第二传感节点及该第一参考单元之间形成一电连接;该第三路径选择器用以在该第三传感节点及该第二存储单元之间形成一电连接;及该第四路径选择器用以在该第四传感节点及该第二参考单元之间形成一电连接。3.根据权利要求2所述的差动传感装置,其特征在于,其中,在竞争操作期间:该第一路径选择器用以在该第一传感节点及该第二参考单元之间形成一电连接;该第二路径选择器用以在该第二传感节点及该第一存储单元之间形成一电连接;该第三路径选择器用以在该第三传感节点及该第一参考单元之间形成一电连接;及该第四路径选择器用以在该第四传感节点及该第二存储单元之间形成一电连接。4.根据权利要求3所述的差动传感装置,其特征在于,其中,在竞争操作期间:该第一取样电路用以保持该第一单元电流;该第二取样电路用以保持该第一参考电流;该第三取样电路用以保持该第二单元电流;及该第四取样电路用以保持该第二参考电流。5.根据权利要求4所述的差动传感装置,其特征在于,其中,该第一取样电路包含:一第一晶体管,包含一第一端,耦接于一第一电压端,一第二端,耦接于该第一传感节点,及一控制端;一第一电容,具有一第一端,耦接于该第一电压端,一第二端,耦接于该第一晶体管的
该控制端;及一第一开关,具有一第一端,耦接于该第一晶体管的该控制端,一第二端耦接于该第一晶体管的该第二端,及一控制端,用以接收一第一控制信号;其中,该第一开关在该取样操作期间导通,而在该竞争操作期间截止。6.根据权利要求5所述的差动传感装置,其特征在于,其中,该第一晶体管系为P型晶体管。7.根据权利要求1所述的差动传感装置,其特征在于,其中...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨政德,钟承亨,
申请(专利权)人:力旺电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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