一种非对称式绕丝结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种非对称式绕丝结构,包括炉丝，所述炉丝由炉口辅热区炉丝、恒温区炉丝和炉尾辅热区炉丝构成，所述炉口辅热区炉丝、恒温区炉丝以及炉尾辅热区炉丝在轴向分别由多组温区炉丝构成，至少一组温区炉丝由至少两组分区构成，各分区的炉丝非均等分布，通过非均等分布的炉丝控制各分区所在区域的温度，本实用新型专利技术将至少一组温区炉丝细分成至少2个分区，每一分区对炉丝疏密或炉丝的丝径或炉丝的数量进行相应的布局，使硅片组处于优化的温度场，从而实现了硅片组温度的均匀控制，本实用新型专利技术中至少一组的分区至少分成两组组件，组件与微调电路连接，便于对各分区的功率进行微调，实现了硅片组温度的均匀控制。实现了硅片组温度的均匀控制。实现了硅片组温度的均匀控制。

【技术实现步骤摘要】
一种非对称式绕丝结构


[0001]本技术属于光伏领域，涉及一种非对称式绕丝结构。

技术介绍

[0002]电阻炉是制造太阳能电池片的重要核心设备，硅片在炉内进行各种工艺处理时，要求硅片温度尽量均匀，电阻炉是硅片反应的热量来源，故电阻炉内电炉丝的绕制与布局就显得尤为重要。
[0003]电阻炉在制作设计过程中，为了内部热场均匀，现有技术最常用的方法是对炉丝绕制、布局、节距等方面，尽量做到最均匀，然而在生产过程中，由于放在炉内的产品布局不对称，产品与炉丝间的距离差异，各地方的负载本身布置不均匀，炉丝加热后，产品不同部位温度会有明显差异。
[0004]在对产品性能的不断追求中，产品不同部位的温度差异对硅片性能的影响日趋展现出来，常规绕丝结构的热场很难处理这样的问题,本技术有效地解决了这种问题。

技术实现思路

[0005]本技术为了克服现有技术的不足，提供一种非对称式绕丝结构。
[0006]为了实现上述目的，本技术采用以下技术方案：一种非对称式绕丝结构,其特征在于：包括炉丝，所述炉丝由炉口辅热区炉丝、恒温区炉丝和炉尾辅热区炉丝构成，所述炉口辅热区炉丝、恒温区炉丝以及炉尾辅热区炉丝在轴向分别由多组温区炉丝构成，至少一组温区炉丝由至少两组分区构成，各分区的炉丝非均等分布，非均等分布的炉丝控制各分区的功率，功率控制各分区所在区域的温度。
[0007]进一步的；所述炉丝采用横向或/和纵向设置，通过各分区的炉丝疏密或/和各分区的炉丝丝径或/和各分区的炉丝数量将各分区的炉丝非均等分布。
>[0008]进一步的；所述炉口辅热区炉丝、恒温区炉丝和炉尾辅热区炉丝的温区炉丝在圆周方向的分区数量设置为四组，包括上端部、右端部、下端部以及左端部，依据硅片组上部硅片、中部硅片以及下部硅片所在区域的温度设定上端部、右端部、下端部以及左端部各分区的炉丝疏密或/和各分区的炉丝丝径或/和各分区的炉丝数量，上端部控制硅片组上部硅片所在区域的温度，所述下端部控制硅片组下部硅片所在区域的温度，所述右端部以及左端部控制硅片组中部硅片所在区域的温度。
[0009]进一步的；所述炉丝疏密控制功率的大小，炉丝疏密通过各分区相邻的不同炉丝间距数值或/和同一根炉丝的间距数值控制，上端部、下端部、右端部以及左端部由一路或多路电路连接，通过控制各分区炉丝的布局疏密，上端部、右端部、下端部以及左端部所在区域的温度值同步达到设定的温度值。
[0010]进一步的；所述炉丝疏密控制功率的大小，炉丝疏密通过各分区不同炉丝的节距数值或/和同一根炉丝内的节距数值控制，上端部、下端部、右端部以及左端部由一路或多路电路连接，通过控制各分区的炉丝疏密，上端部、右端部、下端部以及左端部所在区域的
温度值同步达到设定的温度值。
[0011]进一步的；各分区的功率正比于各分区硅片和载具的热容分布比例，各分区的炉丝疏密各分区的炉丝数量正比于硅片和载具的热容分布比例，各分区的炉丝丝径反比于硅片和载具的热容分布比例，所述硅片和载具的热容分布比例根据实际生产中载具的形状和材料进行设定，控制各分区所在区域的温度同步达到设定的温度值。
[0012]进一步的；至少一组的所述分区至少分成两组区块，各区块中一部分区块与其他分区电路连接，其余部分与微调电路连接或各区块均与微调电路连接，通过微调电路控制各区块所在区域的温度。
[0013]综上所述，本技术的有益之处在于：
[0014]1)、本技术将炉丝的炉口辅热区炉丝、恒温区炉丝和炉尾辅热区炉丝的温区炉丝进行温度控制，保证了炉内产品整体温度的均匀性，大大提高了控温能力。
[0015]2)、本技术将至少一组温区炉丝细分成至少2个分区，每一分区对炉丝疏密进行相应的布局，使硅片组处于优化的温度场，从而实现了硅片组温度的均匀控制。
[0016]3)、本技术的每一分区对炉丝的丝径进行相应的布局，使硅片组处于优化的温度场，从而实现了硅片组温度的均匀控制。
[0017]4)、本技术的每一分区对炉丝的数量进行相应的布局，使硅片组处于优化的温度场，从而实现了硅片组温度的均匀控制。
[0018]5)、本技术的每一温区内的含有多个分区，便于安装和控制。
[0019]6)、本技术中至少一组的分区至少分成两组区块，区块与微调电路连接，便于对各分区的功率进行微调，实现了硅片组温度的均匀控制。
附图说明
[0020]图1为本技术的硅片组安装示意图。
[0021]图2为本技术实施例一中炉丝横向排布示意图一。
[0022]图3为本技术实施例一中炉丝横向排布示意图二。
[0023]图4为本技术实施例一中炉丝纵向排布示意图一。
[0024]图5为本技术实施例一中炉丝纵向排布示意图二。
[0025]图6为本技术实施例二中炉丝排布示意图一。
[0026]图7为本技术实施例二中炉丝排布示意图二。
[0027]图8为本技术实施例二中炉丝排布示意图三。
[0028]图9为本技术实施例四中炉丝数量排布示意图。
[0029]图中标识：硅片组100、上部硅片101、中部硅片102、下部硅片103、石英管200、炉丝300、炉口辅热区炉丝301、恒温区炉丝302、炉尾辅热区炉丝303、上端部310、右端部320、下端部330、左端部340、一路350、二路360、三路370、上一路380、下一路390、硬质保温棉400、外壳500、载具600、第一区块3101、第二区块3102、第一区311、第二区312、第三区313、第四区314、第五区315、第六区316、第七区317、第八区318、第一轴向区321、第二轴向区322、第三轴向区323、第四轴向区324。
具体实施方式
[0030]以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0031]需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，遂图式中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0032]本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后、横向、纵向
……
)仅用于解释在某一特定姿态下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0033]实施例一：
[0034]如图1
‑
5所示，一种非对称式绕丝结构，包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非对称式绕丝结构,其特征在于：包括炉丝，所述炉丝由炉口辅热区炉丝、恒温区炉丝和炉尾辅热区炉丝构成，所述炉口辅热区炉丝、恒温区炉丝以及炉尾辅热区炉丝在轴向分别由多组温区炉丝构成，至少一组温区炉丝由至少两组分区构成，各分区的炉丝非均等分布，非均等分布的炉丝控制各分区的功率，功率控制各分区所在区域的温度。2.根据权利要求1所述的一种非对称式绕丝结构，其特征在于：所述炉丝采用横向或/和纵向设置，通过各分区的炉丝疏密或/和各分区的炉丝丝径或/和各分区的炉丝数量将各分区的炉丝非均等分布。3.根据权利要求1所述的一种非对称式绕丝结构，其特征在于：所述炉口辅热区炉丝、恒温区炉丝和炉尾辅热区炉丝的温区炉丝在圆周方向的分区数量设置为四组，包括上端部、右端部、下端部以及左端部，依据硅片组上部硅片、中部硅片以及下部硅片所在区域的温度设定上端部、右端部、下端部以及左端部各分区的炉丝疏密或/和各分区的炉丝丝径或/和各分区的炉丝数量，上端部控制硅片组上部硅片所在区域的温度，所述下端部控制硅片组下部硅片所在区域的温度，所述右端部以及左端部控制硅片组中部硅片所在区域的温度。4.根据权利要求2所述的一种非对称式绕丝结构，其特征在于：所述炉丝疏密控制功率的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林佳继，郭永胜，庞爱锁，刘群，张武，林依婷，
申请(专利权)人：深圳市拉普拉斯能源技术有限公司，
类型：新型
国别省市：