晶圆处理机台、晶圆及3DNAND存储器制造技术

本申请提供一种晶圆处理机台、晶圆及3D NAND存储器。所述晶圆处理机台包括基座、吸附装置和阻挡装置。吸附装置设置在基座上，用于吸附晶圆。阻挡装置，其被用于配置出一个隔离区域，该隔离区域用于使晶圆的背面避免与镀膜材料接触。本申请通过在晶圆处理机台上设置阻挡装置，阻挡装置被用于配置出可使晶圆背面避免与镀膜材料接触的隔离区域。在进行镀膜操作时，隔离区域可阻挡气化的镀膜材料蔓延到晶圆背面的区域，因而晶圆的背面不会有膜层的沉积，从而省去清洗晶圆背面的步骤。从而省去清洗晶圆背面的步骤。从而省去清洗晶圆背面的步骤。

【技术实现步骤摘要】
晶圆处理机台、晶圆及3D NAND存储器


[0001]本申请涉及闪存存储器
，具体而言，涉及一种晶圆处理机台、晶圆及3D NAND存储器。

技术介绍

[0002]NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，随着人们追求功耗低、质量轻和性能佳的非易失存储产品，在电子产品中得到了广泛的应用。目前，平面结构的NAND闪存已近实际扩展的极限，为了进一步的提高存储容量，降低每比特的存储成本，提出了3D结构的NAND存储器。3D NAND存储器是通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。
[0003]随着3D NAND层数越来越多，碳膜作为掩膜面临的挑战也越来越高。碳膜形成的品质越高，3D NAND才可得到相对较高的选择比。碳膜大多是用碳氢化合物在真空下高温热分解出的碳沉积在绝缘基体上制成的。然而在高温条件下,chamber(腔室)内的plasma(等离子体)和precursor(前体)反应剧烈，碳不单单沉积在晶圆的正面,晶圆背面和斜面处也都有大量累积聚集，晶圆斜面上的碳可通过蚀刻清除干净,晶圆背面的碳却难以完全清除本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆处理机台，其特征在于，包括：基座；吸附装置，设置在所述基座上，用于吸附晶圆；阻挡装置，其被设置在所述基座和所述晶圆之间，且所述阻挡装置、所述基座、所述晶圆背面形成隔离所述晶圆背面的隔离区域；所述晶圆背面为所述晶圆靠近所述基座的那一面。2.根据权利要求1所述的晶圆处理机台，其特征在于，所述阻挡装置包括：环状体，设置在所述基座上，所述环状体外缘的半径小于或等于所述基座外缘的半径；在所述晶圆吸附在所述吸附装置上时，所述晶圆背面、所述环状体和所述基座的上表面形成出所述隔离区域。3.根据权利要求2所述的晶圆处理机台，其特征在于，所述隔离区域的压力大于所述隔离区域外围区域的压力。4.根据权利要求2所述的晶圆处理机台，其特征在于，所述环状体与所述基座一体成型。5.根据权利要求2
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4任一项所述的晶圆处理机台，其特征在于，所述环状体在所述晶圆径向方向上的厚度为2
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10毫米。6.根据权利要求5所述的晶圆处理机台，其特征在于，所述阻挡装置包括：气体输送管路，其气体出口由...

【专利技术属性】
技术研发人员：桂铭阳，罗兴安，胡淼龙，张高升，蒋志超，张春雷，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：