【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
[0001]相关申请
[0002]本申请要求日本专利技术专利申请2020-42268号(申请日为2020年3月11日)为在先申请的优先权。本申请通过参照该在先申请而包括了在先申请的全部内容。
[0003]本专利技术的实施方式涉及半导体装置的制造方法。
技术介绍
[0004]在对基板上的膜通过刻蚀而形成孔、狭缝等凹部时，如果设置于膜上的刻蚀掩模层的性能较差，则有可能无法合适地形成凹部。
技术实现思路
[0005]实施方式提供一种能够对膜合适地形成凹部的半导体装置的制造方法。
[0006]一个实施方式所涉及的半导体装置的制造方法包括：在基板上形成第1膜，在第1膜上形成至少含碳的第2膜，形成贯穿第2膜的孔，通过将第2膜用作掩模而进行的刻蚀，在第1膜形成与孔连通的凹部。在该方法中，第2膜包括形成于第1膜上的第1层和形成于第1层上的第2层，第1层的氧原子浓度高于第2层的氧原子浓度。
附图说明
[0007]图1是示出第1实施方式所涉及的半导体装置的构造的剖面图...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：在基板上形成第1膜，在所述第1膜上形成至少含有碳的第2膜，形成贯穿所述第2膜的孔，通过将所述第2膜用作掩模而进行的刻蚀，在所述第1膜形成与所述孔连通的凹部，所述第2膜包括形成于所述第1膜上的第1层、和形成于所述第1层上的第2层，所述第1层的氧原子浓度高于所述第2层的氧原子浓度。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第2膜还含有氢，所述第1层的氢原子浓度高于所述第2层的氢原子浓度。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，通过将层叠在所述第1膜上的所述第1层暴露在水蒸气气氛中预先确定的时间，从而使所述第1层含氧，然后在含氧的第1层上形成所述第2层。4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第2膜包括形成于所述第1层和所述第2层之间的第3层，所述第2层的...
【专利技术属性】
技术研发人员：近藤丈博，桥本惇一，山崎壮一，松原雄也，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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