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本发明的实施方式提供一种半导体装置的制造方法，其能够对膜合适地形成凹部。一个实施方式所涉及的半导体装置的制造方法包括：在基板上形成第1膜，在第1膜上形成至少含有碳的第2膜，形成贯穿第2膜的孔，通过将第2膜用作掩模而进行的刻蚀，在第1膜形成与...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

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