一种光刻胶供给装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种光刻胶供给装置。该光刻胶供给装置包括：清洗结构和存储结构；清洗结构包括第一光刻胶入口和第一光刻胶出口；存储结构包括第二光刻胶入口和第二光刻胶出口；第一光刻胶出口与第二光刻胶入口连接；清洗结构中设置有超声波发生器；超声波发生器用于产生超声波，将清洗结构中的光刻胶溶液中气泡从光刻胶溶液中脱离，以及将光刻胶溶液中的杂质颗粒聚集；存储结构用于存储经过超声波处理后的光刻胶溶液。本发明专利技术实施例提供的光刻胶供给装置，以实现减少输出的光刻胶中的气泡以及杂质颗粒的效果。以及杂质颗粒的效果。以及杂质颗粒的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻胶供给装置


[0001]本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种光刻胶供给装置。

技术介绍

[0002]半导体制造工艺中，光刻工艺是集成电路制造过程中的关键步骤之一，其稳定性及可靠性对产品的质量有着重要的影响。
[0003]光刻工艺首先是利用光刻胶供给装置在晶圆上涂布光刻胶形成一层光刻胶膜层，再将平行光经过掩膜板照射在光刻胶膜层上使其曝光，最后利用显影液进行显影完成图形转移。然而，现有的光刻胶供给装置输出的光刻胶中常掺杂有气泡以及杂质颗粒物。当输出的光刻胶中含有气泡和杂质颗粒时，会使涂布在晶圆上的光刻胶不均匀，造成成品率下降的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种光刻胶供给装置，以实现减少输出的光刻胶中的气泡以及杂质颗粒的效果。
[0005]本专利技术实施例提供了一种光刻胶供给装置，所述光刻胶供给装置包括：清洗结构和存储结构；
[0006]所述清洗结构包括第一光刻胶入口和第一光刻胶出口；所述存储结构包括第二光刻胶入口和第二光刻胶出口；所述第一光刻胶出口与所述第二光刻胶入口连接；所述清洗结构中设置有超声波发生器；
[0007]所述超声波发生器用于产生超声波，将所述清洗结构中的光刻胶溶液中气泡从所述光刻胶溶液中脱离，以及将所述光刻胶溶液中的杂质颗粒聚集；
[0008]所述存储结构用于存储经过超声波处理后的光刻胶溶液。
[0009]进一步地，所述第一光刻胶出口位于所述清洗结构的顶端；
[0010]所述第二光刻胶出口位于所述存储结构的顶端。
[0011]进一步地，所述清洗结构内还设置有阻隔单元；所述阻隔单元包括至少一个镂空结构；
[0012]所述阻隔单元将所述清洗结构的容纳腔分为第一区和第二区；
[0013]所述第一区和所述第二区的排列方向垂直于所述清洗结构的底部。
[0014]进一步地，所述镂空结构的面积为S1，所述阻隔单元的面积为S2，其中，S1＝(1/4)S2。
[0015]进一步地，所述阻隔单元呈漏斗状；
[0016]所述阻隔单元的中心区域朝向所述清洗结构的底部凸起。
[0017]进一步地，所述存储结构内还设置有位置传感器；所述第一光刻胶出口与所述第二光刻胶入口之间设置有第一排液泵；
[0018]所述光刻胶供给装置还包括控制器；所述位置传感器以及所述第一排液泵均与所
述控制器电连接；
[0019]所述位置传感器位于所述存储结构的侧壁上，且所述位置传感器与所述存储结构的底部之间的距离为预设高度值；
[0020]所述位置传感器用于感测所在位置处是否有光刻胶溶液；当所述位置传感器未感测到光刻胶溶液时，所述控制器控制所述第一排液泵将所述清洗结构中的光刻胶溶液输出至所述存储结构内。
[0021]进一步地，所述光刻胶供给装置还包括输出管道；所述输出管道通过所述第二光刻胶出口伸入至所述存储结构内；
[0022]伸入至所述存储结构内的所述输出管道的端口与所述存储结构的底部之间的距离小于等于所述位置传感器与所述存储结构的底部之间的距离。
[0023]进一步地，所述光刻胶供给装置还包括喷嘴；所述输出管道还与所述喷嘴连接。
[0024]进一步地，所述输出管道上设置有第二排液泵。
[0025]进一步地，所述清洗结构还包括气泡排出口和颗粒排出口；所述气泡排出口位于所述清洗结构的顶端，用于排出从所述光刻胶溶液中脱离的气泡；
[0026]所述颗粒排出口位于所述清洗结构的底部，用于排出所述光刻胶溶液中聚集的杂质颗粒。
[0027]本专利技术实施例提供的光刻胶供给装置，通过清洗结构内的超声波发生器产生超声波，通过超声波将清洗结构内的光刻胶溶液中的气泡从光刻胶溶液中脱离出来，以及将光刻胶溶液中的杂质颗粒聚集到一起沉积在清洗结构的底部，如此，得到较干净的光刻胶；同时，由于光刻胶供给装置还包括存储结构，通过存储结构存储经过超声波处理后的光刻胶溶液，避免了由于清洗结构内的光刻胶溶液还没有超声处理完成，就输出此光刻胶溶液而导致的输出的光刻胶仍然包括较多气泡和杂质颗粒的问题，进一步使得输出的光刻胶较干净，使得涂布在待涂布物体上的光刻胶溶液较均匀，进而提高了产品良率；此外，相比于现有技术中采用过滤器将光刻胶溶液中的气泡过滤以及将光刻胶中的杂质颗粒进行吸附，本实施例提供的光刻胶供给装置可以避免通过过滤器进行排泡和吸附杂质颗粒消耗的大量的光刻胶溶液的问题，减少了光刻胶溶液的浪费，成本较低。
附图说明
[0028]图1是本专利技术实施例提供的一种光刻胶供给装置的结构示意图；
[0029]图2是本专利技术实施例提供的又一种光刻胶供给装置的结构示意图；
[0030]图3是本专利技术实施例提供的又一种光刻胶供给装置的结构示意图；
[0031]图4是本专利技术实施例提供的又一种光刻胶供给装置的结构示意图；
[0032]图5是本专利技术实施例提供的又一种光刻胶供给装置的结构示意图。
具体实施方式
[0033]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0034]图1是本专利技术实施例提供的一种光刻胶供给装置的结构示意图，如图1所示，该光
刻胶供给装置包括：清洗结构10和存储结构20；清洗结构10包括第一光刻胶入口11和第一光刻胶出口12；存储结构20包括第二光刻胶入口21和第二光刻胶出口22；第一光刻胶出口12与第二光刻胶入口21连接；清洗结构10中设置有超声波发生器13；超声波发生器13用于产生超声波，将清洗结构10中的光刻胶溶液30中气泡从光刻胶溶液30中脱离，以及将光刻胶溶液30中的杂质颗粒聚集；存储结构20用于存储经过超声波处理后的光刻胶溶液30。
[0035]其中，清洗结构10的形状例如可以包括方形槽，内部有容纳腔体，用于容纳光刻胶溶液30以及设置超声波发生器13，如图1所示，但是本专利技术实施例并不对清洗结构10的形状进行具体限定，只要可以在其内设置超声波发生器13，以及容纳光刻胶溶液30即可。存储结构20的形状例如可以也包括方形槽，如图1所示，但是本专利技术实施例并不对存储结构20的形状进行具体限定，只要可以存储光刻胶溶液30即可。
[0036]具体地，第一光刻胶入口11用于输入待超声的光刻胶溶液30，此时的光刻胶溶液30常常掺入有气泡和一些杂质颗粒，进而影响后续涂布效果，以及产品的良率。本专利技术实施例提供的光刻胶供给装置，通过清洗结构10内的超声波发生器13产生超声波，由于超声波在光刻胶溶液30中产生空化作用，使进入清洗结构10内的光刻胶溶液30中的气泡从光刻胶溶液30中脱离出来，以及由于超声波在光刻胶溶液30中聚合作用，使得光刻胶溶液30中的杂质颗粒聚集到一起形成较大的颗粒物，较大的颗粒物在重力的作用下沉积在清洗结构10的底部，如此，得到的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶供给装置，其特征在于，包括：清洗结构和存储结构；所述清洗结构包括第一光刻胶入口和第一光刻胶出口；所述存储结构包括第二光刻胶入口和第二光刻胶出口；所述第一光刻胶出口与所述第二光刻胶入口连接；所述清洗结构中设置有超声波发生器；所述超声波发生器用于产生超声波，将所述清洗结构中的光刻胶溶液中气泡从所述光刻胶溶液中脱离，以及将所述光刻胶溶液中的杂质颗粒聚集；所述存储结构用于存储经过超声波处理后的光刻胶溶液。2.根据权利要求1所述的光刻胶供给装置，其特征在于，所述第一光刻胶出口位于所述清洗结构的顶端；所述第二光刻胶出口位于所述存储结构的顶端。3.根据权利要求1所述的光刻胶供给装置，其特征在于，所述清洗结构内还设置有阻隔单元；所述阻隔单元包括至少一个镂空结构；所述阻隔单元将所述清洗结构的容纳腔分为第一区和第二区；所述第一区和所述第二区的排列方向垂直于所述清洗结构的底部。4.根据权利要求3所述的光刻胶供给装置，其特征在于，所述镂空结构的面积为S1，所述阻隔单元的面积为S2，其中，S1＝(1/4)S2。5.根据权利要求3所述的光刻胶供给装置，其特征在于，所述阻隔单元呈漏斗状；所述阻隔单元的中心区域朝向所述清洗结构的底部凸起。6.根据权利要求1所述的光刻胶供给装置，其特征在于，所述存储结构内还设置有位...

【专利技术属性】
技术研发人员：董必志，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：