半导体制造设备与烘烤涂覆层的方法技术

本发明专利技术实施例涉及半导体制造设备与烘烤涂覆层的方法。本发明专利技术的一些实施例揭露一种用于制造半导体结构的设备，其包含经配置以在第一端处接收气流及在第二端处放出所述气流的气流重分配构件。所述气流重分配构件包含第一气流重分配板及所述第一气流重分配板与所述第二端之间的第二气流重分配板。第二端之间的第二气流重分配板。第二端之间的第二气流重分配板。

【技术实现步骤摘要】
半导体制造设备与烘烤涂覆层的方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造设备与烘烤涂覆层的方法。

技术介绍

[0002]在半导体产业中，存在提高装置密度的趋势。为实现此提高密度，需要更小构件。此类要求通常涉及按比例缩小装置几何形状以实现更低制造成本、更高装置集成密度、更高速度及更佳性能。除几何大小减小的优点之外，还对半导体装置作出改进。
[0003]随着半导体产业不断演进，先进光刻技术已广泛用于集成电路制造操作中。光刻操作可包含与将抗蚀剂层涂覆于晶片上及使晶片曝露于曝光源有关的技术。
[0004]掩模可在半导体制造操作中用于将预定图案转印到衬底上。例如，在使抗蚀剂层形成于衬底上之后，可通过掩模使抗蚀剂层曝露于光化辐射，因此可通过后续显影来形成抗蚀剂图案。
[0005]烘烤操作可结合抗蚀剂涂覆、曝光及显影执行。可在烘烤操作期间产生粒子，其中粒子会引起制造装置的缺陷。为减轻由粒子引起的问题，需要用于移除所产生的粒子的改进排气系统。

技术实现思路

[0006]本专利技术的实施例涉及一种用于制造半导体结构的设备，其包括：气流重分配构件，其经配置以在第一端处接收气流及在第二端处放出所述气流，所述气流重分配构件包括第一气流重分配板及所述第一气流重分配板与所述第二端之间的第二气流重分配板。
[0007]本专利技术的实施例涉及一种用于制造半导体结构的设备，其包括：腔室；排气构件，其连接到所述腔室；气流重分配构件，其连接到所述排气构件；及加热构件，其安置于所述气流重分配构件的表面处。
[0008]本专利技术的实施例涉及一种用于制造半导体结构的方法，其包括：将晶片定位于腔室中；由排气构件从所述腔室排出气流；及在由所述排气构件排出所述气流之前通过气流重分配构件重分配所述气流。
附图说明
[0009]从结合附图来解读的以下详细描述最佳理解本揭露的方面。应注意，根据行业标准做法，各种构件未按比例绘制。事实上，为使讨论清楚，可任意增大或减小各种构件的尺寸。
[0010]图1A展示根据本专利技术的一些实施例的表示用于制造半导体装置的方法的流程图。
[0011]图1B展示根据本专利技术的一些实施例的表示用于制造半导体装置的方法的流程图。
[0012]图1C展示根据本专利技术的一些实施例的表示用于制造半导体装置的方法的流程图。
[0013]图1D展示根据本专利技术的一些实施例的表示用于制造半导体装置的方法的流程图。
[0014]图2A是根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的设备的透视图。
[0015]图2B是根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的设备的剖面图。
[0016]图3是根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的设备的气流重分配构件的透视图。
[0017]图4A是根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的设备的气流重分配板的前透视图。
[0018]图4B是根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的设备的气流重分配板的前透视图。
[0019]图4C是根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的设备的气流重分配板的前透视图。
[0020]图5是根据本专利技术的一些实施例的用于制造半导体装置的设备的气流重分配构件的透视图。
具体实施方式
[0021]以下揭露提供用于实施所提供的目标的不同特征的许多不同实施例或实例。下文将描述组件及布置的特定实例以简化本揭露。当然，这些仅为实例且不意在限制。例如，在以下描述中，“使第一构件形成于第二构件上方或第二构件上”可包含其中形成直接接触的所述第一构件及所述第二构件的实施例，且还可包含其中额外构件可形成于所述第一构件与所述第二构件之间使得所述第一构件及所述第二构件可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复是为了简化及清楚且其本身不指示所讨论的各种实施例及/或配置之间的关系。
[0022]此外，为便于描述，例如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”及其类似物的空间相对术语在本文中可用于描述组件或构件与另一(些)组件或构件的关系，如图中所说明。空间相对术语除涵盖图中所描绘的定向之外，还希望涵盖装置在使用或操作中的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或以其它定向)且还可因此解译本文所使用的空间相对描述词。
[0023]尽管陈述本揭露的广泛范围的数值范围及参数是近似值，但应尽可能精确报告特定实例中所陈述的数值。然而，任何数值固有地含有由相应测试测量中所见的偏差必然所致的某些误差。另外，如本文所使用，术语“大体上”、“近似”或“约”一般意味着在可由所属领域的技术人员预期的值或范围内。替代地，术语“大体上”、“近似”或“约”意味着在所属领域的技术人员所考虑的平均值的可接受标准误差内。所属领域的技术人员应了解，可接受标准误差可根据不同技术改变。除在操作/工作实例中之外或除非另有明确规定，否则本文所揭露的所有数值范围、数量、值及百分比(例如材料数量、持续时间、温度、操作条件、数量比及其类似物的数值范围、数量、值及百分比)应被理解为在所有例子中由术语“大体上”、“近似”或“约”修饰。因此，除非指示相反，否则本揭露及随附权利要求书中所陈述的数值参数是可视需要改变的近似值。最后，至少应鉴于所报告的有效数字且通过应用一般舍入技术来解释每一数值参数。在本文中，范围可被表示为从一端点到另一端点或介于两个端点之间。除非另有规定，否则本文所揭露的所有范围包含端点。
[0024]参考图1A，图1A展示根据本专利技术的一些实施例的表示用于制造半导体装置的方法的流程图。用于制造半导体装置的方法1000包含：将抗蚀剂层施加于晶片上(操作1001，其
可在涂覆器中执行)；对晶片执行软烘烤操作(操作1004)；使用光刻工具，以光化辐射曝露抗蚀剂层(操作1007)；使抗蚀剂层显影(操作1014)；及对晶片执行硬烘烤操作(操作1017)。在一些实施例中，方法1000可视情况包含在将抗蚀剂层施加于晶片上之前将六甲基二硅氮烷(HMDS)施加于晶片上以增强抗蚀剂剂与晶片的顶面之间的黏着。在一些实施例中，硬烘烤操作包含加热晶片以硬化抗蚀剂层。
[0025]在实施例中，为提高后续微影操作的性能，可执行软烘烤操作，其包含加热晶片以降低残留溶剂浓度。在执行软烘烤操作或包含加热晶片以将材料转化为气态的其它类似操作期间，将通过排气构件排出气态溶剂。然而，可观察到，从晶片的表面上方朝向排气构件的气流可能不稳定且借此引起乱流。此乱流会削弱排气的效率且进一步引起气流的温度下降。在一些情况中，归因于气流的温度下降，溶剂会在被排出之前冷凝，例如，当气流的温度降低到154℃以下时，常用于抗蚀剂剂中的溶剂无法保持气态。此溶剂会在软烘烤室中冷凝于晶片或形成于晶片上的抗蚀剂层上以引起粒子污染。粒子污染会劣化其后制造的装置的性能。
[0026]应注意，在一些情况中，溶剂的一部分可在凝固之前从气相转化为液相，且溶剂的一部分可从气相直接转化为固相，其取决于排气室与软烘烤室的接面处的温本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制造半导体结构的设备，其包括：气流重分配构件，其经配置以在第一端处接收气流及在第二端处放出所述气流，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李永尧，徐振益，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：