【技术实现步骤摘要】
晶体管封装共晶系统及晶体管
本技术属于晶体管封装
,更具体地说,是涉及一种晶体管封装共晶系统及晶体管。
技术介绍
目前用于光通信行业的晶体管式封装TO-CAN共晶系统采用一个加热平台,同一个预热系统设置有两根或四根预热旋转管。由于每根预热旋转管的加工与装配公差较大,会造成预热管之间共晶精度与共晶焊接效果差异较大,会对后续工序作业增加难度并影响产品性能。图1为现有TO-CAN共晶系统预热旋转管的结构示意图,请参阅图1,现有TO-CAN共晶系统四根预热管在同一旋转系统上每隔90°分布一个,通过预热管下沉、侧面顶丝固定的方式装配在旋转系统上。吸取料吸嘴将产品放入1#号预热管后预热旋转系统旋转90°,使2#号预热管可以装载产品,依次旋转至四根预热管都装载产品,此时1#号预热管将产品送入加热台共晶,共晶后退回至装载产品位置,并将1#号预热管旋转至向上位置,吸取料吸嘴将共晶完成品吸回载盘,并从载盘将未共晶产品放入1#号预热管,此时2#号预热管开始共晶作业,相同动作依次旋转作业。但因1#、2#、3#、4#四根预热管在同一个旋转系统上,电机机械位置一致,然而加工与装配公差较大,无法做到四根预热管加工与装配后长度、垂直度一致,垂直度不一致会造成共晶精度与焊接效果差异大,调机难度大,长度不一致会造成共晶Y方向精度差异大。
技术实现思路
本技术实施例的目的在于提供一种晶体管封装共晶系统,以解决现有技术中存在的晶体管封装过程中共晶精度与焊接效果差的技术问题。本技术实施例的另一目的在于提供一种晶体管,以解 ...
【技术保护点】
1.一种晶体管封装共晶系统,其特征在于:/n包括晶圆提供机构、晶圆校正机构以及共晶加热机构;/n所述晶圆提供机构包括第一晶圆识别结构和晶圆吸取结构,所述第一晶圆识别结构用于识别晶圆的图像与位置,所述晶圆吸取结构用于吸取晶圆,所述第一晶圆识别结构和晶圆吸取结构信号连接;/n所述晶圆校正机构包括第二晶圆识别结构、正面识别调整平台,所述正面识别调整平台用于放置所述晶圆并调整所述晶圆的角度,所述第二晶圆识别结构用于识别放置于所述正面识别调整平台上的所述晶圆的角度和位置,所述正面识别调整平台与所述第二晶圆识别结构信号连接;/n所述共晶加热机构包括待共晶产品吸取结构、预热结构、共晶加热平台和第三晶圆识别结构,所述待共晶产品吸取结构用于吸取待共晶产品,所述预热结构用于预热待共晶产品,所述共晶加热平台用于加热晶圆和待共晶产品,所述预热结构、共晶加热平台和第三晶圆识别结构的数量均为两个,两个所述预热结构分别与两个所述共晶加热平台对应设置,两个所述第三晶圆识别结构分别与两个所述共晶加热平台对应设置。/n
【技术特征摘要】
1.一种晶体管封装共晶系统,其特征在于:
包括晶圆提供机构、晶圆校正机构以及共晶加热机构;
所述晶圆提供机构包括第一晶圆识别结构和晶圆吸取结构,所述第一晶圆识别结构用于识别晶圆的图像与位置,所述晶圆吸取结构用于吸取晶圆,所述第一晶圆识别结构和晶圆吸取结构信号连接;
所述晶圆校正机构包括第二晶圆识别结构、正面识别调整平台,所述正面识别调整平台用于放置所述晶圆并调整所述晶圆的角度,所述第二晶圆识别结构用于识别放置于所述正面识别调整平台上的所述晶圆的角度和位置,所述正面识别调整平台与所述第二晶圆识别结构信号连接;
所述共晶加热机构包括待共晶产品吸取结构、预热结构、共晶加热平台和第三晶圆识别结构,所述待共晶产品吸取结构用于吸取待共晶产品,所述预热结构用于预热待共晶产品,所述共晶加热平台用于加热晶圆和待共晶产品,所述预热结构、共晶加热平台和第三晶圆识别结构的数量均为两个,两个所述预热结构分别与两个所述共晶加热平台对应设置,两个所述第三晶圆识别结构分别与两个所述共晶加热平台对应设置。
2.如权利要求1所述的晶体管封装共晶系统,其特征在于:所述晶圆吸取结构和所述待共晶产品吸取结构均为真空吸嘴结构。
3.如权利要求2所述的晶体管封装共晶系统,其特征在于:所述晶圆校正机构还包括第四晶圆识别结构,所述第四晶圆识别结构包括用于承载所述晶圆的载物面,所述第四晶圆识别结构用于识别所述晶圆的反面;
所述晶圆吸取结构的真空吸嘴结构为可旋转吸嘴结构。
4.如权利要求3所述的晶体管封装共晶系统,其特征在于:所述晶圆正面识别调整平台为自动旋转平台。
5.如权利要求1所述的晶体管封装共晶系统,其特征在于:所述晶圆吸取结构包括第一晶圆吸嘴、第二晶圆吸嘴、第一驱动电机和第一传动结构;
所述第一传动结构包括第一齿轮、第一齿条和第二齿条,所述第一齿轮固定于所述第一驱动电机的输出轴上,所述第一齿条和所述第二齿条平行设置,所述第一齿轮位于所述第一齿条与所述第二齿条之间,所述第一齿条和所...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡靖,温永阔,黄黎明,谢少华,刘盼,
申请(专利权)人:深圳市东飞凌科技有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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