半导体结构和形成半导体器件的方法技术

一种形成半导体器件的方法包括：形成底部电极；形成介电层；形成与介电层接触的相变随机存取存储器(PCRAM)区域；以及形成顶部电极。介电层和PCRAM区域位于底部电极和顶部电极之间。在介电层中形成丝状物。丝状物与介电层接触。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构和形成半导体器件的方法
本申请的实施例涉及半导体领域，并且更具体地，涉及一种半导体结构和形成半导体器件的方法。
技术介绍
相变存储器可以使用硫族化物半导体来存储状态。硫族化物半导体具有晶态和非晶态。在晶态下，相变材料具有低电阻率，而在非晶态下，它们具有高电阻率。相变材料在非晶态和晶态下的电阻比率通常大于1,000，因此相变存储器件不太可能具有错误的读数。硫族化物材料在一定温度范围内在晶态和非晶态均稳定，并且可以通过电脉冲在两种状态之间来回切换。相变存储器具有若干操作和工程上的有利特征，包括高速、低功率、非易失性、高密度和低成本。例如，相变存储器是非易失性的，并且可以例如在小于约50纳秒内被快速写入。相变存储器单元可以具有高密度。另外，相变存储器与CMOS逻辑兼容，并且与其他类型的存储器单元相比，相变存储器通常可以以低成本制造。
技术实现思路
在一些实施例中，形成半导体器件的方法，包括：形成底部电极；形成介电层；形成与介电层接触的相变随机存取存储器(PCRAM)区域；形成顶部电极，其中，介电层和PCRAM区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成半导体器件的方法，包括：/n形成底部电极；/n形成介电层；/n形成与所述介电层接触的相变随机存取存储器区域；/n形成顶部电极，其中，所述介电层和所述相变随机存取存储器区域位于所述底部电极和所述顶部电极之间；以及/n在所述介电层中形成丝状物，其中，所述丝状物与所述介电层接触。/n

【技术特征摘要】
20200211 US 16/787,3871.一种形成半导体器件的方法，包括：
形成底部电极；
形成介电层；
形成与所述介电层接触的相变随机存取存储器区域；
形成顶部电极，其中，所述介电层和所述相变随机存取存储器区域位于所述底部电极和所述顶部电极之间；以及
在所述介电层中形成丝状物，其中，所述丝状物与所述介电层接触。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成相变随机存取存储器区域包括沉积硫族化物半导体材料。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成丝状物包括在所述介电层上施加电场以生成所述丝状物。


4.根据权利要求3所述的方法，还包括：通过传导电流通过所述相变随机存取存储器区域来写入所述相变随机存取存储器区域或读取所述相变随机存取存储器的状态，其中，所述电流的第一方向与所述电场的第二方向相同。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成介电层包括沉积选自HfOx、ZrOx、TaOx、TiOx、VOx、NiOx、NbOx、LaOx及其组合构成的组的材料。


6.根据权利要求1所述的方法，包括形成存储器阵列，包括：
形成相变随机存取存储器区域的第一阵列，其中所述相变随机存取存储器区域是相变随机存取存储器区域的第一阵列中的一个阵列元件；以及
形成与相变随机存取存储器区域的阵列接触的丝状物的阵列，其中所述丝状物是丝状物的阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖昇志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71