基于铁电畴反转的两端神经形态器件制造技术

本发明专利技术提供一种基于铁电畴反转的两端神经形态器件，包括：铁电层，其由具有铁电性的无机多元氧化物材料构成；上电极和下电极，其分别设置在所述铁电层的两端。本发明专利技术的基于铁电畴反转的两端神经形态器件能够根据外界刺激改变自身的属性，使得器件能够模拟神经突触。

【技术实现步骤摘要】
基于铁电畴反转的两端神经形态器件
本专利技术涉及一种两端铁电器件，该器件可利用铁电畴的反转来模拟生物突触的部分生理活动。
技术介绍
随着当代信息社会突飞猛进的发展，信息数据的爆发式增长对计算机的数据处理能力的需求日益提高，而基于冯·诺依曼结构的传统计算机已经到达了性能提升的瓶颈，无法应对日新月异的发展带来的挑战，尤其是在类脑计算这个领域传统计算机的桎梏显得更加明显。虽然当前结构的计算机能在一定程度上模拟小型动物(老鼠等)的大脑活动，但传统结构计算机的功耗在模拟大脑时，首先需要复杂的超大规模集成电路，其次驱动这些集成电路需要消耗大量的电力。因此，构建一种新的能够模拟大脑的计算机结构是实现计算机数据处理能力最重要的一个环节。众所周知，人的大脑网络是由1014-1015个神经元组成的，而神经元之间的耦合连接是通过突触实现的。突触决定了两个神经元之间的连接强度，实现突触功能的是突触权重，它决定了神经元所传递信息的重要程度。所以实现类脑计算机结构的第一个门槛是找到一种可以模拟突触的电子器件。脑神经网络有三个很重要的功能引起了广泛的研究，一个功能是学习，一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于铁电畴反转的两端神经形态器件，包括：/n上电极；/n铁电层，置于所述上电极下方，所述铁电层为基于脉冲激光沉积法生长的无机铁电体，由具有铁电性的无机多元氧化物材料构成；/n下电极，置于所述铁电层下方。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于铁电畴反转的两端神经形态器件，包括：
上电极；
铁电层，置于所述上电极下方，所述铁电层为基于脉冲激光沉积法生长的无机铁电体，由具有铁电性的无机多元氧化物材料构成；
下电极，置于所述铁电层下方。


2.根据权利要求1所述的基于铁电畴反转的两端神经形态器件，其中，所述具有铁电性的无机多元氧化物材料包括具有铁电性的无机钙钛矿型氧化物材料。


3.根据权利要求2所述的基于铁电畴反转的两端神经形态器件，其中，所述具有铁电性的无机钙钛矿型氧化物材料包括选自钛酸钡、锆钛酸铅、铁酸铋、钛酸铅的组的任一种。


4.根据权利要求1所述的基于铁电畴反转的两端神经形态器件，其中，所述具有铁电性的无机多元氧化物材料包括锆掺杂氧化铪。


5.根据权利要求1所述的基于铁电畴反转的两端神经形态器件，其中，所述铁电层厚度在4纳米到1微米的范围，以及优选地具有4纳米到400纳米的范围，以及更优选地，具有4纳米到100纳米的范围。
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【专利技术属性】
技术研发人员：葛琛，孙勤超，金奎娟，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11