用于存储器的阈值开关制造技术

本发明专利技术公开了一种开关装置，该开关装置包括具有内表面的三个端子、第三端子的该内表面上的氧化物层，以及延伸穿过该氧化物层和该第三端子的硫属元素化物柱，该柱与第一端子和第二端子电连通，其中当超过该第一端子与该第二端子之间的阈值电压时，该第一端子与该第二端子之间的电压差将通道从第一状态改变为第二状态，该阈值电压取决于温度。该第三端子是电阻式的并且接收控制信号以向该柱施加热量并调制该阈值电压。该开关装置可用于通过位线来选择存储器堆叠，并且基于该阈值开关传导提供流过该开关装置的雪崩电流传导来提供几乎无限的电流。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于存储器的阈值开关相关申请的交叉引用本申请要求2019年6月10日提交的美国非临时申请序列第16/435,843号的优先权和权益。
本公开涉及存储器系统，并且具体地涉及具有阈值相变开关的方法和系统。
技术介绍
存储器系统使用晶体管来访问存储器系统中的存储器单元。
技术实现思路
本公开整体涉及用于存储器系统和/或存储器方法中的硫属元素化物开关。开关可以是阈值开关，其一旦接通就提供雪崩型传导。所公开实施方案的一个方面包括用于竖直非易失性存储器的阈值开关，该阈值开关包括源极、漏极以及从源极延伸到漏极的竖直通道，其中该通道包含硫属元素化物材料，该通道包括第一电阻状态和第二导电状态，其中当超过阈值电压时，源极与漏极之间的电压差将该通道从第一状态改变为第二状态。在本公开的一个方面，电绝缘层围绕通道延伸，并且导电层围绕电绝缘层和竖直通道延伸，其中导电层接收电信号以将热能施加到竖直通道以降低阈值电压。在本公开的一个方面，导电层接收电流以加热通道，并且不施加电场以改变通道的电导率。在本公开的一个方面，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于竖直非易失性存储器的阈值开关，包括：/n源极；/n漏极；/n竖直通道，所述竖直通道从所述源极延伸到所述漏极，其中所述通道包含硫属元素化物材料，所述通道具有第一电阻状态和第二导电状态，其中当超过阈值电压时，所述源极与所述漏极之间的电压差将所述通道从所述第一状态改变为所述第二状态；/n电绝缘层，所述电绝缘层围绕所述通道延伸；和/n导电层，所述导电层围绕所述电绝缘层和所述竖直通道延伸，其中所述导电层接收电信号以将热能施加到所述竖直通道以降低所述阈值电压。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190610 US 16/435,8431.一种用于竖直非易失性存储器的阈值开关，包括：
源极；
漏极；
竖直通道，所述竖直通道从所述源极延伸到所述漏极，其中所述通道包含硫属元素化物材料，所述通道具有第一电阻状态和第二导电状态，其中当超过阈值电压时，所述源极与所述漏极之间的电压差将所述通道从所述第一状态改变为所述第二状态；
电绝缘层，所述电绝缘层围绕所述通道延伸；和
导电层，所述导电层围绕所述电绝缘层和所述竖直通道延伸，其中所述导电层接收电信号以将热能施加到所述竖直通道以降低所述阈值电压。


2.根据权利要求1所述的阈值开关，其中所述导电层接收电流以加热所述通道并且不施加电场以改变所述通道的电导率。


3.根据权利要求1所述的阈值开关，其中所述电绝缘层将所述导电层与所述竖直通道分开并且位于所述漏极和所述导电层中间。


4.根据权利要求1所述的阈值开关，其中所述电绝缘层完全围绕所述通道。


5.根据权利要求4所述的阈值开关，其中所述导电层至少部分地围绕电绝缘层。


6.根据权利要求1所述的阈值开关，其中所述第一状态是无定形的，并且所述第二状态是电子高导电性的。


7.根据权利要求1所述的阈值开关，其中所述通道与竖直存储器单元对准。


8.根据权利要求1所述的阈值开关，其中所述电绝缘层包含栅极氧化物材料，并且其中所述导电层包含栅极氧化物。


9.根据权利要求1所述的阈值开关，其中所述源极连接到非易失性存储器中的全局位线。...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·纳迪，吴明哲，T·米维尔，白肇强，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US