一种具有超低阈值电压的双向选通器及其制备方法技术

一种具有超低阈值电压的双向选通器及其制备方法，双向选通器从下到上依次是底电极、阻变层、顶电极，底电极为导电玻璃FTO，即掺氟的SnO

【技术实现步骤摘要】
一种具有超低阈值电压的双向选通器及其制备方法
本专利技术属于半导体微电子领域，涉及一种具有超低阈值电压的双向选通器。技术背景近年来，随着大数据和人工智能技术的发展和应用，对高密度、低功耗设备的需求逐年提高。而传统硅基的NAND存储技术面临着摩尔定律技术节点的考验以及诸多的问题，比如操作速度慢、擦除电压高、使用寿命短和漏电流大等。新型非易失阻变随机存储器(RRAM)具有理想的存储性能，如亚纳秒级切换、极佳的循环稳定性、长时间保持特性和低操作功耗等，并且阻变存储器简单的三明治结构使其易于高密度集成。而实现RRAM高密度集成面临的最大障碍之一是在读取操作期间，流过相邻的未选择单元的潜行电流造成的串扰问题。理想的解决办法是串联一个具有较高非线性的选通器件。选通器是一种具有较高非线性(开关电阻比)的易失性开关器件。它作为一种两端器件，具有和RRAM相似的三明治结构，分为上电极、中间阻变层、下电极三部分。在RRAM阵列中，选通器与RRAM器件直接串联，可以占据最小的芯片面积。由于选通器初始阻值比较大，而选通器的阈值电压又低于RRAM的开启和关断本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有超低阈值电压的双向选通器，其特征在于，所述的双向选通器从下到上依次是底电极、阻变层、顶电极；所述的底电极为透明导电玻璃FTO，即掺氟的SnO

【技术特征摘要】
1.一种具有超低阈值电压的双向选通器，其特征在于，所述的双向选通器从下到上依次是底电极、阻变层、顶电极；所述的底电极为透明导电玻璃FTO，即掺氟的SnO2薄膜；所述的阻变层材料为(CsxFAyMA1-x-y)Pb(IzBr1-z)3，阻变层材料通过低温溶液旋涂法制得；所述的顶电极为Ag。


2.根据权利要求1所述的双向选通器，其特征在于，所述的FTO厚度为100～200nm。


3.根据权利要求1所述的双向选通器，其特征在于，所述的阻变层厚度为150～280nm；所述的顶电极厚度为80～150nm，其形状为圆形，直径为200～400μm。


4.根据权利要求3所述的双向选通器，其特征在于，所述的阻变层厚度优选为240nm；所述的顶电极厚度优选为100nm，直径优选为300μm。


5.一种权利要求1-4任一所述的双向选通器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，紫外处理透明FTO：
步骤2，制备卤素钙钛矿(CsxFAyMA1-x-y)Pb(IzBr1-z)3溶液：
(1)将甲脒氢碘酸盐FAI、甲氨溴MABr、碘化铅PbI2、溴化铅PbBr2溶解于二甲基甲酰胺DMF和二甲基亚砜DMSO的混合溶液中，得到溶液A；其中，每1mL混合溶液中对应加入0.4～1.5mmolFAI、0.09～0.3mmolMABr、0.5～1.8mmolPbI2、0.03～0.09mmolPbBr2；
(2)将CsI溶解于DMSO溶液中得到溶液B，其中，每0.5mLDMSO溶液中对应加入0.3～1.1mmolCsI；
(3)将溶液A和溶液B分别在40～80℃条件下搅拌0.5～1h后，分别过滤去除溶液中的大颗粒，获得淡黄色的溶液A和无色透明的...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐灵芝，王晨，黄阳，杨一鸣，边继明，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：辽宁;21