一种蘑菇型结构神经突触仿生器件制造技术

本发明专利技术公开一种蘑菇型结构神经突触仿生器件，是采用0.13μm CMOS工艺制备而得的蘑菇型结构，该器件结构自下至上依次包括Si(100)基片制备的衬底、Al材料底电极、SiO

【技术实现步骤摘要】
一种蘑菇型结构神经突触仿生器件
本专利技术属于半导体器件
，具体涉及一种蘑菇型结构神经突触仿生器件。
技术介绍
神经突触是人类大脑学习和记忆的最小单元，它通过接受外部刺激信号使得神经元实现兴奋和抑制行为，从而输入和输出信号。神经突触学习功能的仿生模拟被认为是实现人工神经网络的重要手段。突触器件主要用于连接神经元，其性能伪劣直接影响着人工神经网络处理的效率和准确性。Lu等人发现了一种基于纳米硅的忆阻器，可以模拟神经突触基本性质，具有高效的计算方式和密度（NanoLetters,2010,10(4):1297-1301）。Wang等人提出了一种基于非晶态InGaZnO的神经突触仿生器件，能够实现短时程抑制（STP）和长时程增强（LTP）神经突触基本性质（AdvancedFunctionalMaterials,2012,22(13):2759-2765）。随着神经突触器件的不断发展，速度和功耗逐渐成为基于传统氧化物忆阻器发展的技术瓶颈。为此，相关领域研究人员不断努力尝试以期探索出能在神经突触仿生器件中应用的新材料。硫系化合物材料在非晶态本文档来自技高网...

【技术保护点】
1. 一种蘑菇型结构神经突触仿生器件，是采用0.13 μm CMOS工艺制备而得的蘑菇型结构，其特征在于，该器件结构自下至上依次包括Si(100)基片制备的衬底、Al材料底电极、SiO

【技术特征摘要】
1.一种蘑菇型结构神经突触仿生器件，是采用0.13μmCMOS工艺制备而得的蘑菇型结构，其特征在于，该器件结构自下至上依次包括Si(100)基片制备的衬底、Al材料底电极、SiO2中间介质层、在中间介质层上形成的W加热电极、Ti-Zn-Sb存储介质层、TiN粘附层和Al材料顶电极。


2.如权利要求1所述的一种蘑菇型结构神经突触仿生器件，其特征在于，Ti-Zn-Sb存储介质层材料由Ti、Zn、Sb三种元素组成，其化学组成符合化学通式Tix(ZnySb100-y)1-x，其中，0.01<x<0.3，10<y<90。


3.如权利要求2所述的一种蘑菇型结构神经突触仿生器件，其特征在于，Tix(...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴卫华，戚佳怡，汤瑶，朱小芹，薛建忠，
申请(专利权)人：江苏理工学院，
类型：发明
国别省市：江苏;32