一种柔性人工突触器件及其制备方法技术

本申请属于人工突触器件技术领域。本申请提供了一种柔性人工突触器件及其制备方法。柔性人工突触器件包括基片、底电极和顶电级；所述底电极上沉积有氧化钨薄膜。本申请的柔性人工突触器件不但具有忆阻器的阻变特性，并且能够实现生物突触相似的功能，包括实现双脉冲易化(PPF)、长时增强(LTP)、脉冲时间依赖可塑性(STDP)和脉冲频率依赖可塑性(STRP)等，具有低功耗、响应快、耐受性强的优点，可用于构建人工神经网络系统，为实现可穿戴神经形态计算系统提供了一条可行的途径。

【技术实现步骤摘要】
一种柔性人工突触器件及其制备方法
本申请属于人工突触器件
，尤其涉及一种柔性人工突触器件及其制备方法。
技术介绍
忆阻器是除电阻器、电容器、电感器之外的第四种无源电子元件，根据忆阻器理论，其代表磁通量与电荷之间的关系，器件阻值能够随流经它的电荷量而发生动态变化，且能保持这种阻值状态。忆阻器因其独特电学性质而备受关注，并在诸多领域展现出广阔的前景。例如，忆阻器能在电场诱导下发生高电阻态与低电阻态之间的可逆转变(即：数字型忆阻器)，其高速度、高密度、良好信息保持等特性使其有望发展为新型阻变随机存储器件(RRAM)。另一方面，忆阻器能够在电场作用下实现电阻态的连续调节(即：模拟型忆阻器)，与神经突触的非线性传输特性高度相似。因此，忆阻器被认为是仿生神经突触的理想选择之一，并促进了人工神经网络系统的发展。当前忆阻特性能在多种材料中实现，包括有机物、过渡金属氧化物、钙钛矿金属氧化物、硫化物等。然而，目前的忆阻器还存在器件单元的阻变倍率较小，操作电流偏大的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本申请提供了一种柔性人工突触器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种柔性人工突触器件，其特征在于，包括基片，所述基片上依次沉积有底电极和顶电级；/n所述底电极上沉积有氧化钨薄膜；/n所述氧化钨的化学表达式为WO

【技术特征摘要】
1.一种柔性人工突触器件，其特征在于，包括基片，所述基片上依次沉积有底电极和顶电级；
所述底电极上沉积有氧化钨薄膜；
所述氧化钨的化学表达式为WOx，其中0＜x<3。


2.根据权利要求1所述的柔性人工突触器件，其特征在于，所述底电极选自金、银、铜、铝、铂或铟锡氧化物，所述顶电级选自金、银、铝或铜，所述基片选自PET或云母。


3.根据权利要求1所述的柔性人工突触器件，其特征在于，所述氧化钨薄膜的厚度为100～200nm。


4.根据权利要求1所述的柔性人工突触器件，其特征在于，所述柔性人工突触器件的结电阻为17～131KΩ，阈值电流为1mA。


5.根据权利要求1所述的柔性人工突触器件，其特征在于，所述柔性人工突触器件在施加电压幅值为2V，时间间隔为500ms时的循环时间为90s。


6.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐振华，张莉，胡松程，姚帝杰，刘志钢，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东;44