硫族化物存储器装置组件和组合物制造方法及图纸

描述了与硫族化物存储器组件和组合物相关或使用硫族化物存储器组件和组合物的系统、装置和方法。存储器单元的例如选择器装置、存储装置或自选存储器装置的组件可由硫族化物材料组合物制成。硫族化物材料可具有包含来自硼族的一或多种元素的组合物，所述硼族例如硼、铝、镓、铟或铊。举例来说，所述硫族化物材料可具有硒、锗以及硼、铝、镓、铟或铊中的至少一个的组合物。硫族化物材料在一些情况下，还可包含砷，但在一些情况下，可不具有砷。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】硫族化物存储器装置组件和组合物交叉参考本专利申请案主张凡蒂尼(Fantini)等人在2018年11月26日申请的标题为“硫族化物存储器装置组件和组合物(ChalcogenideMemoryDeviceComponentsandComposition)”的新加坡专利申请案10201810518W的优先权，并且主张凡蒂尼等人在2018年12月20日申请的标题为“硫族化物存储器装置组件和组合物(ChalcogenideMemoryDeviceComponentsandComposition)”的美国专利申请案第16/228,469号的优先权，所述专利申请案均转让给本受让人并且以引用的方式并入本文中。
技术介绍
下文大体上涉及存储器装置，且更具体地说，涉及硫族化物存储器装置组件和化学方法。存储器装置广泛地用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。举例来说，二进制装置具有常常由逻辑“1”或逻辑“0”表示的两种状态。在其它系统中，可存储多于两种状态。为了存取所存储信息，电子装置的组件可读取本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种物质组合物，其包括：/n大于或等于所述组合物的40原子％at.％的量的硒；/n在所述组合物的从8at.％到35at.％的范围内的量的锗；和/n选自由以下组成的群组的至少一种元素：硼、铝、镓、铟和铊，所述元素的量在所述组合物的从1at.％到15at.％的范围内。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181126 SG 10201810518W;20181220 US 16/228,4691.一种物质组合物，其包括：
大于或等于所述组合物的40原子％at.％的量的硒；
在所述组合物的从8at.％到35at.％的范围内的量的锗；和
选自由以下组成的群组的至少一种元素：硼、铝、镓、铟和铊，所述元素的量在所述组合物的从1at.％到15at.％的范围内。


2.根据权利要求1所述的组合物，其另外包括：
小于或等于所述组合物的30at.％的量的砷。


3.根据权利要求1所述的组合物，其另外包括：
小于或等于所述组合物的1at.％的量的砷。


4.根据权利要求1所述的组合物，其中所述组合物不包含砷。


5.根据权利要求1所述的组合物，其中所述锗的量在所述组合物的从20at.％到35at.％的范围内。


6.根据权利要求1所述的组合物，其中选自所述群组的所述至少一种元素包括在所述组合物的从1at.％到15at.％的范围内的量的铟。


7.根据权利要求1所述的组合物，其中选自所述群组的所述至少一种元素包括在所述组合物的从1at.％到15at.％的范围内的量的硼。


8.根据权利要求1所述的组合物，其中选自所述群组的所述至少一种元素包括在所述组合物的从1at.％到15at.％的范围内的量的铝。


9.根据权利要求1所述的组合物，其中选自所述群组的至少一种元素包括在所述组合物的从1at.％到15at.％的范围内的量的镓。


10.根据权利要求1所述的组合物，其中选自所述群组的至少一种元素包括在所述组合物的从1at.％到15at.％的范围内的量的铊。


11.一种设备，其包括：
存储器单元，其包括硫族化物材料，所述硫族化物材料包括：
大于或等于所述硫族化物材料的40原子％at.％的量的硒；
在所述硫族化物材料的从8at.％到35at.％的范围内的量的锗；和
选自由以下组成的群组的至少一种元素：硼、铝、镓、铟和铊，所述元素的量在所述硫族化物材料的从1at.％到15at.％的范围内。


12.根据权利要求11所述的设备，其中所述硫族化物材料包括：
小于或等于...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·瓦雷西，P·凡蒂尼，L·弗拉汀，S·A·伦加德，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US