选择器件及利用其的存储器件制造技术

本发明专利技术公开了选择器件及包括其的存储器件。本发明专利技术实施例的选择器件可提供高集成存储单元，因具有高可靠性及高选择率而能够在没有漏电的情况下选择所需的单元。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】选择器件及利用其的存储器件
本专利技术涉及选择器件及利用其的存储器件，更详细地，提供如下的选择器件及利用其的存储器件，即，利用掺杂有金属的选择层的金属浓度分布差和用于维持金属浓度分布差的防扩散层来实现高可靠性和高选择率。
技术介绍
迄今为止，半导体相关产业基于20世纪80年代的小型化、集成化及20世纪90年代的超小型化、高集成化已成功发展。这种成功以即使在器件尺寸变小的情况下也能够维持工作原理为基础。因此，在现有技术方式的延伸线上以进一步提高其技术为方向进行了所有研究开发，并且，当前取得了非常大的成功。但是，随着信息化和通信化的快速发展，半导体器件也逐渐需要更快速处理信息的能力及提高系统性能的能力，为此，作为核心部件的存储器件必须实现超高速化、超高集成化及超节电化。因此，对于可超高集成化的非易失性存储器件的需求正逐渐增加，以便存储大容量的信息。最近，作为新一代的非易失性存储器件有相变随机存取存储器(PRAM，PhaseChangeRAM)、纳米晶浮栅存储器(NFGM，NanoFloatingGateMem本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种选择器件，其特征在于，包括：/n第一电极；/n第二电极，与上述第一电极相向配置；/n至少一个选择层，配置在上述第一电极与上述第二电极之间，包括金属浓度分布；以及/n防扩散层，配置在上述第一电极、上述第二电极及上述至少一个选择层之间，用于防止上述金属的扩散。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181219 KR 10-2018-01656931.一种选择器件，其特征在于，包括：
第一电极；
第二电极，与上述第一电极相向配置；
至少一个选择层，配置在上述第一电极与上述第二电极之间，包括金属浓度分布；以及
防扩散层，配置在上述第一电极、上述第二电极及上述至少一个选择层之间，用于防止上述金属的扩散。


2.根据权利要求1所述的选择器件，其特征在于，
上述至少一个选择层由至少一个第一选择层及至少一个第二选择层组成，
上述至少一个第一选择层及上述至少一个第二选择层分别具有互不相同的金属掺杂浓度，具有金属浓度分布差。


3.根据权利要求1所述的选择器件，其特征在于，上述防扩散层通过防止掺杂在上述至少一个选择层的金属扩散至相邻层来维持上述至少一个选择层之间的金属浓度分布差。


4.根据权利要求1所述的选择器件，其特征在于，上述防扩散层能够通过调节厚度来控制上述金属浓度分布。


5.根据权利要求1所述的选择器件，其特征在于，上述第一电极及上述第二电极的物质为选自铂、钨、氮化钛、氮化钽、金、钌、铱、钯、钛、铪、钼及铌中的至少一种。


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【专利技术属性】
技术研发人员：朴在勤，
申请(专利权)人：汉阳大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：韩国;KR