一种二维材料阻变存储器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种二维材料阻变存储器及其制备方法，相比于化学气相沉积制备的阻变存储器具有制备方便和对设备没有依赖性等优势，对于滴铸、旋涂等方法制备的阻变存储器又具有均匀性好，重复性好，制备简单等优势。利用本发明专利技术所述方法制备的二维材料阻变存储器所展示了6个数量级的开关比，相比于其他传统材料在几十纳米以下表现出的2到3个数量级具有明显优势，并且高于基于滴铸法和旋涂法制备的二维材料阻变存储器所展示的4到5个数量级，在制备简单、对设备依赖性不高的情况下能够达到与化学气相沉积所制备的二维材料阻变存储器(7个数量级)相似的开关比，在这样的高开关比下阻变存储器还具有着多级储存的潜力。

【技术实现步骤摘要】
一种二维材料阻变存储器及其制备方法
本专利技术涉及阻变存储器领域，尤其涉及一种二维材料阻变存储器及其制备方法。
技术介绍
在当今信息爆炸的时代，信息存储成为了人们日常的必需，目前主流的存储器，如DRAM，SRAM和FLASH等，其存储技术均采用晶体管构建存储位元，然而CMOS工艺尺寸已经逐步接近其理论极限尺寸。由此阻变存储器应需而生，阻变存储器以其简单的三明治结构可以将其尺寸缩小在纳米级，这对于当今数字信息爆炸的时代无疑是具有巨大的潜力，其展示出存储密度是DRAM的10倍，存储速度比固态快1000倍。尤其是二维材料的加入使得阻变存储器的存储密度更上一个台阶。目前，阻变存储器制备中，二维材料的制备方法主要有化学气相沉淀、液相剥离、水热法等。其中化学气相沉淀能够得到大面积质量很好的二维材料薄膜，在阻变存储器上运用能产生的效果是最佳的，但是其对设备的要求、高温的需求以及效率低得缺点，使得二维材料阻变存储器仅能处在研究阶段。液相剥离得到的二维材料面积太小并不能直接用于阻变存储器还需利用其他工艺，如旋涂，滴铸等工艺使得二维材料形成均匀薄膜，而这两本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二维材料忆阻器制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n使用lift-off工艺加工第一衬底，得到第一样片；/n对第二衬底进行二维材料成膜处理；/n将第二衬底上的二维材料膜通过湿法转移到所述第一样片上，得到第二样片；/n在所述第二样片上沉积顶电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种二维材料忆阻器制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
使用lift-off工艺加工第一衬底，得到第一样片；
对第二衬底进行二维材料成膜处理；
将第二衬底上的二维材料膜通过湿法转移到所述第一样片上，得到第二样片；
在所述第二样片上沉积顶电极。


2.如权利要求1所述的二维材料忆阻器制备方法，其特征在于，使用lift-off工艺加工第一衬底，得到第一样片的步骤包括：
在第一衬底上光刻出电极图形；
在所述第一衬底上沉积底电极，然后通过去胶处理将所述底电极留在所述第一衬底上，得到第一样片。


3.如权利要求2所述的二维材料忆阻器制备方法，其特征在于，在所述第一衬底上沉积底电极的步骤中：
采用溅射工艺或者蒸发蒸镀工艺在所述第一衬底上沉积底电极。


4.如权利要求2所述的二维材料忆阻器制备方法，其特征在于，对第二衬底进行二维材料成膜处理的步骤包括：
配置二维材料的悬浊液，将所述悬浊液先水浴超声处理，然后离心处理，得到第一悬浊液；
将第二衬底固定在容器中，倒入去离子水，并淹没所述第二衬底；
将所述第一悬浊液的上清液倒入所述容器中，形成混合溶液；
对所述容器超声处理，然后静置，所述混合溶液液面上形成二维材料膜；
打开容器底部的排水开关，待所述混合溶液的液面下降，所述第二衬底承接所述二维材料膜；
将单抛硅片盖在所述二维材料膜上，用塑料膜盖在所述单抛硅片的上面，并用蜡密封四周，得到第三样片；
将所述第三样片烘干后加压处理，然后撤去所述蜡...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙堂友，涂杰，刘云，石卉，李海鸥，傅涛，刘兴鹏，王阳培华，肖功利，张法碧，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：发明
国别省市：广西;45