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一种形成半导体器件的方法包括：形成底部电极；形成介电层；形成与介电层接触的相变随机存取存储器(PCRAM)区域；以及形成顶部电极。介电层和PCRAM区域位于底部电极和顶部电极之间。在介电层中形成丝状物。丝状物与介电层接触。根据本申请的其他实...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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