高电子迁移率晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该制作方法为，主要先形成一图案化掩模于一基底上，然后利用图案化掩模去除基底以形成多个隆起部以及一受损层于该等隆起部上，然后去除该受损层，形成一阻障层于隆起部上，形成一P型半导体层于阻障层上，再形成一源极电极以及一漏极电极于P型半导体层两侧。

【技术实现步骤摘要】
高电子迁移率晶体管及其制作方法
本专利技术涉及一种高电子迁移率晶体管及其制作方法。
技术介绍
以氮化镓基材料(GaN-basedmaterials)为基础的高电子迁移率晶体管具有于电子、机械以及化学等特性上的众多优点，例如宽带隙、高击穿电压、高电子迁移率、大弹性模数(elasticmodulus)、高压电与压阻系数(highpiezoelectricandpiezoresistivecoefficients)等与化学钝性。上述优点使氮化镓基材料可用于如高亮度发光二极管、功率开关元件、调节器、电池保护器、面板显示驱动器、通讯元件等应用的元件的制作。
技术实现思路
本专利技术一实施例揭露一种制作高电子迁移率晶体管的方法，其主要先形成一图案化掩模于一基底上，然后利用图案化掩模去除基底以形成多个隆起部以及一受损层于该等隆起部上，然后去除该受损层，形成一阻障层于隆起部上，形成一P型半导体层于阻障层上，再形成一源极电极以及一漏极电极于P型半导体层两侧。本专利技术另一实施例揭露一种高电子迁移率晶体管，其主要包含多个隆起部沿着第一方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的方法，其特征在于，包含：/n形成缓冲层于基底上；/n形成图案化掩模于该缓冲层上；/n利用该图案化掩模去除该缓冲层以形成多个隆起部以及受损层于该多个隆起部上；/n去除该受损层；/n形成阻障层于该多个隆起部上；以及/n形成P型半导体层于该阻障层上。/n

【技术特征摘要】
1.一种制作高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor,HEMT)的方法，其特征在于，包含：
形成缓冲层于基底上；
形成图案化掩模于该缓冲层上；
利用该图案化掩模去除该缓冲层以形成多个隆起部以及受损层于该多个隆起部上；
去除该受损层；
形成阻障层于该多个隆起部上；以及
形成P型半导体层于该阻障层上。


2.如权利要求1所述的方法，另包含去除该缓冲层以形成多个凹槽于该多个隆起部之间。


3.如权利要求2所述的方法，其中该多个凹槽宽度大于180纳米。


4.如权利要求2所述的方法，其中该多个凹槽深度大于180纳米。


5.如权利要求2所述的方法，另包含进行一干蚀刻制作工艺去除该缓冲层以形成该多个隆起部以及该多个凹槽。


6.如权利要求2所述的方法，另包含进行一湿蚀刻制作工艺去除该缓冲层以形成该多个隆起部以及该多个凹槽。


7.如权利要求1所述的方法，另包含于去除该受损层之前去除该图案化掩模。


8.如权利要求1所述的方法，其中该受损层包含氮化镓。


9.如权利要求1所述的方法，其中该缓冲层包含氮化镓。


10.如权利要求1所述的方法，其中该阻障层包含AlxGa1-xN。


11.如权利要求1所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏柏文，张明华，吕水烟，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71