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高电子迁移率晶体管及其制作方法技术
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文档序号:29591725
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本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法,其中该制作方法为,主要先形成一图案化掩模于一基底上,然后利用图案化掩模去除基底以形成多个隆起部以及一受损层于该等隆起部上,然后去除该受损层,形成一阻障层于隆起部上,形成一P型半导体层于阻障层上,...
该专利属于联华电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。
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