新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件制造技术

本发明专利技术涉及半导体功率器件技术领域，尤其涉及一种新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件，包括发射极金属电极、栅极氧化物、IGBT多晶硅栅及沟道二极管多晶硅栅，所述发射极金属电极包括连接部及两个凸起部，所述连接部呈平板型，两所述凸起部一体成型于连接部的两端且两凸起部位于栅极氧化物的两端，所述栅极氧化物设置在连接部与两个凸起部之间并分别与连接部与两个凸起部连接，所述IGBT多晶硅栅及沟道二极管多晶硅栅设置在栅极氧化物的表面且间隔设置。本发明专利技术的新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件通过设置沟道二极管多晶硅栅，显著提高了反向恢复特性且降低了栅电荷特性，提升了开关特性同时使得功率损耗大大降低。

【技术实现步骤摘要】
新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件
本专利技术涉及半导体功率器件
，尤其涉及一种新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件。
技术介绍
逆导型IGBT是当前国际上一种新型的IGBT器件，他将IGBT元胞与FRD结构结合到一起来取得反向导通能力，在成本和性能上取得很大的优势，逐渐成为IGBT领域研究的重点。但市面上的一些逆导型IGBT器件的反向恢复特性较差、栅电荷特性较差，不利于逆导型IGBT性能的进一步发展。因此，现有技术存在不足，需要改进。
技术实现思路
为克服上述的技术问题，本专利技术提供了一种新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件。本专利技术解决技术问题的方案是提供一种新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件，包括发射极金属电极、栅极氧化物、IGBT多晶硅栅及沟道二极管多晶硅栅，所述发射极金属电极包括连接部及两个凸起部，所述连接部呈平板型，两所述凸起部一体成型于连接部的两端且两凸起部位于栅极氧化物的两端，所述栅极氧化物设置在连接部与两个凸起部之间并分别与连本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件，其特征在于：所述新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件包括发射极金属电极、栅极氧化物、IGBT多晶硅栅及沟道二极管多晶硅栅，所述发射极金属电极包括连接部及两个凸起部，所述连接部呈平板型，两所述凸起部一体成型于连接部的两端且两凸起部位于栅极氧化物的两端，所述栅极氧化物设置在连接部与两个凸起部之间并分别与连接部与两个凸起部连接，所述IGBT多晶硅栅及沟道二极管多晶硅栅设置在栅极氧化物的表面且间隔设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件，其特征在于：所述新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件包括发射极金属电极、栅极氧化物、IGBT多晶硅栅及沟道二极管多晶硅栅，所述发射极金属电极包括连接部及两个凸起部，所述连接部呈平板型，两所述凸起部一体成型于连接部的两端且两凸起部位于栅极氧化物的两端，所述栅极氧化物设置在连接部与两个凸起部之间并分别与连接部与两个凸起部连接，所述IGBT多晶硅栅及沟道二极管多晶硅栅设置在栅极氧化物的表面且间隔设置。


2.如权利要求1所述的新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件，其特征在于：所述新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件还包括两P++基区及两N++发射区，两所述P++基区对称设置，两所述N++发射区对称设置，其中一所述P++基区与一凸起部连接，其中一所述N++发射区分别与其中一所述P++基区及栅极氧化物连接，另一所述P++基区与另一凸起部连接，另一所述N++发射区分别与另一所述P++基区及栅极氧化物连接。


3.如权利要求2所述的新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件，其特征在于：所述新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件还包括两P+基区，两所述P+基区对称设置，所述P+基区呈倒L型，其中一所述P+基区分别与其中一所述P++基区、其中一所述N++发射区及栅极氧化物连接，另一所述P+基区分别与另一所述P++基区、另一所述N++发射区及栅极氧化物连接。


4.如权利要求3所述的新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件，其特征在于：所述新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件还包括载流子存储层，所述载流子存储层位于两P+基区之间并...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾云鹏，方星宇，周新田，李新宇，吴郁，胡冬青，许冬梅，王修中，
申请(专利权)人：北京工业大学，深圳吉华微特电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11