集成芯片制造技术

本发明专利技术实施例涉及于一种集成芯片，其包含基板、第一接触层、与栅极电极。第一接触层位于基板上方，栅极电极位于基板上方且与第一接触层横向间隔。第一间隔物结构围绕第一接触层的最外侧壁，并将栅极结构与第一接触层分开。第一硬罩幕结构设置于第一接触层上方，并位于第一间隔物结构的多个部分之间。第一接触导孔延伸穿过第一硬罩幕结构并接触第一接触层。第一衬层直接设置于第一硬罩幕结构与第一间隔物结构之间。

【技术实现步骤摘要】
集成芯片
本专利技术实施例涉及半导体技术，且特别涉及一种减轻间隔物结构损失的结构。
技术介绍
在过去数十年中，集成芯片(IntegratedChip，IC)工业经历了指数型成长。随着集成芯片的发展，当部件尺寸减少，功能密度(例如每个芯片面积上的半导体装置数目)增加。随着部件尺寸的减少，部件之间的干扰增加。为了减轻半导体装置的部件之间的干扰，正在研究在集成芯片(IC)中用于隔离的制造技术及/或部件。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种集成芯片，包含：基板；第一接触层，于基板上方；栅极电极，于基板上方，并与第一接触层横向间隔；第一间隔物结构，围绕第一接触层的最外侧壁，并将栅极电极与第一接触层分开；第一硬罩幕结构，设置于第一接触层上方，且位于第一间隔物结构的多个部分之间；第一接触导孔，延伸穿过第一硬罩幕结构并接触第一接触层；以及第一衬层，直接设置于第一硬罩幕结构与第一间隔物结构之间。本专利技术实施例提供了一种集成芯片，包含：基板；接触层，于基板上方；栅极电极，于基板上方，并与接触层横向间隔；间隔物结构，围绕接触层的最本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成芯片，包括：/n一基板；/n一第一接触层，于该基板上方；/n一栅极电极，于该基板上方，并与该第一接触层横向间隔；/n一第一间隔物结构，围绕该第一接触层的最外侧壁，并将该栅极电极与该第一接触层分开；/n一第一硬罩幕结构，设置于该第一接触层上方，且位于该第一间隔物结构的多个部分之间；/n一第一接触导孔，延伸穿过该第一硬罩幕结构并接触该第一接触层；以及/n一第一衬层，直接设置于该第一硬罩幕结构与该第一间隔物结构之间。/n

【技术特征摘要】
20200304 US 16/808,9021.一种集成芯片，包括：
一基板；
一第一接触层，于该基板上方；
一栅极电极，于该基板上方，并与该第一接触层横向间隔；
一第一间隔物结构，围绕该第一接触层的最...

【专利技术属性】
技术研发人员：游力蓁，黄麟淯，庄正吉，林佑明，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71