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本发明实施例涉及于一种集成芯片，其包含基板、第一接触层、与栅极电极。第一接触层位于基板上方，栅极电极位于基板上方且与第一接触层横向间隔。第一间隔物结构围绕第一接触层的最外侧壁，并将栅极结构与第一接触层分开。第一硬罩幕结构设置于第一接触层上方...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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