半导体装置制造方法及图纸

得到能够改善电容特性的半导体装置。在第1导电型的半导体衬底(1)的上表面侧形成有多个栅极沟槽(2)。栅极电极(3)填埋于多个栅极沟槽(2)。多个哑栅极沟槽(9)在半导体衬底(1)的上表面侧，以等间隔形成于相邻的栅极沟槽(2)之间。哑栅极电极(10)填埋于多个哑栅极沟槽(9)，连接于发射极电极(13)。相邻的栅极沟槽(2)和哑栅极沟槽(9)的间隔比相邻的哑栅极沟槽(9)彼此的间隔小。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
提出了在相邻的栅极沟槽之间形成多个哑沟槽，栅极沟槽比哑沟槽浅的半导体装置(例如，参照专利文献1)。专利文献1：日本特开2019-186318号公报就现有的半导体装置而言，包含栅极沟槽和哑沟槽的全部沟槽的间隔是固定的。由此，具有特异的电容特性波形，因此存在引起振荡或器件的误动作的风险。
技术实现思路
本专利技术就是为了解决上述那样的课题而提出的，其目的在于得到能够改善电容特性的半导体装置。本专利技术涉及的半导体装置的特征在于，具有：第1导电型的半导体衬底；多个栅极沟槽，它们形成于所述半导体衬底的上表面侧；栅极电极，其填埋于所述多个栅极沟槽；栅极绝缘膜，其形成于所述栅极电极和所述半导体衬底之间；第2导电型的沟道层，其形成于所述半导体衬底的上表面侧的表层部；第2导电型的接触层，其形成于所述沟道层的表层部，与所述沟道层相比杂质的峰值浓度高；第1导电型的发射极层，其以与所述栅极沟槽相邻的方式形成于所述沟道层的表层部；发射极电极，其连接于所述接触层；多个哑栅极沟槽本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：/n第1导电型的半导体衬底；/n多个栅极沟槽，它们形成于所述半导体衬底的上表面侧；/n栅极电极，其填埋于所述多个栅极沟槽；/n栅极绝缘膜，其形成于所述栅极电极和所述半导体衬底之间；/n第2导电型的沟道层，其形成于所述半导体衬底的上表面侧的表层部；/n第2导电型的接触层，其形成于所述沟道层的表层部，与所述沟道层相比杂质的峰值浓度高；/n第1导电型的发射极层，其以与所述栅极沟槽相邻的方式形成于所述沟道层的表层部；/n发射极电极，其连接于所述接触层；/n多个哑栅极沟槽，其在所述半导体衬底的上表面侧，以等间隔形成于相邻的所述栅极沟槽之间；/n哑栅极电极，其填埋于所...

【技术特征摘要】
20200206 JP 2020-0189141.一种半导体装置，其特征在于，具有：
第1导电型的半导体衬底；
多个栅极沟槽，它们形成于所述半导体衬底的上表面侧；
栅极电极，其填埋于所述多个栅极沟槽；
栅极绝缘膜，其形成于所述栅极电极和所述半导体衬底之间；
第2导电型的沟道层，其形成于所述半导体衬底的上表面侧的表层部；
第2导电型的接触层，其形成于所述沟道层的表层部，与所述沟道层相比杂质的峰值浓度高；
第1导电型的发射极层，其以与所述栅极沟槽相邻的方式形成于所述沟道层的表层部；
发射极电极，其连接于所述接触层；
多个哑栅极沟槽，其在所述半导体衬底的上表面侧，以等间隔形成于相邻的所述栅极沟槽之间；
哑栅极电极，其填埋于所述多个哑栅极沟槽，连接于所述发射极电极；以及
哑栅极绝缘膜，其形成于所述哑栅极电极和所述半导体衬底之间，
相邻的所述栅极沟槽和所述哑栅极沟槽的间隔比相邻的所述哑栅极沟槽彼此的间隔小。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
将相邻的所述哑栅极沟槽彼此的间隔设为T2，将所述栅极沟槽的宽度的半值设为rt1，将所述哑栅极沟槽的宽度的半值设...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈则，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP