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得到能够改善电容特性的半导体装置。在第1导电型的半导体衬底(1)的上表面侧形成有多个栅极沟槽(2)。栅极电极(3)填埋于多个栅极沟槽(2)。多个哑栅极沟槽(9)在半导体衬底(1)的上表面侧，以等间隔形成于相邻的栅极沟槽(2)之间。哑栅极电极...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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