半导体结构及其制作方法技术

本发明专利技术实施例提供一种半导体结构及其制作方法，包括：基底；第一器件，位于基底上；第一接合柱，位于第一器件外周的基底上，且与基底电连接；引线，引线的一端与第一器件电连接形成第一键合点，引线的另一端与第一接合柱电连接形成第二键合点，在基底指向第一器件的方向上，第二键合点不低于第一键合点。本发明专利技术实施例有利于降低第一键合点和第二键合点开裂的的概率，以提高半导体结构的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制作方法
本专利技术实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及其制作方法。
技术介绍
随着技术进步，半导体封装的集成度和整合度逐步增强，电子设备向微型化、高速、高可靠、低成本和低功耗的方向发展。半导体封装中的连接通常是通过引线键合实现的。引线键合(WireBonding)是用金属丝将芯片的I/O端与对应的封装引脚或基板上焊盘互连。固相焊接过程，采用加热、加压和超声波能量，破坏表面氧化层和污染，产生塑性变形，界面亲密接触发生电子共享和原子扩散形成焊点。
技术实现思路
本专利技术实施例解决的技术问题为提供一种半导体结构及其制作方法，有利于降低第一键合点和第二键合点开裂的的概率，以提高半导体结构的稳定性。为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构，包括：基底；第一器件，位于所述基底上；第一接合柱，位于所述第一器件外周的所述基底上，且与所述基底电连接；引线，所述引线的一端与所述第一器件电连接形成第一键合点，所述引线的另一端与所述第一接合柱电连接形成第二键合点，在所述基底指向所述第一器件的方向上，所述第二键合点不低于所述第一键合点。另外，所述基底具有暴露在所述基底表面的接合垫，所述第一接合柱与所述接合垫电连接。另外，所述第一器件在远离所述基底的表面上设有暴露的焊垫，所述焊垫与所述引线键合形成所述第一键合点。另外，所述第一键合点包括楔形键合点，靠近所述第一键合点的部分所述引线沿平行于所述焊垫顶面的方向上延伸，所述第一接合柱顶面于所述焊垫底顶面齐平。r>另外，所述第一键合点包括球形键合点，靠近所述球形键合点的部分所述引线沿垂直于所述焊垫顶面的方向上延伸，所述第一接合柱顶面高于所述焊垫底顶面。另外，所述引线包括引线颈部，所述引线颈部位于所述引线沿所述第一键合点向上延伸的折弯处，所述第一接合柱和所述第一器件之间具间隔，所述引线颈部位于所述间隔中。另外，半导体结构还包括：塑封层，所述塑封层填充所述间隔，且覆盖所述引线颈部。另外，半导体结构还包括：第二器件，所述第二器件位于所述第一器件远离所述基底的一侧；第二接合柱，所述第二接合柱位于所述第二器件外周的所述基底上，且与所述基底电连接，与所述第一接合柱相互间隔；接合线，所述接合线的一端与所述第二接合柱电连接，所述接合线的另一端与所述第二器件电连接。另外，所述第一接合柱、所述引线和所述第一器件围成的区域在所述基底上的正投影为第一投影，所述第二器件在所述基底上的正投影为第二投影，所述第二投影覆盖所述第一投影，且所述第二接合柱在所述基底上的正投影为第三投影，所述第三投影位于所述第一投影之外；半导体结构还包括：密封层，所述密封层覆盖所述第二器件、所述第二接合柱以及所述接合线。另外，所述第二器件包括多个芯片堆叠的封装体，且多个所述芯片沿所述基底指向所述第一器件的方向依次堆叠设置。另外，所述芯片具有暴露在所述芯片远离所述基底表面的焊盘，不同所述芯片的至少一个所述焊盘与同一所述第二接合柱通过所述接合线电连接。另外，所述第一接合柱远离所述基底的一侧具有凹槽，所述凹槽内填充满接合剂；所述第二键合点在所述基底上的正投影覆盖所述凹槽在所述基底上的正投影。相应地，本专利技术实施例还提供一种半导体结构的制作方法，包括：提供基底；在所述基底上形成第一器件；在所述第一器件外周的所述基底上形成第一接合柱；采用引线连接所述第一接合柱和所述第一器件，所述引线的一端与所述第一器件电连接形成第一键合点，所述引线的另一端与所述第一接合柱电连接形成第二键合点，在所述基底指向所述第一器件的方向上，所述第二键合点不低于所述第一键合点。另外，在形成所述第一接合柱时，还形成与所述第一接合柱相互间隔的第二接合柱，形成所述第一接合柱和所述第二接合柱的步骤包括：在所述基底上形成牺牲层；图形化所述牺牲层，形成露出所述基底的通孔；形成填充满所述通孔的所述第一接合柱和所述第二接合柱；去除剩余所述牺牲层；在形成所述第一器件之后，还包括：在所述第一器件远离所述基底的一侧形成塑封层，所述塑封层包裹所述第一器件、所述第一接合柱和所述引线；在所述塑封层远离所述基底的一侧形成第二器件，所述第二器件在所述基底上的正投影覆盖所述塑封层在所述基底上的正投影；采用接合线连接所述第二接合柱和所述第二器件。另外，采用所述引线连接所述第一接合柱和所述第一器件的步骤包括：在所述第一接合柱上形成凹槽；在所述凹槽中填充接合剂；将所述引线的一端键合在所述第一器件上，将所述引线的另一端键合在所述第一接合柱顶面和所述接合剂顶面上。与相关技术相比，本专利技术实施例提供的技术方案具有以下优点：上述技术方案中，基底上具有与基底电连接的第一接合柱，引线两端分别与第一接合柱和第一器件接触电连接，以实现电信号在基底与第一器件之间的传递。在基底上设置了第一接合柱，使得在基底指向第一器件的方向上，第二键合点不低于第一键合点，有利于降低第一键合点和第二键合点之间的高度差，从而降低引线的弯曲程度，即使在第一键合点与第二键合点之间的间距减小的情况下，也可以通过降低第一键合点和第二键合点之间的高度差来缓解引线的弯曲程度，从而有利于降低第一键合点和第二键合点开裂的概率，以提高半导体结构的稳定性。附图说明一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。图1至图3为本专利技术一实施例提供的半导体结构对应的剖面结构示意图；图4至图9为本专利技术又一实施例提供的半导体结构的剖面结构示意图；图10至图18为另一实施例提供的半导体结构的形成方法中各步骤对应的结构示意图；图19至图23为再一实施例提供的半导体结构的形成方法中各步骤对应的结构示意图。具体实施方式由
技术介绍
可知，目前引线与芯片的I/O端与封装引脚或基板上焊盘之间的连接强度有待提高，半导体结构的稳定性有待提高。经分析发现，为追求更高的封装集成度，芯片的I/O端与封装引脚或基板上焊盘之间的间距不可避免会进一步缩减。此时，芯片的I/O端与封装引脚或基板上的焊盘之间的高度差，会进一步增大连接芯片的I/O端与封装引脚或基板上的焊盘的引线的弯曲程度，使得引线在芯片的I/O端与封装引脚或基板上的焊盘处更容易因弯曲程度过大而开裂。为解决上述问题，本专利技术实施提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构中，基底上具有第一接合柱，使得在基底指向第一器件的方向上，第二键合点不低于第一键合点，有利于降低第一键合点和第二键合点之间的高度差，从而降低引线的弯折弧度，即使在第一键合点与第二键合点之间的间距减小的情况下，也可以通过降低第一键合点和第二键合点之间的高度差来缓解引线的弯折弧度，从而有利于降低第一键合点和第二键合点开裂的概率，以提高半导体结构的稳定性。为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本专利技术各实施例中，为了使读者更好地理解本申本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n基底；/n第一器件，位于所述基底上；/n第一接合柱，位于所述第一器件外周的所述基底上，且与所述基底电连接；/n引线，所述引线的一端与所述第一器件电连接形成第一键合点，所述引线的另一端与所述第一接合柱电连接形成第二键合点，在所述基底指向所述第一器件的方向上，所述第二键合点不低于所述第一键合点。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底；
第一器件，位于所述基底上；
第一接合柱，位于所述第一器件外周的所述基底上，且与所述基底电连接；
引线，所述引线的一端与所述第一器件电连接形成第一键合点，所述引线的另一端与所述第一接合柱电连接形成第二键合点，在所述基底指向所述第一器件的方向上，所述第二键合点不低于所述第一键合点。


2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底具有暴露在所述基底表面的接合垫，所述第一接合柱与所述接合垫电连接。


3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一器件在远离所述基底的表面上设有暴露的焊垫，所述焊垫与所述引线键合形成所述第一键合点。


4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一键合点包括楔形键合点，靠近所述第一键合点的部分所述引线沿平行于所述焊垫顶面的方向上延伸，所述第一接合柱顶面与所述焊垫底顶面齐平。


5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一键合点包括球形键合点，靠近所述第一键合点的部分所述引线沿垂直于所述焊垫顶面的方向上延伸，所述第一接合柱顶面高于所述焊垫底顶面。


6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述引线包括引线颈部，所述引线颈部位于所述引线沿所述第一键合点向上延伸的折弯处，所述第一接合柱和所述第一器件之间具有间隔，所述引线颈部位于所述间隔中。


7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包括：塑封层，所述塑封层填充所述间隔，且覆盖所述引线颈部。


8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
第二器件，所述第二器件位于所述第一器件远离所述基底的一侧；
第二接合柱，所述第二接合柱位于所述第二器件外周的所述基底上，且与所述基底电连接，与所述第一接合柱相互间隔；
接合线，所述接合线的一端与所述第二接合柱电连接，所述接合线的另一端与所述第二器件电连接。


9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第一接合柱、所述引线和所述第一器件围成的区域在所述基底上的正投影为第一投影，所述第二器件在所述基底上的正投影为第二投影，所述第二投影覆盖所述第一投影，且所述第二接合柱在所述基底上的正投影为第三投影，所述第三投影位于所述第一投影...

【专利技术属性】
技术研发人员：张丽霞，刘杰，应战，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34