【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术是有关于一种记忆卡结合改进结构，特别是指一种于上盖设置接合凸缘与钩合槽，边框设置接合槽孔与上盖的接合凸缘相配合接合，下盖设置扣钩，钩合于上盖的钩合槽，使记忆卡整体外壳形成一由金属构件相交叠严密接合、可有效防止EMI漏出而造成干扰，且组装容易、结合紧密的记忆卡结合。常见的记忆卡结合结构，有多种方式，一般采用热熔胶粘合、超声波接合，激光焊接或机械扣合等，但其在使用时不免有下列缺点1、热熔胶粘合式，其加工时间较长、成本较高，同时其成品有缝隙，电磁干扰(EMI)会漏出而造成干扰，且受热时容易挠曲翘开。2、超声波接合式，其于加工时容易造成损坏，且成品有缝隙，EMI会漏出而造成干扰。3、激光焊接式，其加工时间较长、成本较高，且设备费用相当昂贵。4、机械扣合式，如附附图说明图1所示，由上盖100的侧边延伸设置一钩持部1001，钩于边框200侧边的凸缘2001，下盖300以侧端的弯折3001嵌入边框200底部的接合槽2002中，使其结合为一整体，其在使用时加工方便、成本降低，但因结合强度差，容易造成松脱。鉴于常见的记忆卡结合结构有上述的缺陷，本技术是针对该些缺陷加以研...
【技术保护点】
一种记忆卡结合改进结构，其特征在于：其至少包括：一上盖（１）、一边框（２）及一下盖（３）等所组成，其中，上盖于适当位置，设有多个接合凸缘（１１）及钩合槽（１２）；边框于与接合凸缘相对应位置设有多个接合槽孔（２１）；下盖与钩合槽相对应位置设有多个扣钩（３１）；当组合时，接合凸缘嵌入接合槽孔中，使上盖与边框相结合，扣钩钩合于钩合槽，使下盖与上盖结合，形成整体稳固的结合，且周边为交叠设置有效防止ＥＭＩ漏出而造成干扰的结构。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
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