封装结构及其成型方法技术

本发明专利技术涉及的一种封装结构及其成型方法，所述成型方法包括步骤：在封装模块处形成至少两个连接部；于所述封装模块上搭载一体化外连接框架结构，所述外连接框架结构的至少两个外连接部分别连接所述至少两个连接部，相邻外连接部之间的连接梁朝远离所述封装模块的一侧凸伸于所述外连接部；形成包封所述外连接部的塑封层；减薄所述外连接框架结构及所述塑封层，以使得所述连接梁与所述外连接部断开连接且所述外连接部暴露于所述塑封层。通过上述设置，可解决目前封装结构中将封装模块中的连接部露出塑封层表面时带来的工艺要求高、工艺复杂繁琐等问题。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其成型方法
本专利技术涉及封装
，尤其涉及一种封装结构及其成型方法。
技术介绍
在POP封装和SIP封装等封装中，封装模块通常需要与其他外部模块进行电性连接或导热连接等连接。封装模块上形成塑封层之后，需要对塑封层再次加工，以将封装模块内用于外部连接的连接部露出塑封层表面。其中，封装模块可包括基板或芯片组件或两者组合，连接部则可以是基板内嵌设的焊盘、芯片组件上的设置的散热部或电性连接部等。目前，业内通常有两种工艺加工方法来露出焊盘这个电性连接部：如图1所示，第一种工艺中，在局部塑封的POP封装结构中，先对塑封层9激光开孔再植入两颗金属球或一颗大金属球，金属球21与基板的焊盘311电性连接，以满足塑封层9表面的电性连接需求；如图2所示，第二种工艺中，将铜块22焊接至基板的焊盘311或在基板焊盘311生长形成铜柱22，使得铜块或铜柱露出塑封层9表面，以满足塑封层9表面的电性连接需求。这两种方法工艺繁琐、工艺要求较高、成本较高，并且面临焊盘烧焦、金属球氧化、对位偏移、二次重融时位置偏移、金属表面不平整等风险。同时，塑封层表面还需单独加工以满足芯片组件表面的各种连接需求，使得封装结构整体加工工艺复杂繁琐、不利于量产。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种封装结构及其成型方法，以解决目前封装结构中将封装模块中的连接部露出塑封层表面时带来的工艺要求高、工艺复杂繁琐等问题。为了实现上述专利技术目的之一，本专利技术一实施方式提供一种封装结构的成型方法，包括步骤：在封装模块处形成至少两个连接部；于所述封装模块上搭载一体化外连接框架结构，所述外连接框架结构的至少两个外连接部分别连接所述至少两个连接部，相邻外连接部之间的连接梁朝远离所述封装模块的一侧凸伸于所述外连接部；形成包封所述外连接部的塑封层；减薄所述外连接框架结构及所述塑封层，以使得所述连接梁与所述外连接部断开连接且所述外连接部暴露于所述塑封层。作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：将芯片组件连接至基板以形成所述封装模块，所述基板处的焊盘作为第一连接部，所述芯片组件处的散热部作为第二连接部。作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：将所述芯片组件处的电性连接部作为第三连接部。作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：于所述连接部上设置互连结构，所述互连结构连接所述外连接部与所述连接部。作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：形成包覆所述外连接框架结构的塑封层。作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：对所述外连接框架结构及所述塑封层进行平面研磨或蚀刻，以完全除去所述连接梁。作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：对金属结构一体成型加工形成所述外连接框架结构，所述连接梁连接所有外连接部。作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：弯折所述金属结构的边缘形成竖直延伸的金属引脚，以作为第一外连接部。作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：冲压所述金属结构的上表面形成凹陷部，所述凹陷部的下端作为第二外连接部。作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：至少两排金属引脚并列排布。作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：金属引脚的下端至少部分水平延伸形成延伸引脚。作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：所述外连接部的上端表面积大于下端表面积。本专利技术一实施方式还提供一种封装结构，所述封装结构为通过上述任意一项方法成型的封装结构。与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：通过将一体化外连接框架结构搭载于封装模块上，使得外连接框架结构的外连接部分别连接至封装模块的连接部，并在塑封工艺后通过减薄工艺除去连接梁，使得所有外连接部相互断开连接且均暴露于塑封层表面，来满足封装模块与外界的电性连接、散热连接等连接需求，可极大简化封装加工工艺、提高量产效率及量产稳定性。附图说明图1、图2是现有技术中两种焊盘露出的封装结构示意图；图3是本专利技术实施例中封装结构成型方法的流程示意图；图4、5是本专利技术实施例中两种成型后的封装结构的结构示意图；图6是本专利技术实施例中外连接框架结构的截面示意图；图7是本专利技术实施例中外连接框架结构的平面示意图；图8是本专利技术实施例中多排金属引脚的结构示意图；图9是本专利技术又一实施例中外连接框架结构的截面示意图；图10是本专利技术实施例中封装结构与外部散热器、母板的连接结构示意图；图11是本专利技术第一实施例中成型步骤的结构示意图；图12是本专利技术第二实施例中成型步骤的结构示意图。具体实施方式为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施方式及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。下面详细描述本专利技术的实施方式，实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。如图3至图9所示，本专利技术一实施例提供了一种封装结构的成型方法，所述方法包括以下步骤，下面进行具体说明：S2在封装模块3处形成至少两个连接部；S4于所述封装模块3上搭载一体化外连接框架结构5，所述外连接框架结构5的至少两个外连接部分别连接所述至少两个连接部，相邻外连接部之间的连接梁52朝远离所述封装模块3的一侧凸伸于所述外连接部；S6形成包封所述外连接部的塑封层9；S8减薄所述外连接框架结构5及所述塑封层9，以使得所述连接梁52与所述外连接部断开连接且所述外连接部暴露于所述塑封层9。本专利技术提供的实施例中，封装模块3可由基板31、芯片组件33或两者组成，封装模块3在塑封后，需要将用于外部连接的连接部露出塑封层9表面，连接部则可以是基板31内嵌设的焊盘311、芯片组件33上设置的散热部332或电性连接部333等。为降低整体加工复杂程度、提高量产效率，本实施例中可先提供一个一体化的外连接框架结构5，外连接框架结构5设有至少两个外连接部，相邻外连接部通过连接梁52连接。其中，外连接部可由铜之类的金属结构构成，一体化外连接框架结构5的连接梁52材料不限，可以是金属或非金属。当连接梁52与外连接部是同材质金属时，外连接框架结构5可以是一个整体金属框架，可以通过冲压、锻造或铸造等工艺实现。如图3所示，封装模块3上形成至少两个连接部后，将外连接框架结构5设于封装模块3上方，使得外连接框架结构5的外连接部与封装模块3的连接部一一相互对应并连接。此时，连接梁52朝远离封装模块3的一侧凸伸，即连本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构的成型方法，其特征在于，包括步骤：/n在封装模块处形成至少两个连接部；/n于所述封装模块上搭载一体化外连接框架结构，所述外连接框架结构的至少两个外连接部分别连接所述至少两个连接部，相邻外连接部之间的连接梁朝远离所述封装模块的一侧凸伸于所述外连接部；/n形成包封所述外连接部的塑封层；/n减薄所述外连接框架结构及所述塑封层，以使得所述连接梁与所述外连接部断开连接且所述外连接部暴露于所述塑封层。/n

【技术特征摘要】
1.一种封装结构的成型方法，其特征在于，包括步骤：
在封装模块处形成至少两个连接部；
于所述封装模块上搭载一体化外连接框架结构，所述外连接框架结构的至少两个外连接部分别连接所述至少两个连接部，相邻外连接部之间的连接梁朝远离所述封装模块的一侧凸伸于所述外连接部；
形成包封所述外连接部的塑封层；
减薄所述外连接框架结构及所述塑封层，以使得所述连接梁与所述外连接部断开连接且所述外连接部暴露于所述塑封层。


2.根据权利要求1所述的封装结构的成型方法，其特征在于，步骤“在封装模块处形成至少两个连接部”具体包括：
将芯片组件连接至基板以形成所述封装模块，所述基板处的焊盘作为第一连接部，所述芯片组件处的散热部作为第二连接部。


3.根据权利要求2所述的封装结构的成型方法，其特征在于，在步骤“所述芯片组件处的散热部作为第二连接部”之后，所述方法还包括：
将所述芯片组件处的电性连接部作为第三连接部。


4.根据权利要求1所述的封装结构的成型方法，其特征在于，步骤“所述外连接框架结构的至少两个外连接部分别连接所述至少两个连接部”具体包括：
于所述连接部上设置互连结构，所述互连结构连接所述外连接部与所述连接部。


5.根据权利要求1所述的封装结构的成型方法，其特征在于，步骤“形成包封所述外连接部的塑封层”具体包括：
形成包覆所述外连接框架结构的塑封层。


6.根据权利要求1所述的封装结构的成型方法，其特征在于，步骤“减薄所述外连接框架结构及所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：史海涛，林耀剑，周莎莎，何晨烨，陈建，陈雪晴，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32