一种基于微孔硅陶瓷的大电流MOSFET封装工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种基于微孔硅陶瓷的大电流MOSFET封装工艺，包括以下步骤：S1、微孔硅陶瓷散热片安装，准备框架，其中框架包括第一框架和第二框架，第二框架位于第一框架的顶部，微孔硅陶瓷散热片安装于第二框架的顶部内壁，微孔硅陶瓷散热片为底部开口的空腔结构。本发明专利技术有益效果是：通过设置的微孔硅陶瓷散热片，由于陶瓷本身微孔洞的结构，极大的增加了与空气接触的散热面积，大大增强了散热效果，使得MOS芯片本体的散热效果更佳，以及使得MOS芯片本体被弹性固定在支撑板和微孔硅陶瓷散热片之间，这样就能有效的缓解由于热等外部环境的变化而产生的应力以及由于芯片发热而产生的应力，从而导致的芯片损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种基于微孔硅陶瓷的大电流MOSFET封装工艺
本专利技术涉及MOS芯片
，特别涉及一种基于微孔硅陶瓷的大电流MOSFET封装工艺。
技术介绍
MOS管，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型。在电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。高清、液晶、等离子电视中广泛的应用了MOS管，以取代过去的大功率晶体三极管，大大提高了整机的效率、可靠性、降低了整机的故障率，MOS芯片在制作完成之后，加上一个外壳，即MOS管封装，现有技术中MOS管封装后，其散热效果差，而且由于热等外部环境的变化而产生的应力以及由于芯片发热而产生的应力，容易导致芯片损坏，为此，我们提出一种基于微孔硅陶瓷的大电流MOSFET封装工艺。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种基于微孔硅陶瓷的大电流MOSFET封装工艺，可以有效解决
技术介绍
中MOS管封装后，其散热效果差，而且由于热等外部环境的变化而产生的应力以及由于芯片发热而产生的应力，容易导致芯片损坏的问题。为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：一种基于微孔硅陶瓷的大电流MOSFET封装工艺，包括以下步骤：S1、微孔硅陶瓷散热片安装，准备框架，其中框架包括第一框架和第二框架，第二框架位于第一框架的顶部，微孔硅陶瓷散热片安装于第二框架的顶部内壁，微孔硅陶瓷散热片为底部开口的空腔结构，微孔硅陶瓷散热片的两侧均固定连接有散热带；S2、抗膨胀组件安装，在第一框架内设置支撑板，支撑板的底部与第一框架的底部内壁通过若干弹簧连接，且支撑板与第一框架之间设有若干伸缩杆；S3、安装MOS芯片本体，在步骤S2完成后，把MOS芯片本体放置于支撑板的顶部，MOS芯片本体的顶端位于微孔硅陶瓷散热片的空腔内，且弹簧处于压缩状态，进而通过弹簧的弹力，使得MOS芯片本体被弹性固定在微孔硅陶瓷散热片和支撑板之间；S4、框架组合，第一框架上开设有卡槽，第二框架上设有弹性卡扣，进而第二框架上的弹性卡扣卡入第一框架上的卡槽内，从而使得第一框架和第二框架卡接在一起；S5、框架固定，第一框架上设有两个安装座，安装座的顶部开设有安装孔，且安装孔为沉孔。所述步骤S1中散热带为金属散热带。所述步骤S2中伸缩杆由一个母管和子杆组成，子杆的一端插入母管内，子杆的另一端与支撑板固定连接，母管远离支撑板的一端与第一框架固定连接。所述步骤S2中支撑板为金属散热板。所述步骤S3中支撑板的顶部固定连接有限位环，且限位环套设于MOS芯片本体的底端。所述步骤S4中第一框架的顶部固定连接有若干限位柱，第二框架的底部开设有若干限位槽，且限位柱插入相对应的限位槽内。与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：通过设置的微孔硅陶瓷散热片，由于陶瓷本身微孔洞的结构，极大的增加了与空气接触的散热面积，大大增强了散热效果，使得MOS芯片本体的散热效果更佳，通过设置的支撑板、弹簧和伸缩杆，可以使得MOS芯片本体被弹性固定在支撑板和微孔硅陶瓷散热片之间，这样就能有效的缓解由于热等外部环境的变化而产生的应力以及由于芯片发热而产生的应力，从而导致的芯片损坏，通过设置的卡槽和弹性卡扣，便于第一框架和第二框架之间的拆装，方便实际使用。附图说明图1为本专利技术一种基于微孔硅陶瓷的大电流MOSFET封装工艺的工艺流程示意图。具体实施方式为使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本专利技术。实施例1如图1所示的一种基于微孔硅陶瓷的大电流MOSFET封装工艺，包括以下步骤：S1、微孔硅陶瓷散热片安装，准备框架，其中框架包括第一框架和第二框架，第二框架位于第一框架的顶部，微孔硅陶瓷散热片安装于第二框架的顶部内壁，微孔硅陶瓷散热片为底部开口的空腔结构，微孔硅陶瓷散热片的两侧均固定连接有散热带；S2、抗膨胀组件安装，在第一框架内设置支撑板，支撑板的底部与第一框架的底部内壁通过若干弹簧连接，且支撑板与第一框架之间设有若干伸缩杆；S3、安装MOS芯片本体，在步骤S2完成后，把MOS芯片本体放置于支撑板的顶部，MOS芯片本体的顶端位于微孔硅陶瓷散热片的空腔内，且弹簧处于压缩状态，进而通过弹簧的弹力，使得MOS芯片本体被弹性固定在微孔硅陶瓷散热片和支撑板之间；S4、框架组合，第一框架上开设有卡槽，第二框架上设有弹性卡扣，进而第二框架上的弹性卡扣卡入第一框架上的卡槽内，从而使得第一框架和第二框架卡接在一起；S5、框架固定，第一框架上设有两个安装座，安装座的顶部开设有安装孔，且安装孔为沉孔。其中，步骤S1中散热带为金属散热带；步骤S2中伸缩杆由一个母管和子杆组成，子杆的一端插入母管内，子杆的另一端与支撑板固定连接，母管远离支撑板的一端与第一框架固定连接；步骤S2中支撑板为金属散热板；步骤S3中支撑板的顶部固定连接有限位环，且限位环套设于MOS芯片本体的底端；步骤S4中第一框架的顶部固定连接有若干限位柱，第二框架的底部开设有若干限位槽，且限位柱插入相对应的限位槽内。需要说明的是，本专利技术为一种基于微孔硅陶瓷的大电流MOSFET封装工艺，在封装时，准备框架，其中框架包括第一框架和第二框架，第二框架位于第一框架的顶部，微孔硅陶瓷散热片安装于第二框架的顶部内壁，微孔硅陶瓷散热片为底部开口的空腔结构，微孔硅陶瓷散热片的两侧均固定连接有散热带，步骤S1中散热带为金属散热带，在第一框架内设置支撑板，支撑板的底部与第一框架的底部内壁通过若干弹簧连接，且支撑板与第一框架之间设有若干伸缩杆，其中伸缩杆由一个母管和子杆组成，子杆的一端插入母管内，子杆的另一端与支撑板固定连接，母管远离支撑板的一端与第一框架固定连接，支撑板为金属散热板，进而把MOS芯片本体放置于支撑板的顶部，MOS芯片本体的顶端位于微孔硅陶瓷散热片的空腔内，且弹簧处于压缩状态，进而通过弹簧的弹力，使得MOS芯片本体被弹性固定在微孔硅陶瓷散热片和支撑板之间，支撑板的顶部固定连接有限位环，且限位环套设于MOS芯片本体的底端，第一框架上开设有卡槽，第二框架上设有弹性卡扣，进而第二框架上的弹性卡扣卡入第一框架上的卡槽内，从而使得第一框架和第二框架卡接在一起，第一框架的顶部固定连接有若干限位柱，第二框架的底部开设有若干限位槽，且限位柱插入相对应的限位槽内，第一框架上设有两个安装座，安装座的顶部开设有安装孔，且安装孔为沉孔。显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本专利技术创造的保护范围之中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于微孔硅陶瓷的大电流MOSFET封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、微孔硅陶瓷散热片安装，准备框架，其中框架包括第一框架和第二框架，第二框架位于第一框架的顶部，微孔硅陶瓷散热片安装于第二框架的顶部内壁，微孔硅陶瓷散热片为底部开口的空腔结构，微孔硅陶瓷散热片的两侧均固定连接有散热带；/nS2、抗膨胀组件安装，在第一框架内设置支撑板，支撑板的底部与第一框架的底部内壁通过若干弹簧连接，且支撑板与第一框架之间设有若干伸缩杆；/nS3、安装MOS芯片本体，在步骤S2完成后，把MOS芯片本体放置于支撑板的顶部，MOS芯片本体的顶端位于微孔硅陶瓷散热片的空腔内，且弹簧处于压缩状态，进而通过弹簧的弹力，使得MOS芯片本体被弹性固定在微孔硅陶瓷散热片和支撑板之间；/nS4、框架组合，第一框架上开设有卡槽，第二框架上设有弹性卡扣，进而第二框架上的弹性卡扣卡入第一框架上的卡槽内，从而使得第一框架和第二框架卡接在一起；/nS5、框架固定，第一框架上设有两个安装座，安装座的顶部开设有安装孔，且安装孔为沉孔。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于微孔硅陶瓷的大电流MOSFET封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、微孔硅陶瓷散热片安装，准备框架，其中框架包括第一框架和第二框架，第二框架位于第一框架的顶部，微孔硅陶瓷散热片安装于第二框架的顶部内壁，微孔硅陶瓷散热片为底部开口的空腔结构，微孔硅陶瓷散热片的两侧均固定连接有散热带；
S2、抗膨胀组件安装，在第一框架内设置支撑板，支撑板的底部与第一框架的底部内壁通过若干弹簧连接，且支撑板与第一框架之间设有若干伸缩杆；
S3、安装MOS芯片本体，在步骤S2完成后，把MOS芯片本体放置于支撑板的顶部，MOS芯片本体的顶端位于微孔硅陶瓷散热片的空腔内，且弹簧处于压缩状态，进而通过弹簧的弹力，使得MOS芯片本体被弹性固定在微孔硅陶瓷散热片和支撑板之间；
S4、框架组合，第一框架上开设有卡槽，第二框架上设有弹性卡扣，进而第二框架上的弹性卡扣卡入第一框架上的卡槽内，从而使得第一框架和第二框架卡接在一起；
S5、框架固定，第一框架上设有两个安装座，安装座的顶部开设有安装孔，且安装孔为沉孔。...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘道国，
申请(专利权)人：深圳市尚鼎芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44