本发明实施例提供一种SGT MOS器件，涉及半导体领域，条形沟槽1内的第一预设区域内设置栅极多晶硅区域12，栅极多晶硅区域12与设于条形沟槽1的开口上的同一栅极金属板7接触连接；栅极金属板7延伸至最外侧的环形沟槽2的外边缘，外边缘为与栅...

本发明公开了一种低漏电流的

本实用新型公开了一种基于芯片加工的晶圆喷胶机构，包括底板、滑座、风干机构、喷胶机构，所述滑座固定安装所述底板的上端面，所述滑座的上端面设有向内凹进的滑槽，所述滑槽内转动连接有丝杆，所述滑座的前后两端面设有向内凹进的限位槽，所述滑座的右端...

本实用新型公开了一种芯片晶圆加工用废料回收装置，包括粉碎箱和气缸，所述粉碎箱内设有粉碎槽，所述气缸输出端伸入粉碎箱并伸入粉碎槽的一端设有机盒，所述机盒内设有电机，所述电机输出端伸出机盒的一端设有研磨盘，所述粉碎箱左端面设有与所述粉碎槽相...

本发明实施例提供一种快速开关的TrenchMOS器件的制备方法，包括制备P

本实用新型提供一种矩阵排列式功率MOS管，涉及半导体领域。该矩阵排列式功率MOS管，包括管体，所述管体的左右两侧均设置有引脚，两个引脚的表面均套接有固定套，两个固定套相对的一侧分别与管体的左侧和右侧固定连接，两个固定套的下表面均固定连接...

本发明实施例提供一种具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法，包括：对待清洗晶圆进行第一次氧等离子体处理，得到第一次清洗晶圆；对所述第一次清洗晶圆进行至少一次循环清洗，得到第二次清洗晶圆；对所述第二次清洗晶圆进行第二次氧等离子体处理。第二次氧等...

本发明实施例提供一种晶圆刻蚀方法，涉及集成电路制造，该方法包括：氧化步骤：向设于晶圆上的刻蚀槽内通入氧气，通过氧气对所述刻蚀槽的底部和侧壁进行氧化，形成具有平滑界面的氧化层，之后停止通入氧气；沉积步骤：向所述刻蚀槽内通入刻蚀气体，通过所...

本发明涉及一种环式晶圆超薄片减薄方法，属于半导体加工技术领域。该方法包括：S1、提供晶圆，所述晶圆包括功能面以及与功能面相对的背面；S2、在所述晶圆的功能面上形成保护层；在所述保护层上覆盖保护胶带；S3、将所述晶圆放置在研磨装置中，开始...

本发明涉及一种集成电路制造用晶圆切割装置及切割方法，属于集成电路制造技术领域。该装置包括：传送部、夹持部和切割部；其中，传送部，用于将所要进行切割作业的硅晶棒进行传送作业；夹持部，用于对所要进行切割的硅晶棒进行固定，避免其在传送过程中出...

本发明属于研磨技术领域，尤其是涉及一种晶圆的研磨方法，包括如下步骤：S1.提供晶圆，所述晶圆包括正面以及与正面相对的反面；S2.将晶圆的正面向上放置在研磨装置中，并用研磨液和第一研磨粉对所述晶圆的正面进行研磨；S3.取出晶圆，并在晶圆的...

本发明实施例提供一种防静电MOS晶圆，包括基底，其特征在于，还包括左、右间隔分布的两根金属电极；器件层包括中间的MOS管区、以及两侧的器件绝缘层；中间层上还设置有两个中间绝缘层；硅衬底层的顶部设置有左右分布的第一导电类型层和第二导电类型...

本发明属于半导体技术领域，尤其是涉及一种MOS晶圆结构及其制备方法，包括Substrate、Insulating、Gate、Source、Drain、硅掺杂结构、低掺杂结构、第一侧墙以及第二侧墙，所述Insulating设置于所述Sub...

本发明公开了一种IGBT器件的制备方法及其IGBT器件，作为n

本发明实施例提供一种基于氧化镓的MOS晶圆制备方法，包括：制备氧化镓衬底；在所述氧化镓衬底上制备氧化镍/氧化镓异质PN结；通过所述氧化镓衬底和所述氧化镍/氧化镓异质PN结，制备氧化镓基底的MOS晶圆。本技术方案中通过硬掩模的镂空部分磁控...

本发明实施例提供一种MOS晶圆薄膜制备方法，包括：步骤11、对第一圆晶SiC片(100)进行离子束注入和辐照形成具缺陷层(102)；将第一圆晶正面设于安装座上；步骤12、对第一组件(500)进行退火处理；步骤13、沿缺陷层(102)将第...

本发明实施例提供一种增加晶圆强度的晶圆制备方法，包括：在完成晶圆研磨后，对晶圆背面进行离子束注入；对完成离子束注入的晶圆背面进行高温退火；在晶圆正面上制备多个凸起的金属块，多个金属块以预设的横向间隔和预设的纵向间隔均布；对晶圆进行切割；...

本发明实施例提供一种提高晶圆散热性能的方法，包括：对碳化硅衬底进行衬底清洗；在碳化硅衬底的背面依次进行等离子体刻蚀处理工序、纳米金刚石播种工序、金刚石形核工序、以及金刚石外延生长工序，得到金刚石基碳化硅晶圆：对金刚石基碳化硅晶圆进行高温...

本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种自对准结构MOSFET的制备方法，通过在沟槽内沉积第一导电层形成栅，对沟槽沉积第三绝缘介质并进行反填充盖帽处理，通过第二绝缘介质形成自对准的侧墙和通过硬掩模工艺实现高精度的电极接触孔制备...

本发明公开了一种mos板图，以及其应用的mos管单元及功率mos管；版图方面，根据版图规则设计版图，包括有衬底层、源漏层、栅极层和金属层；其中，源漏层包括有长条和短条，栅极层与长条的形成并联单元，长条上形成多个第一漏极和第一源极，且相邻...