半导体装置制造方法及图纸

本实施例公开一种半导体装置及其制造方法。一示例性半导体装置包括：一基底，具有一第一区及一第二区；一第一半导体鳍部，形成于第一区内的基底上；一第二半导体鳍部，形成于第二区内的基底上；一第一衬层，沿第一半导体鳍部的一下部及第二半导体鳍部的一下部设置；一第二衬层，位于第二区内的第一衬层上，其中第二衬层与第一衬层的组成不同；以及一隔离特征部件，位于第一区内的第一衬层上及第二区内的第二衬层上，并将第一半导体鳍部的下部与第二半导体鳍部的下部分开。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本公开实施例涉及一种半导体技术，且特别为涉及一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
集成电路(IC)产业经历了指数型增长。集成电路材料及设计方面的技术进步产生了多世代的集成电路，每一世代的电路都比前一世代更小更加复杂。在集成电路(IC)演进的过程中，功能密度(即，每一芯片面积上内连接装置的数量)普遍增加，而几何尺寸(即，使用制造制程可形成的最小部件(或线路))却为缩小。这种微缩制程通常通过提高生产效率及降低相关成本而带来益处。上述微缩也增加了制程及制造集成电路(IC)的复杂性，为了实现这些进展，需要在集成电路(IC)制程及制造方面进行类似的发展。举例来说，已推出了三维晶体管，如鳍部场效晶体管(fin-likefield-effecttransistor，FinFET)，以取代平面晶体管。尽管现有的鳍部场效晶体管(FinFET)装置及制造鳍部场效晶体管(FinFET)装置的方法总体上已足以达到预期目的，然而其在各方面的表现并非完全令人满意。举例来说，据观察，形成的鳍部场效晶体管(FinFET)的半导体鳍部突出于基底且具有单薄且本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n一基底，具有一第一区及一第二区；/n一第一半导体鳍部，形成于该第一区内的该基底上；/n一第二半导体鳍部，形成于该第二区内的该基底上；/n一第一衬层，沿该第一半导体鳍部的一下部及该第二半导体鳍部的一下部设置；/n一第二衬层，位于该第二区内的该第一衬层上，其中该第二衬层与该第一衬层的组成不同；以及/n一隔离特征部件，位于该第一区内的该第一衬层上及该第二区内的该第二衬层上，并将该第一半导体鳍部的该下部与该第二半导体鳍部的该下部分开。/n

【技术特征摘要】
20200226 US 16/801,5761.一种半导体装置，包括：
一基底，具有一第一区及一第二区；
一第一半导体鳍部，形成于该第一区内的该基底上；
一第二半导体鳍部，形成于该第二区内的该基底上；
一第一衬层，沿该...

【专利技术属性】
技术研发人员：林祐宽，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71