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本实施例公开一种半导体装置及其制造方法。一示例性半导体装置包括:一基底,具有一第一区及一第二区;一第一半导体鳍部,形成于第一区内的基底上;一第二半导体鳍部,形成于第二区内的基底上;一第一衬层,沿第一半导体鳍部的一下部及第二半导体鳍部的一下部...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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本实施例公开一种半导体装置及其制造方法。一示例性半导体装置包括:一基底,具有一第一区及一第二区;一第一半导体鳍部,形成于第一区内的基底上;一第二半导体鳍部,形成于第二区内的基底上;一第一衬层,沿第一半导体鳍部的一下部及第二半导体鳍部的一下部...