具有双层外延结构的Trench MOS肖特基整流器件及制造方法技术

本发明专利技术提出一种具有双层外延结构的Trench MOS肖特基整流器件及制造方法，其特征在于：带有双层外延结构，其上下两层N型掺杂外延层的掺杂浓度和厚度不同。该方案在保障保证反向电压和反向漏电特性的前提下，实现了正向压降；并通过双层外延结构，由于上层外延浓度低的特点改善了反向偏置下势垒金属附近电场强度；下层外延浓度高可以降低正向导通时提电阻。

【技术实现步骤摘要】
具有双层外延结构的TrenchMOS肖特基整流器件及制造方法
本专利技术属于电子元器件
，尤其涉及一种具有双层外延结构的TrenchMOS肖特基整流器件及制造方法。
技术介绍
肖特基二级管，为了降低自身的能耗，不断追求更的正向压降、提高反向电压和降低反向电流，TrenchMOS肖特基能很多好的解决了反向电压高和反向电流低的特性，但无论正向还是反向都受外延电阻率和厚度的影响，为了保证反向电压和反向漏电特性，正向压降已经没有进行提升空间。
技术实现思路
针对现有技术的缺陷和不足，本专利技术提出一种具有双层外延结构的TrenchMOS肖特基整流器件及制造方法。本专利技术具体采用以下技术方案：一种双层外延结构，应用于制造TrenchMOS肖特基整流器件，其特征在于：上下两层N型掺杂外延层的掺杂浓度和厚度不同。进一步地，所述外延层的掺杂材料为硅。进一步地，位于下方生长于N型衬底上的第一外延层的掺杂浓度低于位于上方的第二外延层。进一步地，所述第一外延层的厚度范围为0.5um-2.0um，电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双层外延结构，应用于制造Trench MOS肖特基整流器件，其特征在于：上下两层N型掺杂外延层的掺杂浓度和厚度不同。/n

【技术特征摘要】
1.一种双层外延结构，应用于制造TrenchMOS肖特基整流器件，其特征在于：上下两层N型掺杂外延层的掺杂浓度和厚度不同。


2.根据权利要求1所述的双层外延结构，其特征在于：所述外延层的掺杂材料为硅。


3.根据权利要求1所述的双层外延结构，其特征在于：位于下方生长于N型衬底上的第一外延层的掺杂浓度高于位于上方的第二外延层。


4.根据权利要求3所述的双层外延结构，其特征在于：所述第一外延层的厚度范围为0.5um-2.0um，电阻率为0.05Ω∙cm-0.3Ω∙cm；所述第二外延层厚度范围为2.0um-5.0um，电阻率0.15Ω∙cm-0.5Ω∙cm。


5.一种具有双层外延结构的TrenchMOS肖特基整流器件，其特征在于：带有双层外延结构，其上下两层N型掺杂外延层的掺杂浓度和厚度不同。


6.根据权利要求1所述的具有双层外延结构的TrenchMOS肖特基整流器件，其特征在于：所述外延层的掺杂材料为硅。


7.根据权利要求1所述的具有双层外延结构的TrenchMOS肖特基整流器件，其特征在于：位于下方生长于N型衬底上的第一外延层的掺杂浓度低于位于上方的第二外延层。

【专利技术属性】
技术研发人员：高耿辉，田洪光，黄福成，李晓婉，曲艳凯，
申请(专利权)人：厦门吉顺芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35