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本发明提出一种具有双层外延结构的Trench MOS肖特基整流器件及制造方法，其特征在于：带有双层外延结构，其上下两层N型掺杂外延层的掺杂浓度和厚度不同。该方案在保障保证反向电压和反向漏电特性的前提下，实现了正向压降；并通过双层外延结构，由...
该专利属于厦门吉顺芯微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门吉顺芯微电子有限公司授权不得商用。

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