【技术实现步骤摘要】
感测功率半导体器件
本专利技术涉及功率半导体器件
,具体地说是一种集成电流监测与温度监测的功率半导体器件。
技术介绍
在终端应用中,一些厂商希望能监测流过功率器件的电流,以便故障检测、电流大小控制。用以测量功率器件中的电流的结构通常被称为感测场效应晶体管。感测场效应晶体管是与主功率场效应晶体管分离开的小的场效应晶体管。感测场效应晶体管一般被配置为产生与主场效应晶体管中的电流相对应的电压以便提供电流感测,并且可以被集成到与主场效应晶体管相同的半导体芯片中。目前,厂商希望能够将监测电流的精度进一步提高。这需要将感测场效应晶体管内的电流进一步缩小,以便增大采样电阻,提高精准度,同时还可以减少能量的浪费。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中存在的不足,提供一种可以提高监测电流精度的功率半导体器件。按照本专利技术提供的技术方案,一种感测功率半导体器件,包括:主晶体管,其具有第一电流路径,电流从漏极焊盘流经主晶体管的第一漏极金属、第一源极金属,最后进入第一源极焊盘;副晶体管,其具有第二电流路径,用于监测第一电流路径中的电流,电流从漏极焊盘流经副晶体管的第二漏极金属、第二源极金属,最后进入第一源极焊盘;感测晶体管,其具有第三电流路径,用于监测第二电流路径中的电流,电流从漏极焊盘流经感测晶体管的第三漏极金属、第三源极金属,最后进入第二源极焊盘;测温二极管,其具有第四电流路径,用于监测功率半导体的芯片温度,电流从正极焊盘流经测温二极管的正极金属、负 ...
【技术保护点】
1.一种感测功率半导体器件,其特征在于,包括:/n主晶体管(1),其具有第一电流路径(11),电流从漏极焊盘(5)流经主晶体管(1)的第一漏极金属(15)、第一源极金属(16),最后进入第一源极焊盘(8);/n副晶体管(2),其具有第二电流路径(12),用于监测第一电流路径(11)中的电流,电流从漏极焊盘(5)流经副晶体管(2)的第二漏极金属(17)、第二源极金属(18),最后进入第一源极焊盘(8);/n感测晶体管(3),其具有第三电流路径(13),用于监测第二电流路径(12)中的电流,电流从漏极焊盘(5)流经感测晶体管(3)的第三漏极金属(19)、第三源极金属(20),最后进入第二源极焊盘(9);/n测温二极管(4),其具有第四电流路径(14),用于监测功率半导体的芯片温度,电流从正极焊盘(10)流经测温二极管(4)的正极金属(22)、负极金属(21),最后进入漏极焊盘(5)。/n
【技术特征摘要】
1.一种感测功率半导体器件,其特征在于,包括:
主晶体管(1),其具有第一电流路径(11),电流从漏极焊盘(5)流经主晶体管(1)的第一漏极金属(15)、第一源极金属(16),最后进入第一源极焊盘(8);
副晶体管(2),其具有第二电流路径(12),用于监测第一电流路径(11)中的电流,电流从漏极焊盘(5)流经副晶体管(2)的第二漏极金属(17)、第二源极金属(18),最后进入第一源极焊盘(8);
感测晶体管(3),其具有第三电流路径(13),用于监测第二电流路径(12)中的电流,电流从漏极焊盘(5)流经感测晶体管(3)的第三漏极金属(19)、第三源极金属(20),最后进入第二源极焊盘(9);
测温二极管(4),其具有第四电流路径(14),用于监测功率半导体的芯片温度,电流从正极焊盘(10)流经测温二极管(4)的正极金属(22)、负极金属(21),最后进入漏极焊盘(5)。
2.根据权利要求1所述的一种感测功率半导体器件,其特征在于,主晶体管(1)的第一漏极金属(15)、副晶体管(2)的第二漏极金属(17)、感测晶体管(3)的第三漏极金属(19)、测温二极管(4)的负极金属(21)和漏极焊盘(5)彼此电耦合;主晶体管(1)的第一源极金属(16)、副晶体管(2)的第二源极金属(18)和第一源极焊盘(8)彼此电耦合;感测晶体管(3)的第三源极金属(20)通过第一金属连接线(25)和第二源极焊盘(9)彼此电耦合;测温二极管(4)的正极金属(22)通过第二金属连接线(24)和正极焊盘(10)彼此电耦合;主晶体管(1)的第一栅极金属(23)和第一栅极焊盘(6)彼此电耦合;副晶体管(2)的第二栅极金属(27)、感测晶体管(3)的第三栅极金属(26)和第二栅极焊盘(7)彼此电耦合。
3.根据权利要求1所述的一种感测功率半导体器件,其特征在于,主晶体管(1)与副晶体管(2)的源极区面积之比为n:1,所述n的范围为1<n≤1000;副晶体管(2)与感测晶体管(3)的源极区面积之比为m:1,所述m的范围为1<m≤1000。
4.根据权利要求1、2或3所述的一种感测功率半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱袁正,黄薛佺,杨卓,
申请(专利权)人:无锡新洁能股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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