一种蒸发源制造技术

本发明专利技术实施例提供一种蒸发源，该蒸发源包括坩埚、加热丝和多个半导体制冷片；所述加热丝围绕所述坩埚分布，多个所述半导体制冷片设置于所述加热丝远离所述坩埚的一侧，且多个所述半导体制冷片沿环绕所述坩埚的方向依次排列；每一所述半导体制冷片包括冷端和热端，所述冷端用于制冷，所述热端用于制热；所述半导体制冷片包括第一制冷片和第二制冷片，所述第一制冷片的冷端设置于邻近所述坩埚的一侧，所述第二制冷片的热端设置于邻近所述坩埚的一侧。本发明专利技术实施例提供的蒸发源，能够提高蒸发源的升温速率和降温速率。

【技术实现步骤摘要】
一种蒸发源
本专利技术涉及蒸镀机领域，特别是涉及一种蒸发源。
技术介绍
目前，在微显示及面板行业使用的蒸镀机的蒸发源结构几乎大同小异，图1为现有技术中的一种蒸发源的俯视结构示意图，参考图1，都是由坩埚11、加热丝12、反射板13、冷却水14和外廓15等部件组成。该蒸发源虽然满足工艺需求，但是该蒸发源的缺点就是降温速度比较慢，近似于真空下自然冷却。
技术实现思路
本专利技术实施例提供的蒸发源，能够提高蒸发源的升温速率和降温速率。本专利技术实施例提供一种蒸发源，该蒸发源包括坩埚、加热丝和多个半导体制冷片；所述加热丝围绕所述坩埚分布，多个所述半导体制冷片设置于所述加热丝远离所述坩埚的一侧，且多个所述半导体制冷片沿环绕所述坩埚的方向依次排列；每一所述半导体制冷片包括冷端和热端，所述冷端用于制冷，所述热端用于制热；所述半导体制冷片包括第一制冷片和第二制冷片，所述第一制冷片的冷端设置于邻近所述坩埚的一侧，所述第二制冷片的热端设置于邻近所述坩埚的一侧。可选的，沿环绕所述坩埚的方向所述第一制冷片和所述第二制冷片间隔分布。可选的，多个所述第一制冷片沿环绕所述坩埚的方向均匀分布，多个所述第二制冷片沿环绕所述坩埚的方向均匀分布。可选的，本专利技术实施例提供的蒸发源还包括：控制模块和电源模块，所述电源模块分别与所述第一制冷片和所述第二制冷片连接；所述控制模块用于根据所述蒸发源的工作状态控制所述电源模块为所述第一制冷片供电或控制所述电源模块为所述第二制冷片供电。可选的，所述控制模块用于在所述蒸发源处于升温状态时，控制所述电源模块为所述第二制冷片供电，在所述蒸发源处于降温状态时，控制所述电源模块为所述第一制冷片供电。可选的，所述第一制冷片和所述第二制冷片均包括第一绝缘层，设置于所述第一绝缘层上的多个N型半导体结构和多个P型半导体结构，以及设置于多个N型半导体结构和多个P型半导体结构远离所述第一绝缘层一侧的第二绝缘层；所述N型半导体结构和所述P型半导体结构依次间隔设置；第一个所述N型半导体结构的第一端与所述电源模块的正极连接，最后一个所述P型半导体结构的第一端与所述电源模块的负极连接；第一个所述N型半导体结构的第二端与第一个所述P型半导体结构的第二端连接；第k个所述N型半导体结构的第一端与第k-1个所述P型半导体结构的第一端连接，第k个所述N型半导体结构的第二端与第k个所述P型半导体结构的第二端连接，其中，k≥2，k为正整数；所述第一制冷片的所述第一绝缘层靠近所述坩埚；所述第二制冷片的所述第二绝缘层靠近所述坩埚。可选的，所述N型半导体结构和所述P型半导体结构通过金属结构连接。可选的，在所述坩埚的深度方向上，所述第一制冷片的尺寸和所述第二制冷片的尺寸大于或等于所述坩埚的尺寸。可选的，本专利技术实施例提供的还包括：设置于所述半导体制冷片远离所述加热丝一侧的外廓层。可选的，所述坩埚为圆柱形或者所述坩埚为长方体形。本专利技术实施例提供的蒸发源，利用半导体制冷片的冷端制冷，利用半导体制冷片的热端制热，将半导体制冷片中的第一制冷片的冷端设置于邻近坩埚的一侧，将半导体制冷片中的第二制冷片的热端设置于邻近坩埚的一侧，坩埚在升温过程中，第二制冷片的热端能够加快升温速率，坩埚在降温过程中，第一制冷片的冷端能够加快坩埚的降温速率，因此，本专利技术实施例提供的蒸发源，能够提高蒸发源的升温速率和降温速率。附图说明图1为现有技术中的一种蒸发源的俯视结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种蒸发源的俯视结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的又一种蒸发源的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的第一制冷片的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的又一种蒸发源的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的又一种蒸发源的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的又一种蒸发源的俯视结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术实施例作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术实施例，而非对本专利技术实施例的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术实施例相关的部分而非全部结构。图2为本专利技术实施例提供的一种蒸发源的俯视结构示意图，参考图2，该蒸发源包括坩埚110、加热丝120和多个半导体制冷片；加热丝120围绕坩埚110分布，多个半导体制冷片设置于加热丝120远离坩埚110的一侧，且多个半导体制冷片沿环绕坩埚110的方向依次排列；每一半导体制冷片包括冷端10和热端20，冷端10用于制冷，热端20用于制热；半导体制冷片包括第一制冷片130和第二制冷片140，第一制冷片130的冷端10设置于邻近坩埚110的一侧，第二制冷片140的热端20设置于邻近坩埚110的一侧。具体的，半导体制冷片由N型半导体和P型半导体组成，N型半导体中有多余的电子，有负温差电势，P型半导体电子不足，有正温差电势。当电子从P型半导体穿过结点至N型半导体时，结点的温度降低，其能量必然增加，而且增加的能量相当于结点所消耗的能量。相反，当电子从N型半导体流至P型半导体时，结点的温度就会升高。电流从N型半导体流至P型半导体的一端，温度下降并且吸热，就是冷端。电流从P型半导体流至N型半导体的一端，温度上升并且放热，就是热端。第一制冷片130的热端20设置于远离坩埚110的一侧，第二制冷片140的冷端10设置于远离坩埚110的一侧。坩埚110在升温过程中，为了提高坩埚110的升温速率，控制第一制冷片130不工作，同时控制第二制冷片140工作，第二制冷片140工作时，由于第二制冷片140的热端20邻近坩埚110的一侧且热端20的温度可以高于100℃，因此，第二制冷片140的热端20能提高坩埚110的升温速率，其次，坩埚110在升温过程中，加热丝120也在加热，第二制冷片140的热端20能够反射加热丝120的热量至坩埚110，从而提高坩埚110的保温效果，由于第二制冷片140的冷端10设置于远离坩埚110的一侧，因此，第二制冷片140的冷端10能够降低蒸发源本体的温度，防止热辐射其他蒸发源，能够降低腔室整体的温度，防止温度过高影响蒸镀成膜特性。当坩埚110降温时，控制第一制冷片130工作，同时控制第二制冷片140不工作，第一制冷片130的冷端10能够吸收加热丝120和坩埚110的热量，冷端10的温度可以最低可以达到-100℃，因此相比于现有技术中采用冷却水冷却，第一制冷片130能够大幅度减少坩埚110降温时间，提高坩埚110的降温速率。本专利技术实施例提供的蒸发源，利用半导体制冷片的冷端制冷，利用半导体制冷片的热端制热，将半导体制冷片中的第一制冷片的冷端设置于邻近坩埚的一侧，将半导体制冷片中的第二制冷片的热端设置于邻近坩埚的一侧，坩埚在升温过程中，第二制冷片的热端能够加快升温速率，坩埚在降温过程中，第一制冷片的冷端能够加快坩埚的降温速率，因此，本专利技术实施例提供的蒸发源，能够提高蒸发源的升温速率和降温速率。可选的，沿本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蒸发源，其特征在于，包括坩埚、加热丝和多个半导体制冷片；/n所述加热丝围绕所述坩埚分布，多个所述半导体制冷片设置于所述加热丝远离所述坩埚的一侧，且多个所述半导体制冷片沿环绕所述坩埚的方向依次排列；/n每一所述半导体制冷片包括冷端和热端，所述冷端用于制冷，所述热端用于制热；所述半导体制冷片包括第一制冷片和第二制冷片，所述第一制冷片的冷端设置于邻近所述坩埚的一侧，所述第二制冷片的热端设置于邻近所述坩埚的一侧。/n

【技术特征摘要】
1.一种蒸发源，其特征在于，包括坩埚、加热丝和多个半导体制冷片；
所述加热丝围绕所述坩埚分布，多个所述半导体制冷片设置于所述加热丝远离所述坩埚的一侧，且多个所述半导体制冷片沿环绕所述坩埚的方向依次排列；
每一所述半导体制冷片包括冷端和热端，所述冷端用于制冷，所述热端用于制热；所述半导体制冷片包括第一制冷片和第二制冷片，所述第一制冷片的冷端设置于邻近所述坩埚的一侧，所述第二制冷片的热端设置于邻近所述坩埚的一侧。


2.根据权利要求1所述的蒸发源，其特征在于：
沿环绕所述坩埚的方向所述第一制冷片和所述第二制冷片间隔分布。


3.根据权利要求2所述的蒸发源，其特征在于：
多个所述第一制冷片沿环绕所述坩埚的方向均匀分布，多个所述第二制冷片沿环绕所述坩埚的方向均匀分布。


4.根据权利要求1所述的蒸发源，其特征在于，还包括：
控制模块和电源模块，所述电源模块分别与所述第一制冷片和所述第二制冷片连接；所述控制模块用于根据所述蒸发源的工作状态控制所述电源模块为所述第一制冷片供电或控制所述电源模块为所述第二制冷片供电。


5.根据权利要求4所述的蒸发源，其特征在于：
所述控制模块用于在所述蒸发源处于升温状态时，控制所述电源模块为所述第二制冷片供电，在所述蒸发源处于降温状态时，控制所述电源模块为所述第一制冷片供电。


6.根据权利要求4所述的蒸发源，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张久杰，季渊，
申请(专利权)人：南京昀光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32