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一种显示面板及其控制方法技术

技术编号:40580996 阅读:6 留言:0更新日期:2024-03-06 17:24
本发明专利技术公开了一种显示面板及其控制方法,该显示面板包括驱动基板以及位于驱动基板一侧的多个子像素;子像素包括第一电极、发光层和第二电极,相邻两个子像素中的发光层连接;显示面板还包括多个电荷吸附结构和驱动芯片,电荷吸附结构位于驱动基板一侧且位于相邻两个第一电极之间;驱动芯片与电荷吸附结构电连接,用于控制电荷吸附结构在部分子像素的发光阶段吸附发光层中的电荷。本发明专利技术的技术方案,通过设置电荷吸附结构,以避免或者减少相邻两个子像素之间的横向漏电流,降低相邻子像素之间的显示串扰,提高显示面板的显示效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示,尤其涉及一种显示面板及其控制方法


技术介绍

1、有机发光二极管显示面板(organic light emitting diode,oled)具有全固态、自发光、对比度高、视角宽等特点,是继液晶显示面板后的下一代平板显示面板。

2、大尺寸oled显示面板一般采用白光oled与彩膜结合的方案来产生红光、绿光和蓝光。白光oled通常采用堆叠的2层或3层子发光层来产生白光,相邻的子发光层之间采用电荷产生层(cgl)连接以降低白光oled器件的电压。电荷产生层需要采用导电能力很强的材料制作,目前,通常在电荷产生层中掺杂活泼金属,如锂等,来提高电荷产生层的导电能力。但是,电荷产生层具有很强的导电能力,会使得电荷产生层中的电荷产生横向传输,而且,像素区域有机材料老化也会进一步导致电荷横向传输,从而产生串扰不良,影响了oled显示面板的显示性能。


技术实现思路

1、本专利技术提供一种显示面板及其控制方法,以提高显示面板的显示效果。

2、第一方面,本专利技术提供了一种显示面板,包括:驱动基板以及位于所述驱动基板一侧的多个子像素;

3、所述子像素包括第一电极、发光层和第二电极,相邻两个所述子像素中的所述发光层连接;

4、所述显示面板还包括多个电荷吸附结构和驱动芯片,所述电荷吸附结构位于所述驱动基板一侧且位于相邻两个所述第一电极之间;所述驱动芯片与所述电荷吸附结构电连接,用于控制所述电荷吸附结构在部分所述子像素的发光阶段吸附所述发光层中的电荷。

5、可选的,所述电荷吸附结构包括吸附电极和吸附介质,所述吸附介质位于所述吸附电极靠近所述发光层的一侧;

6、所述吸附介质与所述吸附电极接触,所述吸附电极与所述驱动芯片电连接。

7、可选的,所述吸附电极与所述第一电极同层设置;

8、所述吸附介质包括无机材料。

9、可选的,沿所述显示面板的厚度方向,所述电荷吸附结构的厚度为h1,所述第一电极的厚度为h2;

10、其中,|h1-h2|/h2≤20%。

11、可选的,所述显示面板还包括第一磁场结构;

12、所述第一磁场结构位于所述第二电极远离所述驱动基板的一侧;所述第一磁场结构包括多个第一磁场单元,沿所述显示面板的厚度方向,所述第一磁场单元与相邻两个所述子像素之间的间隙交叠;

13、所述第一磁场单元包括多个子磁场单元,所述子磁场单元包括永磁体单元。

14、可选的,所述显示面板还包括第二磁场结构;

15、所述第二磁场结构位于所述第二电极远离所述驱动基板的一侧;所述第二磁场结构包括多个第二磁场单元,沿所述显示面板的厚度方向,所述第二磁场单元与相邻两个所述子像素之间的间隙交叠;

16、所述驱动芯片与所述第二磁场单元电连接,用于控制所述第二磁场单元产生磁场,以控制所述电荷在所述磁场的作用下向所述电荷吸附结构一侧运动。

17、可选的,所述第二磁场单元包括多个子磁场单元;相邻两个所述子像素包括第一子像素和第二子像素,多个所述子磁场单元包括靠近所述第一子像素一侧的多个第一子磁场单元以及靠近所述第二子像素一侧的多个第二子磁场单元;

18、所述驱动芯片分别与所述第一子磁场单元和所述第二子磁场单元电连接,用于在所述第二子像素发光时至少控制所述第一子磁场单元产生磁场以控制所述第二子像素流向所述第一子像素的电荷向所述电荷吸附结构一侧运动;在所述第一子像素发光时至少控制所述第二子磁场单元产生磁场以驱动所述第一子像素流向所述第二子像素的电荷向所述电荷吸附结构一侧运动。

19、第二方面,本专利技术提供了一种显示面板的控制方法,用于控制第一方面所述显示面板,所述控制方法包括:

20、输出发光信号至部分子像素以控制部分所述子像素发光;

21、输出电荷吸附信号至电荷吸附结构控制所述电荷吸附结构在部分所述子像素的发光阶段吸附所述发光层中的电荷。

22、可选的,所述显示面板还包括第二磁场结构,所述第二磁场结构位于所述第二电极远离所述驱动基板的一侧;所述第二磁场结构包括多个第二磁场单元,沿所述显示面板的厚度方向,所述磁场单元与相邻两个所述子像素之间的间隙交叠;

23、所述第二磁场单元包括多个子磁场单元;相邻两个所述子像素包括第一子像素和第二子像素,多个所述子磁场单元包括靠近所述第一子像素一侧的多个第一子磁场单元以及靠近所述第二子像素一侧的多个第二子磁场单元;

24、输出发光信号至部分子像素以控制部分所述子像素发光之后,还包括:

25、在所述第一子像素的发光阶段至少输出驱动信号至所述第二子磁场单元,以控制所述第一子像素流向所述第二子像素的电荷向所述电荷吸附结构一侧运动;

26、在所述第二子像素的发光阶段至少输出驱动信号至所述第一子磁场单元,以控制所述第一子像素流向所述第二子像素的电荷向所述电荷吸附结构一侧运动。

27、可选的,所述控制方法还包括:在全部子像素的显示阶段或者在显示保持阶段,停止输出所述电荷吸附信号至电荷吸附结构。

28、本专利技术提供的技术方案,通过在驱动基板一侧以及相邻两个第一电极之间设置电荷吸附结构,并且使电荷吸附结构与驱动芯片电连接,电荷吸附结构用于在驱动芯片提供的电荷吸附信号作用下吸附流经其上方发光层中的电荷,避免电荷流向其他子像素对应的发光层中,如此可以避免或者减少相邻两个子像素之间的横向漏电流,降低相邻子像素之间的显示串扰,提高显示面板的显示效果。

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【技术保护点】

1.一种显示面板,其特征在于,包括:驱动基板以及位于所述驱动基板一侧的多个子像素;

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述电荷吸附结构包括吸附电极和吸附介质,所述吸附介质位于所述吸附电极靠近所述发光层的一侧;

3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述吸附电极与所述第一电极同层设置;

4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,沿所述显示面板的厚度方向,所述电荷吸附结构的厚度为H1,所述第一电极的厚度为H2;

5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第一磁场结构;

6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第二磁场结构;

7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第二磁场单元包括多个子磁场单元;相邻两个所述子像素包括第一子像素和第二子像素,多个所述子磁场单元包括靠近所述第一子像素一侧的多个第一子磁场单元以及靠近所述第二子像素一侧的多个第二子磁场单元;

8.一种显示面板的控制方法,用于控制权利要求1-7中任一项所述显示面板,其特征在于,所述控制方法包括:

9.根据权利要求8所述的控制方法,其特征在于,所述显示面板还包括第二磁场结构,所述第二磁场结构位于所述第二电极远离所述驱动基板的一侧;所述第二磁场结构包括多个第二磁场单元,沿所述显示面板的厚度方向,所述磁场单元与相邻两个所述子像素之间的间隙交叠;

10.根据权利要求8所述的控制方法,其特征在于,所述控制方法还包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种显示面板,其特征在于,包括:驱动基板以及位于所述驱动基板一侧的多个子像素;

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述电荷吸附结构包括吸附电极和吸附介质,所述吸附介质位于所述吸附电极靠近所述发光层的一侧;

3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述吸附电极与所述第一电极同层设置;

4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,沿所述显示面板的厚度方向,所述电荷吸附结构的厚度为h1,所述第一电极的厚度为h2;

5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第一磁场结构;

6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第二磁场结构;

7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:张久杰季渊
申请(专利权)人:南京昀光科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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