【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种控温模组的结构及其制作方法。
技术介绍
1、随着半导体控温的应用越来越广泛，对于特殊场合比如高精尖设备、军用、航空航天等应用场合，对可靠性要求越来越高。原来常用的安装连接方式是：通过导热硅脂连接半导体制冷器和底座，然后用多颗螺钉将相关器件固定在一起，这种安装连接方式的问题：一是由于导热硅脂长时间运行后会挥发、固化，从而会降低热传递的效果，使得模组控温的性能下降；二是由于多颗螺钉有制造误差、有间隙，且每个螺钉的拧紧力矩多少会有差异等原因，使得半导体制冷器承受的压力不均匀，从而导致半导体瓷片上会有局部裂纹等。综上，控温模组的连接可靠性无法满足特殊场合的应用需求。
技术实现思路
1、本专利技术主要是为了解决现有控温模组连接可靠性较低的问题，提供了一种控温模组的结构及其制作方法，通过在半导体制冷器和底座之间采用bisn焊接，从而实现连接的可靠性，满足控温模组连接高可靠性要求。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案。
3、一种控温...
【技术保护点】
1.一种控温模组的结构，其特征在于，包括半导体制冷器（2）和底座（1），所述半导体制冷器（2）和所述底座（1）之间采用BiSn（3）焊接，所述半导体制冷器（2）采用四片半导体组件（5）串联的方式，半导体组件（5）的表面覆盖有均匀分布的铜粒，所述铜粒上焊有电线，半导体组件（5）的间隙处封有RTV胶（4）；所述底座（1）上焊接区的四周设有散热沟槽。
2.根据权利要求1所述的一种控温模组的结构，其特征在于，所述底座（1）的材质可选铜或铝，当所述底座（1）的材质选用铝时，底座（1）上对应的焊接区需镀一层铜。
3.根据权利要求1所述的一种控温模组的结构，...
【技术特征摘要】
1.一种控温模组的结构，其特征在于，包括半导体制冷器（2）和底座（1），所述半导体制冷器（2）和所述底座（1）之间采用bisn（3）焊接，所述半导体制冷器（2）采用四片半导体组件（5）串联的方式，半导体组件（5）的表面覆盖有均匀分布的铜粒，所述铜粒上焊有电线，半导体组件（5）的间隙处封有rtv胶（4）；所述底座（1）上焊接区的四周设有散热沟槽。
2.根据权利要求1所述的一种控温模组的结构，其特征在于，所述底座（1）的材质可选铜或铝，当所述底座（1）的材质选用铝时，底座（1）上对应的焊接区需镀一层铜。
3.根据权利要求1所述的一种控温模组的结构，其特征在于，所述电线包括第一红线（6）、第二红线（7）、第三红线（8）和黑线（9）。
4.根据权利要求1所述的一种控温模组的结构，其特征在于，四片半导体组件（5）的平面度偏差在0.05之内。
5.根据权利要求1所述的一种控温模组的结构，其特征在于，四片半导体组件（5）的厚度偏差在0.05mm之内。
6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨梅，
申请(专利权)人：杭州大和热磁电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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