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本发明属于半导体技术领域，主要是为了解决现有控温模组连接可靠性较低的问题，公开了一种控温模组的结构及其制作方法，包括半导体制冷器和底座，所述半导体制冷器和所述底座之间采用BiSn焊接，所述半导体制冷器采用四片半导体组件串联的方式，四片半导体...
该专利属于杭州大和热磁电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州大和热磁电子有限公司授权不得商用。

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