硅基显示面板及其蒸镀层的制备方法、掩膜版技术

本发明专利技术公开了一种硅基显示面板及其蒸镀层的制备方法、掩膜版，该掩膜版用于制备硅基显示面板的蒸镀层，包括：至少一个开口部和围绕各开口部的遮挡部；遮挡部的第一表面设置有支撑结构；在平行于遮挡部的第一表面的方向上，支撑结构的尺寸小于遮挡部的尺寸；在采用掩膜版蒸镀蒸镀层时，支撑结构与硅基显示面板的硅基衬底接触。本发明专利技术的技术方案通过在遮挡部的第一表面设置支撑结构，且在平行于遮挡部的第一表面的方向上，支撑结构的尺寸小于遮挡部的尺寸，使采用该掩膜版蒸镀硅基显示面板的蒸镀层时，仅支撑结构与硅基显示面板的硅基衬底接触，从而可以减少掩膜版上附着的粉尘微粒转移到硅基衬底，进而提高硅基衬底的洁净度，提高产品性能。提高产品性能。提高产品性能。

【技术实现步骤摘要】
硅基显示面板及其蒸镀层的制备方法、掩膜版


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种硅基显示面板及其蒸镀层的制备方法、掩膜版。

技术介绍

[0002]真空蒸镀是OLED面板生产过程中的关键环节，而作为蒸镀有机材料、金属材料等蒸镀层的掩膜版为其关键结构部件。相对于大尺寸的OLED面板，硅基微显示面板由于尺寸小、像素单元小，所以对粉尘颗粒大小和数量的要求更严格。
[0003]现有技术中，在蒸镀硅基微显示面板中蒸镀层时，掩膜版与硅基衬底表面紧紧贴住，蒸发材料透过特定图案的掩膜版开口，沉积在硅基衬底表面。但是，掩膜版与硅基衬底贴合后，掩膜版上的粉尘微粒会转移到硅基衬底上，从而导致硅基衬底表面粉尘微粒的增加，会影响OLED器件封装效果，造成器件失效，产生黑点，影响产品性能。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种硅基显示面板及其蒸镀层的制备方法、掩膜版，以解决现有技术存在的问题，提高硅基衬底的洁净度，从而提高产品性能。
[0005]第一方面，本专利技术提供了一种掩膜版，用于制备硅基显示面板的蒸镀层，包括：至少一个开口部和围绕各所述开口部的遮挡部；
[0006]所述遮挡部的第一表面设置有支撑结构；在平行于所述遮挡部的所述第一表面的方向上，所述支撑结构的尺寸小于所述遮挡部的尺寸；
[0007]在采用所述掩膜版蒸镀所述蒸镀层时，所述支撑结构与所述硅基显示面板的硅基衬底接触。
[0008]可选的，在垂直于所述遮挡部的所述第一表面的方向上，所述支撑结构的高度H的取值范围为：40μm＜H＜80μm。
[0009]可选的，所述支撑结构包括分散设置的多个支撑柱。
[0010]可选的，当所述掩膜版包括多个所述开口部时，多个所述开口部阵列排布；所述支撑柱位于相邻两行和/或相邻两列所述开口部之间。
[0011]可选的，在所述开口部的行方向上，所述支撑柱与所述开口部不交叠；和/或，在所述开口部的列方向上，所述支撑柱与所述开口部不交叠。
[0012]可选的，每个所述支撑柱与所述硅基衬底的接触面的接触面积S的取值范围为：0＜S＜1mm2。
[0013]可选的，所述支撑结构包括环绕所有所述开口结构的支撑环。
[0014]可选的，所述掩膜版的材料包括弱磁性材料。
[0015]第二方面，本专利技术提供一种硅基显示面板中蒸镀层的制备方法，包括：
[0016]提供硅基衬底；
[0017]将上述任一所述的掩膜版放置于所述硅基衬底的一侧；所述掩膜版的支撑结构与
所述硅基衬底接触；
[0018]将蒸镀材料通过所述掩膜版的开口部蒸镀至所述硅基衬底靠近所述掩膜版的一侧，以形成所述硅基显示面板的蒸镀层。
[0019]第三方面，本专利技术提供一种硅基显示面板，采用上述任一所述的掩膜版制备。
[0020]本专利技术提供的技术方案，通过在遮挡部的第一表面设置支撑结构，且在平行于遮挡部的第一表面的方向上，支撑结构的尺寸小于遮挡部的尺寸，使采用该掩膜版蒸镀硅基显示面板的蒸镀层时，仅支撑结构与硅基显示面板的硅基衬底接触，减小了蒸镀时掩膜版与硅基衬底的接触面积，从而可以减少掩膜版上附着的粉尘微粒转移到硅基衬底上，进而提高硅基衬底的洁净度，提高封装效果以及提高产品性能。
[0021]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1为本专利技术实施例提供的一种掩膜版的俯视图；
[0024]图2为本专利技术实施例提供的一种掩膜版沿直径方向的剖面图；
[0025]图3为本专利技术实施例提供的一种硅基显示面板中蒸镀层的制备方法的流程图。
具体实施方式
[0026]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0027]需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
[0028]本专利技术实施例提供一种掩膜版，用于制备硅基显示面板的蒸镀层，图1为本专利技术实施例提供的一种掩膜版的俯视图；图2为本专利技术实施例提供的一种掩膜版沿直径方向的剖面图。参考图1和图2所示，该掩膜版100包括至少一个开口部10和围绕各开口部10的遮挡部20；遮挡部20的第一表面设置有支撑结构21；在平行于遮挡部20的第一表面的方向上，支撑结构21的尺寸小于遮挡部20的尺寸；在采用掩膜版100蒸镀蒸镀层时，支撑结构21与硅基显示面板的硅基衬底1接触。
[0029]其中，在采用掩膜版100蒸镀硅基显示面板的蒸镀层时，蒸镀材料通过开口部10蒸镀至硅基显示面板的硅基衬底1上，以形成蒸镀层；需要说明的是，图1仅示例性示出了掩膜
版100包括阵列排布的12个开口部10的情况，实际上，开口部10的形状、开口部10的数量以及开口部10的排列方式可以根据硅基显示面板的设计方案设置，本专利技术实施例对此不做任何限制。在采用掩膜版100蒸镀硅基显示面板的蒸镀层时，遮挡部20能够将硅基衬底1上不需要蒸镀的位置遮挡，从而使遮挡部20遮挡的位置处不形成蒸镀层。遮挡部20的第一表面设置有支撑结构21，该支撑结构21在平行于遮挡部20的第一表面的方向上的横截面可以为圆形、三角形、梯形、长方形或异形等，本专利技术实施例对该支撑结构21在平行于遮挡部20的第一表面的方向上的横截面的形状不做任何限制，只要能够实现在采用掩膜版100蒸镀时，支撑结构21与硅基显示面板的硅基衬底1接触，而掩膜版100的其他部分不与硅基显示面板接触即可。该支撑结构21的尺寸小于遮挡部20的尺寸，从而在采用掩膜版100蒸镀硅基显示面板的蒸镀层时，通过该支撑结构21与硅基显示面板的硅基衬底1接触，以减小掩膜版100与硅基衬底1的接触面积。
[0030]在一可选的实施例中，遮挡部20与支撑结构21可以为一体结构，即遮挡部20与支撑结构21采用相同的材料制得，其可以为通过对具有一定厚度的掩膜版片材进行化学腐蚀，其中，遮挡部20设置支撑结构21的位置不进行化学腐蚀，将掩膜版100的其他位置化学腐蚀一定深度，从而使支撑结构21相对于掩膜版100的其他位置在垂直于第一表面的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，用于制备硅基显示面板的蒸镀层，其特征在于，包括：至少一个开口部和围绕各所述开口部的遮挡部；所述遮挡部的第一表面设置有支撑结构；在平行于所述遮挡部的所述第一表面的方向上，所述支撑结构的尺寸小于所述遮挡部的尺寸；在采用所述掩膜版蒸镀所述蒸镀层时，所述支撑结构与所述硅基显示面板的硅基衬底接触。2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，在垂直于所述遮挡部的所述第一表面的方向上，所述支撑结构的高度H的取值范围为：40μm＜H＜80μm。3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述支撑结构包括分散设置的多个支撑柱。4.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，当所述掩膜版包括多个所述开口部时，多个所述开口部阵列排布；所述支撑柱位于相邻两行和/或相邻两列所述开口部之间。5.根据权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，在所述开口部的行方向上，所述支撑柱与所述开口部不交叠...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志文，季渊，
申请(专利权)人：南京昀光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：