【技术实现步骤摘要】
真空镀膜器
：本专利技术涉及一种真空镀膜器，属半导体器件领域，
技术介绍
：热电偶是用两种不同金属点焊制成，金属系的直径便决定了感温头的大小，现在的工艺制成的微型热电偶慼温点也大于0.5mm。而制作半导体的P型与T型材料组合成的半导体器件也在1mm以上。这样便使在集层綫路中控温与测温就非常困难。
技术实现思路
：本专利技术为了弥补上述现有技术上的不足，提供一种真空镀膜器，可将几种材料在真空室内集层到分子集的厚度。为此本专利技术采用真空罩1、镀膜支承片2、绝缘杆3、底盘支架4、直流正电极5、直流负电极6、电炉7、钳锅8、电炉引出綫9、抽真空阀10、真空泵11、真空表阀12、真空表13、底盘14、密封垫圈15、真空管16、待镀物17。若要将待镀物17镀到镀膜支承片2上的物件表面，可把电炉7与钳锅8顺次置于底盘14上后，将待镀物17放在钳锅8内，然后把真空罩1罩在底盘14。将电源引出綫9通电后，开启真空泵11对真空罩1内抽真空。当真空罩1内压力达到100Pa以下时，向电炉7送电，加热钳锅8，然后开启直流正电极5...
【技术保护点】
1.一种真空镀膜器，它由真空罩(1)、镀膜支承片(2)、绝缘杆(3)、底盘支架(4)、直流正电极(5)、直流负电极(6)、电炉(7)、钳锅(8)、电炉引出綫(9)、抽真空阀(10)、真空泵(11)、真空表阀(12)、真空表(13)、底盘(14)、密封垫圈(15)、真空管(16)、待镀物(17)构成，真特征在于：四个底盘支架(4)置于底盘(14)下部，真空罩(1)盖在底盘(14)上部，真空罩(1)与底盘(14)接合处装有密封垫圈(15)；真空管(16)穿过底盘(14)后末端与抽真空阀(10)的抽气口联通固结，抽真空阀(10)的出口与真空泵(11)联通固结，电炉(7)置于真空罩...
【技术特征摘要】
1.一种真空镀膜器，它由真空罩(1)、镀膜支承片(2)、绝缘杆(3)、底盘支架(4)、直流正电极(5)、直流负电极(6)、电炉(7)、钳锅(8)、电炉引出綫(9)、抽真空阀(10)、真空泵(11)、真空表阀(12)、真空表(13)、底盘(14)、密封垫圈(15)、真空管(16)、待镀物(17)构成，真特征在于：四个底盘支架(4)置于底盘(14)下部，真空罩(1)盖在底盘(14)上部，真空罩(1)与底盘(14)接合处装有密封垫圈(15)；真空管...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘玉东，童明伟，郭智宏，胡鹏，王惠敏，
申请(专利权)人：重庆大学，
类型：发明
国别省市：重庆;50
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